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高電源抑制的基準(zhǔn)源的設(shè)計方案

作者: 時間:2011-08-04 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/178787.htm

  1.2 LDO

  LDO在低頻時的PSR主要取決于運放的增益,為此選擇折疊共源共柵電路。此LDO電路基于文獻(xiàn)中的電路修改,如圖2所示,并采用PSR高的偏置生成電路。

  1. 3 啟動電路

  Brokaw核心本身存在0狀態(tài),VQC5基極為高電平,VQC2、VQC1基極為低電平,因此引入如圖3的啟動電路。

  圖3中右下角即為啟動電路。對于常規(guī)Brokaw,當(dāng)VQC2基極電壓低于啟動電壓時,VQCS2將VQC5基極電壓拉低VQC2基極電壓拉高,使電路啟動,所以VQCS2僅需很小的基極電流就可以使電路啟動。

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