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4G時代國產(chǎn)芯片“使命必達”

作者: 時間:2013-12-19 來源:電子信息產(chǎn)業(yè)網(wǎng) 收藏

  牌照的發(fā)放為業(yè)界帶來一片光明。發(fā)牌既標志著新時代的開篇,也是我國在3G時代技術(shù)積淀收獲的“碩果”。幾度浮沉的廠商,或?qū)⒃谛碌臅r間節(jié)點下完成新的“使命必達”。

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/198735.htm

  邁向新制程

  隨著TD-LTE產(chǎn)業(yè)成熟和商用推廣,未來TD-LTE和終端需進一步提升性能,TD-LTE將逐漸向28nm演進。

  全產(chǎn)業(yè)鏈的相對成熟是發(fā)牌時必需的考量,雖然在芯片環(huán)節(jié)還受限于多模多頻的挑戰(zhàn),但一個顯見的事實是制程工藝成熟度的提升是突破這一瓶頸的關(guān)鍵。大唐電信集團董事長真才基就對《中國電子報》記者表示,從芯片角度來看,4G終端芯片將聚集在28nm制程,中芯國際的28nm技術(shù)已經(jīng)成熟,能夠與4G發(fā)展的要求相匹配。希望中國4G終端芯片能夠較長時間穩(wěn)定在28nm工藝上發(fā)展,因其產(chǎn)業(yè)化平臺越長,對提高終端供給能力越有好處。

  在3G時代早期,多模TD芯片廠商基本采用65nm甚至90nm制程,導致成本功耗居高不下,一直阻礙著TD-SCDMA的發(fā)展。但隨著TD—LTE時代的到來,隨著多模多頻基帶以及平臺芯片復雜度的提高,以及成本、功耗要求的不斷提高,如果說TD-LTD芯片的發(fā)展要汲取教訓的話,那顯然28nm制程將成為未來芯片廠商采取的主要技術(shù)。

  聯(lián)芯科技副總裁劉積堂也強調(diào),對于TD-LTE芯片市場來說,在產(chǎn)業(yè)發(fā)展初期,基于40nm工藝芯片的數(shù)據(jù)類終端可以滿足TD-LTE應用需求。隨著TD-LTE產(chǎn)業(yè)成熟和商用推廣,未來TD-LTE芯片和終端需進一步提升性能,TD-LTE芯片將逐漸向28nm演進,以提供更佳的用戶體驗。聯(lián)芯正在研發(fā)的四核五模十頻TD-LTE芯片預計年底推出,將采用28nm工藝。

  締造新空間

  LTEFDD牌照暫未發(fā)放,以及中移動TD-LTE終端策略的改變,為國內(nèi)芯片帶來一個“拾遺補缺”的“空間”。

  在4G牌照中,中國移動、中國聯(lián)通、中國電信首批均獲得TD-LTE網(wǎng)絡經(jīng)營許可,LTEFDD牌照暫未發(fā)放,這為國內(nèi)芯片帶來一個“拾遺補缺”的“空間”。TD產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟秘書長楊驊就曾指出,國內(nèi)企業(yè)由于緊靠中國移動的TD-SCDMA市場支撐,在LTEFDD領(lǐng)域積累相對不足,因而可先發(fā)展TD-LTE來滿足客戶的需求,當發(fā)展到一定程度需要LTEFDD頻譜使用的時候,再引入LTEFDD制式,這樣就會給國內(nèi)企業(yè)一段時間去補LTEFDD的課,以具備為LTEFDD和TD-LTE同時提供服務的能力。

  此外,中移動TD-LTE終端策略的改變也帶來利好。據(jù)了解,中移動TD-LTE終端策略發(fā)生了重大調(diào)整,不再堅持“五模十頻”的硬指標,明年年初將會引入“三?!碑a(chǎn)品。楊驊指出,這大大降低了技術(shù)門檻,還可將4G芯片和專利費節(jié)省下來,國內(nèi)芯片廠商也將迎來更大的發(fā)展空間。同時,這有助于中移動推“三模”的千元智能機,加快4G普及速度。Marvell全球副總裁李春潮說,Marvell千元采用其TD-LTE/TD-SCDMA/GSM三模芯片方案將于第一季度推出,預計明年上半年,中國就會出現(xiàn)大量千元4G手機。

