用ADS實現一個2.38 GHz全集成化低噪聲放大器設計

目前，在高達數GHz的RF頻段范圍內，廣泛使用的是GaAs MESFET LNAs，其優(yōu)點是能夠在功率增益高達20 dB的同時，使噪聲系數低至大約1 dB。但隨著CMOS電路技術的成熟，近來對RF CMOS電路元件的研究成果越來越多，在無線通信系統(tǒng)上也已經實現了SoC化。如果CMOS制造技術能克服噪聲大，功率損耗大等缺點，憑借其低廉的價格，CMOS LNAs將有可能在數GHz的RF頻段范圍內，逐漸取代GaAs MESFET LNAs。

由于LNAs通常位于整個接收電路的第一級，由式(1)可以看出，第一級的LNAs對于接收電路有很大的影響。所有在設計LNA電路時，應考慮降低噪聲，提高增益，輸入輸出阻抗匹配，降低功率損耗，提高線性度等重要因素。

2 低噪聲放大器電路設計

如圖1所示，設計一個cascode型輸入的低噪聲放大器。圖中Ls及Lg用來實現輸入阻抗匹配，而調整Ld和Cout可以實現輸出阻抗匹配。Cin可以用來阻止輸入端的直流信號。

從輸入部分電路可以計算出輸入阻抗為：

調整Ls使得輸入阻抗Zin實部為50 Ω，再調整Lg使得Zin虛部為0。如此即可調出Ls和Lg來實現電路的輸入阻抗。但是由于分布參數的影響，Ls和Lg的值還必須代入仿真軟件做進一步調整。

對于放大器的輸出，由于放大器使用LC并聯電路作為負載，所以當LC諧振在2.38 GHz時，理想的LC電路應呈現出開路狀態(tài)，此時負載最大，增益也最大。但是電路的增益仍然受到電感和電容的Q值影響，所以在進行軟件仿真時還需通過調整電感電容值來調整LNA的中心頻率。

3 本LNA中無源器件的結構

由于此設計采用全集成化設計，所以無源器件都用CMOS工藝制作在芯片內部，即內嵌式(on-chip)。

3.1 電感結構

此電路中電感采用內嵌式螺旋電感。采用內嵌式電感可以節(jié)約面積，提高電路集成度，但是卻犧牲了Q值，并且在CMOS工藝中電感的制備比較難以控制，所以在實際layout時將螺旋電感的中心拿掉，因為越接近核心，電荷密度越大，但核心部分對電感值的貢獻不大，中心去掉不會對整個電感有太大影響，還可以提高Q值。

3.1.1 電容結構

此電路中采用MIM(metal-insulator-metal)電容，是平板電容的一種變形，如圖3所示。這種電容的好處是容值較為固定，并且結構簡單。相比一般平板電容，在上下級板中間多了一層CTM(Capacitor TopMetal)層，可以通過縮短兩極板之間的距離來提高容值或縮小電容所占面積。

3.1.2 電阻結構

在當前的CMOS工藝中，根據不同的材料和制備工藝，常用的電阻有Well電阻、Poly電阻、Diffusion電阻和Metal電阻。各種電阻的導電層特性如下：

在設計的時候要注意，制作時電阻值越小誤差越大，所以材料選擇、使用面積和阻值誤差等要綜合考慮。

4 仿真設計

(1)確定設計目標。本文中電路工作在藍牙系統(tǒng)中，工作頻率為2.38 GHz，設計一個超低噪聲以及超高增益的LNA電路。

(2)設計電路結構。本電路基本結構為cascode單級放大電路，再加上一些周邊的匹配電路和電壓偏置電路來構成LNA電路。

(3)本文使用安捷倫的ADS系統(tǒng)來做高頻仿真，使用0.25μm的RF模型。主要仿真S參數、噪聲系數、線性度、功率增益等LNA電路的重要參數。

(4)根據0.25μm制造工藝的layout規(guī)則來設計電路中的各個元件，并且盡量做到電路對稱。

5 仿真結果

本文電路使用0.25μm制造工藝，電源電壓2.5 V，工作頻率2.38 GHz的全集成化單端LNA電路。

5.1 S參數仿真

圖4是此電路在ADS中的仿真結果，圖4(a)中S11是電路輸入反射系數，為-12.203 dB；圖4(b)中S12為電路的隔絕度(isolation)，避免LNA下一級的反射信號影響到LNA輸入端的信號，本電路中為-24.67 dB；圖4(c)中S21表示電路的功率增益，其值為20.47 dB；圖4(d)中S22為輸出反射系數，大約為-22.33 dB。