三星和臺(tái)積電偷笑：就算Intel技術(shù)牛又奈我何？

　　代工廠一直在進(jìn)步

　　不可否認(rèn)，在芯片制造業(yè)，各大代工廠尤其是三星和臺(tái)積電的進(jìn)步非常之大，并且正在加快步伐縮減與英特爾的技術(shù)差距，盡管英特爾長(zhǎng)期處于領(lǐng)先，但當(dāng)前十分需要將差距拉開(kāi)更大。

　　我們不清楚英特爾是否是缺乏競(jìng)爭(zhēng)壓力，但在移動(dòng)領(lǐng)域，三星14納米FinFET、臺(tái)積電16納米FinFET兩大工藝的競(jìng)爭(zhēng)可謂空前慘烈，從合伙代工蘋(píng)果A9，到爭(zhēng)搶各路訂單，殺得好不熱鬧。更重要的是，兩大代工廠已經(jīng)做好了部署全新工藝制程的準(zhǔn)備，不止是第二版，還包括第三版。

　　例如說(shuō)，臺(tái)積電第一代是標(biāo)準(zhǔn)的16納米FinFET工藝，之后推出的第二代FinFET Plus(FF+)增強(qiáng)版已經(jīng)部署。至于下一代FinFET Compact(FFC)也已經(jīng)完成了設(shè)計(jì)研發(fā)，并確定本季度就可以投入量產(chǎn)，提前了大半年。

　　三星方面，其第一代14納米是Low Power Eatly(LPE)，現(xiàn)在第二代Low Power Plus(LPP)已經(jīng)開(kāi)始量產(chǎn)，重點(diǎn)產(chǎn)品為Snapdragon 820和Exynos 8890。三星高管聲稱(chēng)，衍生于第二代的下一版14納米也將很快推出。

　　更長(zhǎng)遠(yuǎn)的計(jì)劃上，無(wú)論是三星和臺(tái)積電都已經(jīng)開(kāi)始朝著10納米的目標(biāo)邁進(jìn)。臺(tái)積電表示，10納米今年即可試產(chǎn)，正式批量生產(chǎn)等到2016年年底，或者是2017年的第一季度。至于三星也提供了大概相同的線路圖，堅(jiān)稱(chēng)2016年年底10納米就可量產(chǎn)，2017年一定會(huì)出現(xiàn)在手機(jī)和平板電腦上。

　　反觀英特爾，不僅桌面處理器“Tick-Tock”策略在兩年前已經(jīng)被打破，而且第一款基于10納米工藝的產(chǎn)品按計(jì)劃要等至2017年下半年才能推出。除非英特爾改革研發(fā)模式，否則今年年底將喪失工藝領(lǐng)先的地位。作為半導(dǎo)體芯片領(lǐng)域的巨頭，英特爾長(zhǎng)期自信滿滿，但在當(dāng)前競(jìng)爭(zhēng)環(huán)境中，還真的得加把勁了。