  對于另兩大運營商的需求,李春潮指出,中國電信對4G終端有不同需求,數(shù)據(jù)卡之類的產(chǎn)品并不需要CDMA。如果是智能終端,對4G手機的要求是同時兼容FDD-LTE、CDMA2000、GSM,Marvell的解決方案是“雙芯片”方案,比如用其PXA1088LTE再外接CDMA的調(diào)制解調(diào)器,Marvell也會與中國電信探討合作?!爸袊?lián)通目前其4G終端方案與國際主流FDD運營商需求差別不大,Marvell目前的五模平臺可以滿足其需求?!崩畲撼边M一步指出,“目前,Marvell的重點是加強與中國移動合作,按需、按時地把我們的方案推廣到市場上?!?/p>

  需要注意的事,雖然國內(nèi)廠商暫時可以“放風”,但著眼于長遠還是要提早布局LTE融合及演進之道?!癟D-LTE和LTEFDD很大程度是融合的,兩種技術(shù)在L2層以上的規(guī)范都是一樣的,只是在底層幀結(jié)構(gòu)有所不同。從長遠來看,無論是4G或是將來的5G,都會在TD-LTE和LTEFDD兩種平臺平衡發(fā)展。從芯片的角度講,開發(fā)工作要與新技術(shù)和新標準同步進行?!盡arvell移動產(chǎn)品總監(jiān)張路表示,“LTE在加速演進,LTE-A明年就會在北美和歐洲開始商用,中國芯片廠商還應做相應的技術(shù)儲備和產(chǎn)品研發(fā)?!?/p>

  引發(fā)新挑戰(zhàn)

  具有強大數(shù)據(jù)和多媒體能力的高集成度智能手機芯片將是市場發(fā)展的主要方向,此外,在功耗、面積、成本方面需要不斷提升。

  TD-LTE芯片主要分成調(diào)制解調(diào)器和智能平臺這兩類形態(tài)。張路提到,調(diào)制解調(diào)器芯片主要應用于高端智能手機,無線上網(wǎng)卡、Mi-Fi、Dongle和物聯(lián)網(wǎng)等;單芯片解決方案則應用于手機和平板電腦等智能終端。雖然產(chǎn)品還會以這些形態(tài)出現(xiàn),但技術(shù)還會不斷發(fā)展。

  除了要求基帶和射頻支持多模多頻之外,從發(fā)展來看,TD-LTE智能終端還需應用處理器具備強大的數(shù)據(jù)與多媒體處理能力。聯(lián)發(fā)科技中國區(qū)總經(jīng)理章維力說,在4G時代,數(shù)據(jù)流量的爆發(fā)和智能手機多媒體化的發(fā)展成為主流特征,具有強大數(shù)據(jù)和多媒體能力的智能手機芯片將是市場發(fā)展的主要方向。

  此外功耗的降低和芯片面積的減少也是“必由之路”。有專家指出,一方面,相比2G、3G技術(shù),LTE高速的數(shù)據(jù)傳輸處理和特有的天線技術(shù),都需要消耗更多的功耗,但用戶對終端設備電池續(xù)航能力的要求卻在不斷提高;另一方面,技術(shù)的復雜度也在一定程度上增加了LTE芯片的面積,隨著終端支持的頻段增多,通常射頻芯片需提供的接收通道也會增加,頻段增加影響射頻前端器件的數(shù)量,因此,多頻段引入將增加終端射頻前端器件成本。但終端設備的輕薄化和外觀設計的時尚化,都需要盡可能壓縮主板面積,功耗和面積已成為重要的挑戰(zhàn)。

