高電源抑制的基準(zhǔn)源的設(shè)計(jì)方案
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本文引用地址：http://m.butianyuan.cn/article/178787.htm 但是，由于本設(shè)計(jì)采用LDO供電，而LDO的參考電壓是bg，存在死循環(huán)，即bg低，則LDO低，所以基準(zhǔn)核心的VQC5無法給VQCS2提供電流，也就無法提高VQC2的電壓即bg，因此需要外界提供大電流bias-start，使得當(dāng)LDO無法啟動(dòng)基準(zhǔn)核心時(shí)，此電流可以足夠大，在RC4上產(chǎn)生的壓降使bg達(dá)到足夠大，繼而LDO達(dá)到使基準(zhǔn)核心啟動(dòng)所需的最低電壓，從而使電路進(jìn)入自動(dòng)修正狀態(tài)，最終使bg和ref達(dá)到指定電壓。 這樣雖然能啟動(dòng)，但是，正常工作時(shí)，此大啟動(dòng)電流bias-start將通過VQCS1和VQCS3流向地，增加了系統(tǒng)的負(fù)擔(dān)。因此，在電流輸出管MB3下加入控制管MBC，并使得在正常工作時(shí)，LDO的高電壓足以使MBC關(guān)斷，從而降低啟動(dòng)電路的損耗。 2 仿真與分析 本次設(shè)計(jì)的仿真基于ASMC的1 μm的高壓BCD工藝。 2.1 啟動(dòng)仿真 圖4是工藝角為tt，t=27℃時(shí)的啟動(dòng)仿真，此基準(zhǔn)需要3 μs就可建立正常狀態(tài)，這是由于基準(zhǔn)核心中的Cc1選取為比較小的2 pF的結(jié)果，這樣做的另一個(gè)結(jié)果就是中頻PSR有所降低，實(shí)際電路可根據(jù)需要選取Cc1的大小，如果需要中頻PSR較大，但對(duì)啟動(dòng)時(shí)間要求較低時(shí)，可以選取大Cc1（如Cc1選取10pF，則最高PSR將降為-28dB，但啟動(dòng)時(shí)間升至10μs）。LDO、ref、bg的啟動(dòng)過程比較平穩(wěn)，沒有過沖現(xiàn)象。 MBC控制作用的簡述：在1μs時(shí)流過100μA的啟動(dòng)電流，當(dāng)LDO、ref、bg建立最低工作電壓后，啟動(dòng)電路開始關(guān)斷過程，電流急劇減小，并最終在2μs時(shí)接近0A。整個(gè)電路正常運(yùn)行時(shí)消耗的電流是266μA。
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