以較高的開關(guān)頻率在負(fù)載點(diǎn) (POL) 應(yīng)用中工作

　　摘要： Power Clip 33 封裝十分新穎，旨在增加同步整流 (SR) 降壓應(yīng)用中的功率密度，同時(shí)使用與傳統(tǒng)分立式 Power 56 封裝相比明顯較小的 PCB 面積。 本文詳細(xì)分析飛兆 Power Clip 3.3x3.3 Dual 是如何實(shí)現(xiàn)這一性能的。

　　概述

　　本文：

　　a. 總結(jié)了通過(guò) Power Clip 封裝實(shí)現(xiàn)的電源系統(tǒng)尺寸和電流密度的改進(jìn)
　　b. 詳細(xì)介紹了實(shí)現(xiàn)性能提升的 Power Clip 的特性
　　c. 提供了一對(duì)設(shè)計(jì)示例，展示通過(guò)該小占位面積和高頻設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)的總體元件占位面積減少
　　d. 展示了將 Power Clip 與傳統(tǒng)設(shè)計(jì)在效率、功率損耗、波形、溫度和熱阻方面進(jìn)行比較的測(cè)量數(shù)據(jù)。

　　簡(jiǎn)介

　　對(duì)電源工程師來(lái)說(shuō)，功率密度 (A/mm2) 是器件選型中的一個(gè)重要指標(biāo)。Power Clip Dual MOSFET 的設(shè)計(jì)是經(jīng)過(guò)針對(duì)性的優(yōu)化，可為同步降壓調(diào)節(jié)器應(yīng)用提供異常高的功率密度。

　　全新的 Power Clip 3.3x3.3 是對(duì)優(yōu)化品質(zhì)因數(shù) (FOM)的硅技術(shù)和增強(qiáng)的散熱設(shè)計(jì)的高效結(jié)合。

　　圖1和圖2展示這一新產(chǎn)品相較于兩個(gè)競(jìng)爭(zhēng)產(chǎn)品的性能。 新 Power Clip 較這兩者性能都好。

　　圖1顯示，與較大尺寸的 5x6 競(jìng)爭(zhēng)產(chǎn)品相比，Power Clip 的效率更高。 圖1中的散熱圖片是在測(cè)試結(jié)束時(shí)拍攝的。 較小的 Power Clip 能夠以同等的 TJ處理額外的 3 A 負(fù)載。

　　圖2顯示，與同等尺寸的 3.3x3.3 競(jìng)爭(zhēng)產(chǎn)品相比，Power Clip 具有更好的效率和溫度。 圖2中的散熱圖片是在測(cè)試結(jié)束時(shí)拍攝的。 Power Clip 以低6 °C 的 TJ 溫度處理了額外 8 A 的負(fù)載。

　　注意，這一圖2評(píng)測(cè)使用與圖1不同的控制器完成，因此 Power Clip 結(jié)果略有不同。

　　圖3展示了過(guò)去 6 年中測(cè)試的一系列飛兆評(píng)測(cè)板的功率密度的演化。 Power Clip 產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)的密度是上一代產(chǎn)品的近兩倍。

　　這得益于 PowerTrench^®工藝和封裝技術(shù)的改進(jìn)。圖4展示了 Power Clip 33 MOSFET Asymmetrical Dual MOSFET 設(shè)計(jì)在負(fù)載點(diǎn) (POL) 或同步整流 (SR) 降壓轉(zhuǎn)換器應(yīng)用中的演化。 Power Clip 33 MOSFET 將一對(duì)分立式 MOSFET 的最佳的特性結(jié)合到 3.3x3.3 mm 的封裝上。