  而終端價格不斷下探的壓力也將轉(zhuǎn)移到芯片產(chǎn)業(yè)。SoC系統(tǒng)集成是關(guān)鍵,需要把周邊的芯片技術(shù)不斷整合消化,這顯著提高了門檻。李春潮表示,在4G時代芯片廠商也要注重提供交鑰匙方案,這是未來發(fā)展一大趨勢。

  此外,4G的市場趨勢是面向全球市場的。“語音技術(shù)方案也是TD-LTE手機發(fā)展的重要環(huán)節(jié)。從LTEFDD的商用經(jīng)驗來看,具備語音和寬帶數(shù)據(jù)能力的智能手機是用戶最為滿意的終端形態(tài)?!眲⒎e堂提到,“因此,終端廠商選擇平臺,也將從原來的單一市場轉(zhuǎn)而面向全球運營商,作為芯片廠商就需要緊跟通信技術(shù)標準演進?!?/p>

  成就新格局

  未來的競爭格局將發(fā)生較大變化,中國芯片廠商將快速崛起,尤其在4G中低端市場更將領(lǐng)先于歐美芯片廠商。

  在4G發(fā)令槍響之后,新一輪的市場排位賽也拉開帷幕。從對決來看,李春潮說,目前在LTE芯片的國內(nèi)外廠商中,國外廠商在LTEFDD與WCDMA技術(shù)方面比較有優(yōu)勢,但在TD-SCDMA方面積累不夠。中國國內(nèi)的一些公司強項是在TD-SCDMA技術(shù)領(lǐng)域,而在LTEFDD和WCDMA技術(shù)方面還要做很多工作。

  劉積堂說,TD-SCDMA芯片市場是國際巨頭們不太看中的細分市場,相對國內(nèi)廠商來說缺少積累,TD-SCDMA是國內(nèi)芯片公司難得的一個具有競爭力的市場。而在TD-SCDMA向TD-LTE演進中,國際巨頭開始全面覺醒,紛紛進入TD-LTE芯片領(lǐng)域,并且取得了后來居上的業(yè)績,國內(nèi)芯片公司在4G時代面臨的全模競爭壓力是十分巨大的。

  明年主導廠商在TD-LTE芯片市場的競爭將更趨激烈。從市場來看,高通的優(yōu)勢明顯,但最近因中國的反壟斷調(diào)查以及中移動終端芯片策略改變氣勢有所“收斂”。Marvell的LTE單芯片平臺在相關(guān)測試和招標環(huán)節(jié)也表現(xiàn)搶眼,最近有多款基于Marvell的4G平臺的MiFi終端和智能手機通過了中國移動的OT測試,成為首批上市的4G終端。英特爾方面稱,基于22nm的手機芯片組也將面世,將可體現(xiàn)出制程方面的優(yōu)勢。博通也是動作頻頻,已推出了五模LTE芯片,體積相比業(yè)界其他解決方案小35%。

  國外廠商在加緊布局,國內(nèi)廠商也不忘排兵布陣,海思、展訊、聯(lián)芯科技、聯(lián)發(fā)科等廠商均在全力沖刺。聯(lián)發(fā)科技今年底即將推出的LTEModem會同時支持LTEFDD與TDD-LTE,明年上半年,基于四核或八核AP+4GModem解決方案將進入量產(chǎn),最終4GSoC將于明年下半年量產(chǎn)。聯(lián)芯科技也將在年底推五模SoC智能手機芯片。

  “在4G時代,國內(nèi)公司需要突破多模通信技術(shù)積累、巨額研發(fā)資金投入、領(lǐng)先芯片設計工藝掌握、智能芯片公司品牌的培育、操作系統(tǒng)技術(shù)把握、多媒體應用技術(shù)創(chuàng)新等多重關(guān)口?!眲⒎e堂進一步指出,“因為具備成本和快速市場響應的優(yōu)勢,未來的競爭格局將發(fā)生較大變化,中國芯片廠商將快速崛起,尤其在4G中低端市場更將領(lǐng)先于歐美芯片廠商?!?/p>



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