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環(huán)境與靜電對(duì)集成電路封裝的影響分析

作者: 時(shí)間:2011-12-20 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

1 引言

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/187075.htm

  現(xiàn)代發(fā)達(dá)國(guó)家經(jīng)濟(jì)發(fā)展的重要支柱之一--集成電路(以下稱(chēng)IC)產(chǎn)業(yè)發(fā)展十分迅速。自從1958年世界上第一塊IC問(wèn)世以來(lái),特別是近20年來(lái),幾乎每隔2-3年就有一代產(chǎn)品問(wèn)世,至目前,產(chǎn)品以由初期的小規(guī)模IC發(fā)展到當(dāng)今的超大規(guī)模IC。IC設(shè)計(jì)、IC制造、IC封裝和IC測(cè)試已成為微電子產(chǎn)業(yè)中相互獨(dú)立又互相關(guān)聯(lián)的四大產(chǎn)業(yè)。微電子已成為當(dāng)今世界各項(xiàng)尖端技術(shù)和新興產(chǎn)業(yè)發(fā)展的前導(dǎo)和基礎(chǔ)。有了微電子技術(shù)的超前發(fā)展,便能夠更有效地推動(dòng)其它前沿技術(shù)的進(jìn)步。隨著IC的集成度和復(fù)雜性越來(lái)越高,污染控制、保護(hù)和防護(hù)技術(shù)就越盲膨響或制約微電子技術(shù)的發(fā)展。同時(shí),隨著我國(guó)國(guó)民經(jīng)濟(jì)的持續(xù)穩(wěn)定增長(zhǎng)和生產(chǎn)技術(shù)的不斷創(chuàng)新發(fā)展,生產(chǎn)工藝對(duì)生產(chǎn)的要求越來(lái)越高。大規(guī)模和超大規(guī)模Ic生產(chǎn)中的前后道各工序?qū)ιa(chǎn)提出了更高要求,不僅僅要保持一定的溫、濕度、潔凈度,還需要對(duì)防護(hù)引起足夠的重視。

2 環(huán)境因素對(duì)IC封裝的影響

  在半導(dǎo)體IC生產(chǎn)中,封裝形式由早期的金屬封裝或陶瓷封裝逐漸向塑料封裝方向發(fā)展。塑料封裝業(yè)隨著IC業(yè)快速發(fā)展而同步發(fā)展。據(jù)中國(guó)半導(dǎo)體信息網(wǎng)對(duì)我國(guó)國(guó)內(nèi)28家重點(diǎn)IC制造業(yè)的IC總產(chǎn)量統(tǒng)計(jì),2001年為44.12億塊,其中95%以上的IC產(chǎn)品都采用塑料封裝形式。

  眾所周知,封裝業(yè)屬于整個(gè)IC生產(chǎn)中的后道生產(chǎn)過(guò)程,在該過(guò)程中,對(duì)于塑封IC、混合IC或單片IC,主要有晶圓減薄(磨片)、晶圓切割(劃片)、上芯(粘片)、壓焊(鍵合)、封裝(包封)、前固化、電鍍、打印、后固化、切筋、裝管、封后測(cè)試等等工序。各工序?qū)Σ煌墓に嚟h(huán)境都有不同的要求。工藝環(huán)境因素主要包括空氣潔凈度、高純水、壓縮空氣、C02氣、N:氣、溫度、濕度等等。

   對(duì)于減薄、劃片、上芯、前固化、壓焊、包封等工序原則上要求必須在超凈廠房?jī)?nèi)設(shè)立,因在以上各工序中,IC內(nèi)核--芯粒始終裸露在外,直到包封工序后,芯粒才被環(huán)氧樹(shù)脂包裹起來(lái)。這樣,包封以后不僅能對(duì)IC芯粒起著機(jī)械保護(hù)和引線向外電學(xué)連接的功能,而且對(duì)整個(gè)芯片的各種參數(shù)、性能及質(zhì)量都起著根本的保持作用。在以上各工序中,哪個(gè)環(huán)節(jié)或因素不合要求都將造成芯粒的報(bào)廢,所以說(shuō),凈化區(qū)內(nèi)工序?qū)Νh(huán)境諸因素要求比較嚴(yán)格和苛刻。超凈廠房的設(shè)計(jì)施工要嚴(yán)格按照國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)GB50073-2001《潔凈廠房設(shè)計(jì)規(guī)范》的內(nèi)容進(jìn)行。

