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低電壓大電流VRM拓撲結構和均流技術研究

作者: 時間:2012-08-29 來源:網絡 收藏

(a)

(b)

圖4 RC開關網絡

圖5簡單的檢測技術

文獻[1]中有

(1)

在(1)式中被檢測到的平均電感僅受 的影響。R和C的精確度,電感值和MOSFET導通電阻對均流效果都沒有影響。

2.2 控制技術

從上面提出的控制電流的方法,我們可以得到一種不同于傳統(tǒng)的均流方法的另一種比較簡單的均流控制技術。如圖6所示充分利用平均 信號,每一個的電流就得到了控制。在圖6中的控制功能塊包括均流控制環(huán)和環(huán)。所有并行的共同使用一個環(huán)。每一個有它自己的控制電流的RC開關網絡和自己的均流控制環(huán)。

在圖6中,感應到的平均電流的信息由電容電壓信號控制。文獻[1]中有

(2)

(3)

表示每一個模塊的平均電流。首先我們假設了 相等。它表示著電感的磁芯設計和分布設計在這兩個模塊中都是對稱的。實際上,在制作時這種對稱是很容易控制的。為了能夠達到電流在兩個模塊之間分布的一致性, 必須等于 。從式(1)得,如果 相等,并且 相等,那么 就相等所以現(xiàn)在我們很清楚均流控制環(huán)控制的目的就是控制 并且使得兩者相等。圖6為控制兩個RC開關網絡并且使得 相等的一種簡單的方法。在圖6中均流控制環(huán)使用了一個積分調節(jié)器,所以沒有穩(wěn)態(tài)誤差。兩個RC開關網絡的輸出電壓 應該和參考電壓相等。使用圖6所示的控制方法 總是相等,根據(2)和(3)式,則有

圖6新型的均流技術

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