二極管+IGBT：新架構(gòu)能帶來什么新應(yīng)用？

技術(shù)特點(diǎn)：

逆向?qū)ㄐ?a class="contentlabel" href="http://m.butianyuan.cn/news/listbylabel/label/IGBT">IGBT將二極管和IGBT集成在同一個晶片里

節(jié)省空間，價格低

175度的結(jié)溫，EMI效果良好

應(yīng)用領(lǐng)域：

洗衣機(jī)、洗碗器、吸塵器、空調(diào)、冰箱的壓縮機(jī)、伺服驅(qū)動、風(fēng)扇

由于現(xiàn)在經(jīng)濟(jì)的快速發(fā)展，能源的消耗也是急劇增加，我們?nèi)绾稳p少能源的損耗做到節(jié)能減排?這就要求我們的產(chǎn)品有一個更高的效率，更低的成本。而對于一個高性能的系統(tǒng)來說，半導(dǎo)體器件的選擇尤為重要。今天我給大家介紹的就是英飛凌一個新的逆向?qū)ㄐ?a class="contentlabel" href="http://m.butianyuan.cn/news/listbylabel/label/IGBT">IGBT。我們知道傳統(tǒng)的IGBT，二極管和IGBT是分開的兩個晶圓，而這一款新的逆向?qū)ㄐ虸GBT是將二極管和IGBT集成在同一個晶圓上面，它們有相同的電流等級。新的逆向?qū)ㄐ虸GBT引用了哪些技術(shù)呢?首先的話，它引入了場終止技術(shù)，也就是它大大的減小了晶圓的厚度，使它有一個非常低的飽和導(dǎo)通壓降，從而提高了整體的效率。第二點(diǎn)是引入了一個溝道柵技術(shù)，進(jìn)一步減少了飽和導(dǎo)通壓降，因?yàn)轱柡蛯?dǎo)通壓降是由載流子的濃度來決定，而引入溝道柵相當(dāng)于為載流子引入了一個通道，使它的飽和導(dǎo)通壓將進(jìn)一步減小，從而減小導(dǎo)通損耗。第三是引用了一個逆向?qū)ㄐ投O管，將這個二極管集成在IGBT里面可以大大減少它的體積。

目前這種逆向?qū)ㄐ虸GBT有兩種封裝形勢，一種是IPAK封裝，另外是DPAK封裝，電流有4安、6安、10安和15安四個等級。它主要的特點(diǎn)就是有非常低的價格，還有節(jié)省空間。半導(dǎo)體器件它的成本主要取決于兩個方面，一個是它的晶圓，減少晶圓的數(shù)量，從兩個晶圓減少到一個晶圓可以減少成本。另外的話，這種T0220的封裝還有這種D2PARK封裝可以減少成IPARK封裝和DPARK封裝，同時減少封裝的成本，減少了封裝的話同樣會減少它的空間，但是減少了晶圓的話會不會對它的性能造成影響?首先我們來看一下，同樣它有一個非常低的飽和導(dǎo)通壓降，對它的性能絲毫沒有任何影響。另外可以通過改變門級驅(qū)動電阻，在寬范圍調(diào)節(jié)它的開通和關(guān)斷的時間，有一個非常好的EMI效果，非常平滑的開關(guān)波形，5us的短路保護(hù)能力，最高結(jié)溫可以達(dá)到175度。這個是這種逆向?qū)ㄐ虸GBT的主要參數(shù)，這個是它的擊穿電壓，這個是它的電流，這是175度飽和導(dǎo)通壓降，這是開關(guān)的能力，這是短路保護(hù)的能力，這是它的門級驅(qū)動電壓，基本上對于一個200W的產(chǎn)品可以選擇4安的IGBT，600W的話可以選擇一個6安的，1000W可以選擇一個10安的，1500W的可以選擇15W的產(chǎn)品。

從功率密度來說如果選用這種小封裝的IPARK產(chǎn)品去取代TO220封裝的話，面積可以減少75%，高度可以減少49%。而用這種DPARK封裝產(chǎn)品的話，如果去取代D2PARK這種產(chǎn)品，它的面積可以減少63%，高度同樣可以減少到49%。

這是一個實(shí)際的PCP板上的IGBT的圖，我們看到如果用D2PARK的話，它兩顆的面積大概在2.5厘米，而如果使用DPARK封裝的話可以減少到1.5厘米左右，同時它跟IGBT模塊來相比的話可以節(jié)省0.5個美金的成本，所以對于一些消費(fèi)類市場低成本的產(chǎn)品這個相當(dāng)重要的。

總結(jié)一下IGBT的重要特點(diǎn)，一個是成本，因?yàn)樗捎玫氖且粋€晶圓，所以它的成本有很大的優(yōu)勢;另外因?yàn)闇p少了它的封裝，可以給PCB留下更多的空間，進(jìn)一步提高產(chǎn)品的功率密度。同時它也有一個非常好的性能，非常低的飽和導(dǎo)通壓降，一個非常軟的開關(guān)特性對EMI非常有幫助，它還有一個很好的溫度特性，最高溫度可以達(dá)到175度。藍(lán)色曲線是逆向?qū)ㄐ虸GBT和目前TO220封裝的飽和導(dǎo)通壓降的比較。這是用一個6安的產(chǎn)品在做比較，當(dāng)這個電流在6安的時候可以看到飽和導(dǎo)通壓降非常的低。

衡量一個IGBT的好壞有兩個非常重要的指標(biāo)，一個就是它的飽和導(dǎo)通壓降，就是Vce(sat)，另外一個就是開關(guān)損耗，也就是Eoff。對于低頻的應(yīng)用來說，飽和導(dǎo)通壓降是占有絕對支配地位的，所以選擇這種RC-Drives的IGBT會是一個非常好的選擇，因?yàn)榭梢钥吹竭@種RC-Drives IGBT的飽和導(dǎo)通壓降是遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于市面上的一些產(chǎn)品。這個是在一個無刷電機(jī)上面的損耗的分析。