  2.1 空調(diào)系統(tǒng)中潔凈度的影響

  對(duì)于凈化空調(diào)系統(tǒng)來(lái)講,空氣調(diào)節(jié)區(qū)域的潔凈度是最重要的技術(shù)參數(shù)之一。潔凈廠房的潔凈級(jí)別常以單位體積的空氣中最大允許的顆粒數(shù)即粒子計(jì)數(shù)濃度來(lái)衡量。為了和國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)盡快接軌,我國(guó)在根據(jù)IS014644-1的基礎(chǔ)上制定了新的國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)GB50073-2001《潔凈廠房設(shè)計(jì)規(guī)范》,其中把潔凈室的潔凈度劃分了9個(gè)級(jí)別。

  結(jié)合不同封裝企業(yè)的凈化區(qū)域面積的大小不一,再加之由于塵粒在各工序分布的不均勻性和隨機(jī)性,如何針對(duì)不同情況來(lái)確定合適恰當(dāng)?shù)牟杉瘻y(cè)試點(diǎn)和頻次,使?jié)崈魠^(qū)域內(nèi)潔凈度控制工作既有可行性,又具有經(jīng)濟(jì)性,進(jìn)而避免偶然性,各封裝企業(yè)可依據(jù)國(guó)家行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)JGJ71-91《潔凈室施工及驗(yàn)收規(guī)范》中的規(guī)定靈活掌握。

  由于微電子產(chǎn)品生產(chǎn)中,對(duì)環(huán)境中的塵粒含量和潔凈度有嚴(yán)格的要求,目前,大規(guī)模IC生產(chǎn)要求控制0.1μm的塵粒達(dá)到1級(jí)甚至更嚴(yán)。所以對(duì)IC封裝來(lái)說(shuō),凈化區(qū)內(nèi)的各工序的潔凈度至少必須達(dá)到1級(jí)。

  2.2超純水的影響

  IC的生產(chǎn),包括IC封裝,大多數(shù)工序都需要超純水進(jìn)行清洗,晶圓及工件與水直接接觸,在封裝過(guò)程中的減薄工序和劃片工序,更是離不開(kāi)超純水,一方面晶圓在減薄和劃片過(guò)程中的硅粉雜質(zhì)得到洗凈,而另一方面純水中的微量雜質(zhì)又可能使芯粒再污染,這毫無(wú)疑問(wèn)將對(duì)封裝后的IC質(zhì)量有著極大的影響。

  隨著IC集成度的進(jìn)一步提高,對(duì)水中污染物的要求也將更加嚴(yán)格。據(jù)美國(guó)提出的水質(zhì)指標(biāo)說(shuō)明,集成度每提高一代,雜質(zhì)都要減少1/2~1/10。

  隨著半導(dǎo)體IC設(shè)計(jì)規(guī)則從1.5~0.25μm的變化,相應(yīng)地超純水的水質(zhì)除電阻率已接近理論極限值外,其TOC(總有機(jī)碳)、DO(溶解氧)、Si02、微粒和離子性雜質(zhì)均減少2-4個(gè)數(shù)量級(jí)。

  在當(dāng)前的水處理中,各項(xiàng)雜質(zhì)處理的難易程度依次是TOC、SiO2、DO、電阻率,其中電阻率達(dá)到18MΩ·cm(25℃)是當(dāng)前比較容易達(dá)到的。由于TOC含量高會(huì)使柵氧化膜尤其是薄柵氧化膜中缺陷密度增大,所以柵愈薄要求TOC愈低,況且現(xiàn)在IC技術(shù)的發(fā)展趨勢(shì)中,芯片上柵膜越來(lái)越薄,故降低TOC是當(dāng)前和今后的最大難點(diǎn),因而已成為當(dāng)今超純水水質(zhì)的象征和重心。據(jù)有關(guān)資料介紹,在美國(guó)芯片廠中,50%以上的成品率損失起因于化學(xué)雜質(zhì)和微粒污染;在日本工廠中由于微粒污染引起器件電氣特性的不良比例,已由2μm的70%上升到0.8μm超大規(guī)模IC的90%以上,可見(jiàn)IC線條寬度越細(xì),其危害越突出。相應(yīng)的在IC封裝過(guò)程中超純水的重要性就顯而易見(jiàn)了。

  在半導(dǎo)體制造工藝中,大約有80%以上的工藝直接或間接與超純水,并且大約有一半以上工序,硅片與水接觸后,緊接著就進(jìn)人高溫過(guò)程,若此時(shí)水中含有雜質(zhì)就會(huì)進(jìn)入硅片而導(dǎo)致IC器件性能下降、成品率降低。確切一點(diǎn)說(shuō),向生產(chǎn)線提供穩(wěn)定優(yōu)質(zhì)的超純水將涉及到企業(yè)的成本問(wèn)題。

