新型IGBT/MOSFET驅(qū)動(dòng)模塊SKHI22A/B
關(guān)鍵詞:IGBT;驅(qū)動(dòng)模塊 ;SKHI22A/B
1 概述
SKHI系列驅(qū)動(dòng)模塊是德國西門康(SEMIKRON)公司推出的一種新型IGBT/MOSFET驅(qū)動(dòng)模塊。SKHI系列驅(qū)動(dòng)模塊主要有以下特點(diǎn):
●僅需一個(gè)不需隔離的+15V電源供電?
●抗dV/dt能力可以達(dá)到75kV/μs?
●控制電路和IGBT主電路之間的隔離電壓可以達(dá)到4kV
●輸出峰值電流可以達(dá)到30A?
●同一橋臂上下開關(guān)管驅(qū)動(dòng)信號具有互鎖功能,可以防止兩個(gè)開關(guān)管的貫穿導(dǎo)通?
●死區(qū)時(shí)間、VCE的監(jiān)控、RGON/OFF可以分別調(diào)節(jié),因而可以對不同用戶的特殊需求進(jìn)行優(yōu)化?
●可以輸出差錯(cuò)信號以通知控制系統(tǒng)?
●具有過流、欠壓保護(hù)功能。
下面主要以SKHI22A為例,對SKHI系列驅(qū)動(dòng)模塊進(jìn)行介紹。
2 內(nèi)部結(jié)構(gòu)及原理
SKHI22A/B引腳功能排列如表1所列。圖1所示是SKHI系列驅(qū)動(dòng)器的內(nèi)部電路原理圖。
表1 SKHI22A的引腳功能
引腳號 | 引腳名稱 | 引腳說明 |
P14 | GND/0V | 相應(yīng)輸入信號的地 |
P13 | Vs | 電源+15V4% |
P12 | VIN1 | 上開關(guān)管的輸入開關(guān)信號1,+5V邏輯(對于SKHI22A/21A為+15V邏輯) |
P11 | FREE | 空置 |
P10 | ERROR | 差錯(cuò)輸出,低有效,集電極開路輸出,最大為30V/15mA |
P9 | TDT2 | 通過接地或接Vs數(shù)字調(diào)節(jié)橋臂上下開關(guān)管的死區(qū)時(shí)間 |
P8 | VIN2 | 下管的輸入開關(guān)信號1,+5V邏輯(對于SKHI22A/21A為+15V邏輯) |
P7 | GND/0V | 相應(yīng)輸入信號的地 |
S20 | VCE1 | 接IGBT1的集電極(上開關(guān)管) |
S15 | CCE1 | 通過外接RCE和CCE來調(diào)節(jié)參考電壓 |
S14 | GON1 | 接RON到IBGT1的基極 |
S13 | GOFF1 | 接ROFF到IBGT1的基極 |
S12 | E1 | 接IGBT1的發(fā)射極(上開關(guān)管) |
S1 | VCE2 | 接IGBT2的集電極(下開關(guān)管) |
S6 | CCE2 | 通過外掃RCE和CCE來調(diào)節(jié)參考電壓 |
S7 | GON2 | 接RON到IGBT2的基極 |
S8 | GOFF2 | 接ROFF到IGBT2的基極 |
S9 | E2 | 接IGBT2的發(fā)送極(下開關(guān)管) |
2.1 SKHI22A/B的脈沖整形電路
SKHI中的脈沖整形電路的作用是在控制IBGT的脈沖信號輸入后,用短脈沖抑制電路對脈沖寬度小于500ns的開關(guān)脈沖進(jìn)行抑制,以使其不能傳遞到IGBT,這樣可以有效的抑制電磁干擾引起的電壓尖峰對開關(guān)管的誤觸發(fā),從而提高驅(qū)動(dòng)電路的抗干擾能力。另外,模塊還可以對輸入的觸發(fā)脈沖進(jìn)行整形(例如常用的SG3525芯片所產(chǎn)生的脈沖在上升沿往往有電壓尖峰,而且在脈沖高低電平時(shí)有時(shí)電平會(huì)有波動(dòng)),而且在經(jīng)過SKHI整形輸出以后,波形已十分標(biāo)準(zhǔn),因而能可靠地對IGBT進(jìn)行控制。
2.2 SKHI22A/B的脈沖互鎖電路
脈沖互鎖電路的互鎖時(shí)間由外接端子TDT1、TDT2和SECELT所接的高低電平來決定。同時(shí)可由這三個(gè)端子進(jìn)行數(shù)字調(diào)節(jié)(SKHI22A只有TDT2)。這種設(shè)計(jì)可以使不同開關(guān)速度的開關(guān)器件的互鎖時(shí)間均大于IGBT的關(guān)斷延遲時(shí)間,從而避免貫穿導(dǎo)通。