  2.3純氣的影響

  在IC的加工與制造封裝中,高純的氣體可作為保護(hù)氣、置換氣、運(yùn)載氣、反應(yīng)氣等,為保證芯片加工與封裝的成品率和可靠性,其中一個(gè)重要的環(huán)節(jié),就是嚴(yán)格控制加工過(guò)程中所用氣體的純度。所謂高純或超純也不是無(wú)休止的要求純而又純,而是指把危害IC性能、成品率和可靠性的有害雜質(zhì)及塵粒必須減少到一定值以下。

  例如在IC封裝過(guò)程中,把待減薄的晶圓,劃后待粘片的晶圓,粘片固化后待壓焊的引線框架(LF)與芯粒放在高純的氮?dú)鈨?chǔ)藏柜中可有效地防止污染和氧化;把高純的C02氣體混合人高純水中,可產(chǎn)生一定量的H+,這樣的混合水具有一定的消除吸附作用,代劃片工序使用可有效地去除劃痕內(nèi)和芯粒表面的硅粉雜質(zhì),以此來(lái)減少封裝過(guò)程中的芯粒浪費(fèi)。

  2.4 溫、濕度的影響

  溫、濕度在IC的生產(chǎn)中扮演著相當(dāng)重要的角色,幾乎每個(gè)工序都與它們有密不可分的關(guān)系。GB50073-2001《潔凈廠房設(shè)計(jì)規(guī)范》中明確強(qiáng)調(diào)了對(duì)潔凈室溫、濕度的要求要按生產(chǎn)工藝要求來(lái)確定,并按冬、夏季分別規(guī)定。

  根據(jù)國(guó)家要求標(biāo)準(zhǔn),也結(jié)合我廠IC塑封生產(chǎn)線的實(shí)際情況,特對(duì)相關(guān)工序確定了溫、濕度控制的范圍,運(yùn)行數(shù)年來(lái)效果不錯(cuò)。

  但是,由于空調(diào)系統(tǒng)發(fā)生故障,在2001年12月18日9:30~9:40期間,粘片工序工作區(qū)域發(fā)生了一起濕度嚴(yán)重超標(biāo)事故。當(dāng)時(shí)相對(duì)濕度高達(dá)86.7%RH,而在正常情況下相對(duì)濕度為45~55%RH。

  當(dāng)時(shí)濕度異常時(shí)粘片現(xiàn)場(chǎng)狀況描述如下:

  所有現(xiàn)場(chǎng)桌椅板凳、玻璃、設(shè)備、晶圓、芯片以及人身上的防靜電服表面都有嚴(yán)重的水汽,玻璃上的水汽致使室內(nèi)人看不清過(guò)道,用手觸摸桌椅設(shè)備表面,都有很明顯的手指水跡印痕。更為嚴(yán)重的是在粘片工序現(xiàn)場(chǎng)存放的芯片有許多,其中SOPl6L產(chǎn)品7088就在其列。所有這些產(chǎn)品中還包括其它系列產(chǎn)品,都象經(jīng)過(guò)了一次蒸汽浴一樣。

   針對(duì)這批7088成品率由穩(wěn)到不穩(wěn),再到嚴(yán)重下降這一現(xiàn)象,我們對(duì)粘片、壓焊、塑封等工序在此批次產(chǎn)品加工期間的各種工藝參數(shù),原材料等使用情況進(jìn)行了詳細(xì)匯總,沒(méi)有發(fā)現(xiàn)異常情況,排除了工藝等方面的原因。

  事后進(jìn)一步對(duì)廢品率極高的18#、21#、25#、340、55#卡中不合格晶進(jìn)行了超聲波掃描,發(fā)現(xiàn)均有不同程度的離層,經(jīng)解剖發(fā)現(xiàn):從離層處發(fā)生裂痕、金絲斷裂、部分芯片出現(xiàn)裂紋。最后得出結(jié)論如下:

  (1)造成成品率下降的原因主要是封裝離層處產(chǎn)生裂痕,導(dǎo)致芯片裂紋或金絲斷裂。

  (2)產(chǎn)生離層的原因是由于芯片表面水汽包封在塑封體內(nèi)產(chǎn)生。

  由此可見(jiàn),溫、濕度對(duì)IC封裝生產(chǎn)中的重大影響。

  2.5其它因素的影響

  諸如壓差因素、微振因素、噪聲因素等對(duì)IC封裝加工中都有一定的影響。鑒于篇幅所限,這里就不再逐一贅述。


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