2.3 SKHI22A/B的欠壓保護(hù)電路
模塊內(nèi)部欠壓保護(hù)電路的作用是當(dāng)電源電壓低于+13V時(shí),將差錯(cuò)輸出端的電平拉低,以輸出差錯(cuò)信號。
以上三部分控制電路被集成在一塊ASIC中,與一般的分立元件組成的電路相比,這樣可以大大的提高控制電路的抗干擾能力,同時(shí)可靠性也得到了提高。另外,SKHI系列器件的初級(控制部分)和次級(主電路部分)之間還可通過變壓器實(shí)現(xiàn)隔離。
2.4 SKHI22A/B驅(qū)動(dòng)器的輸出級
SKHI驅(qū)動(dòng)器件的輸出級采用MOSFET晶體管互補(bǔ)電路的形式以降低驅(qū)動(dòng)源的內(nèi)阻,同時(shí)可加速IG-BT的關(guān)斷過程。圖2所示是其輸出級電路。圖中,MOSFET的源極分別和外部端子進(jìn)行連接,這樣即可通過分別串接的RON和ROFF調(diào)節(jié)IGBT的開通和關(guān)斷速度;內(nèi)部集成電壓源可提高模塊的可靠性;通過調(diào)節(jié)電源電壓可以在不減?。郑牵诺那闆r下提供滿功率輸出脈沖,從而防止因IGBT退出飽和而損壞。
2.5 SKHI22A/B的短路保護(hù)
SKHI模塊利用“延時(shí)搜索過電流保護(hù)”方法?通過檢測IGBT通態(tài)壓降的變化來實(shí)現(xiàn)IGBT的過電流保護(hù)。當(dāng)電路出現(xiàn)短路時(shí),出錯(cuò)信號將由VCE輸入并通過脈沖變壓器傳遞到差錯(cuò)控制器,以封鎖所有到IGBT的脈沖并觸發(fā)出錯(cuò)信號端(P10)。該模塊通過調(diào)節(jié)檢測VCE電壓信號的延時(shí)可以避免錯(cuò)誤短路信號;其內(nèi)部帶有故障缺省記憶功能,可以防止重復(fù)的高電流脈沖對開關(guān)管的損壞,經(jīng)過幾個(gè)重復(fù)的高脈沖之后可以永久封閉脈沖輸出。此外,它還同時(shí)帶有差錯(cuò)信號輸出,可以通知主控制板做出相應(yīng)的動(dòng)作。
2.6 SKHI22A/B的電壓隔離
使用帶涂層的環(huán)形鐵氧體變壓器可以使輸入和輸出級之間的隔離電壓達(dá)到4kV。這是使用光耦作隔離驅(qū)動(dòng)器件所不能達(dá)到的。使用脈沖變壓器代替光耦在原副邊之間可以防止很高的dV/dt(可以達(dá)到75kV/μs)。
2.7 SKHI22A/B的輔助電源
由于SKHI模塊內(nèi)部有帶隔離變壓器的DC/DC變換器,因而可以節(jié)省外部變壓器并可使設(shè)計(jì)布局更加緊湊;在輔助電源原邊有欠電壓監(jiān)控電路,這樣可以保證IGBT有一個(gè)安全可靠并能提供足夠功率的門極驅(qū)動(dòng)電路;每個(gè)IGBT采用相互獨(dú)立的電源。因此,其電源之間的耦合電容很小,從而提高了開關(guān)信號的抗干擾能力。
3 應(yīng)用電路
SKHI22A/B的應(yīng)用電路如圖3所示。圖中,IN-PUT?TOP?和INPOUT?BOTTOM?分別為同一橋臂上、下開關(guān)管的觸發(fā)脈沖;管腳TDT2接高電平+15V時(shí),死區(qū)時(shí)間為4.25μs,接低電平GND時(shí),死區(qū)時(shí)間為3.25μs。ERROR管腳為差錯(cuò)信號輸出,當(dāng)模塊檢測到電路有過流、欠壓等現(xiàn)象并進(jìn)行保護(hù)時(shí),該管腳電平將被拉低以通知主控制板。
管腳S15、S6外接的RCE和CCE?用于調(diào)節(jié)管子過流保護(hù)時(shí)的壓降。對于1200V的IGBT,一般選擇RCE為18kΩ、CCE為300pF,此時(shí)管壓降門限為5V。管腳S14、S7外接IGBT的柵極導(dǎo)通電阻RON,該電阻一般應(yīng)在3~22Ω之間,實(shí)際應(yīng)用時(shí),該電阻的發(fā)熱比較嚴(yán)重,因此建議使用2W的電阻。管腳S13、S8外接IGBT的柵極導(dǎo)通電阻ROFF,其使用方法和RON一樣。管腳S20、S1分別連接檢測上、下開關(guān)管的漏極。對于1700V的IGBT,通常應(yīng)該串接1kΩ/0.4W的電阻。
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