三星和臺(tái)積電偷笑：就算Intel技術(shù)牛又奈我何？

　　很多話題討論的開(kāi)始，均是基于每一次非英特爾芯片制造商對(duì)制造工藝的升級(jí)。最初，臺(tái)積電和三星明確表示，將以最快的速度從“20納米”過(guò)渡的“14/16納米”，而且將會(huì)重點(diǎn)發(fā)展稱之為“FinFET”的晶體管結(jié)構(gòu)器件，重點(diǎn)宣傳新工藝相比傳統(tǒng)而言芯片面積將得到大幅縮減，適配每一代工藝制程。

　　另一方面，當(dāng)時(shí)英特爾也正處于22納米工藝技術(shù)到14納米的過(guò)渡中，并且英特爾也掌握了第二代FinFET(Tri-Gate)器件技術(shù)。不過(guò)，英特爾的動(dòng)作太慢了，導(dǎo)致三星和臺(tái)積電各自挑釁稱，其16和14納米已經(jīng)領(lǐng)先英特爾，而英特爾仍無(wú)法完全脫離22納米的工藝制程，并且還有事實(shí)證明，臺(tái)積電的20納米工藝的晶體管密度比英特爾的22納米更高。

　　英特爾從22納米過(guò)渡到14納米的時(shí)間實(shí)在過(guò)漫長(zhǎng)，這點(diǎn)不假，而且英特爾也意識(shí)到了，在工藝制程技術(shù)同步發(fā)展的過(guò)程中，晶體管密度的競(jìng)爭(zhēng)相當(dāng)重要。事實(shí)上，面對(duì)民間乃至業(yè)界廣為談?wù)摰恼`導(dǎo)性話題，英特爾并沒(méi)有刻意的做任何回應(yīng)，但當(dāng)英特爾正式公布自家14納米技術(shù)時(shí)，才真正確定了不可動(dòng)搖的領(lǐng)先地位。

　　下圖為英特爾官方提供的邏輯面積比例圖：

　　從這個(gè)英特爾的圖來(lái)看，英特爾承認(rèn)自家的32納米不如28納米工藝，主要是指柵極與柵極之間的間距前者不如后者。再到22納米與20納米工藝的對(duì)比，結(jié)果亦是如此。不過(guò)，確實(shí)只有在14納米和16納米工藝節(jié)點(diǎn)，才超過(guò)了其余競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手，確立起領(lǐng)先的地位。

　　所以，三星和臺(tái)積電所說(shuō)的都是事實(shí)，這兩大越來(lái)越出色的芯片代工廠在20納米制程時(shí)代確是領(lǐng)先于英特爾22納米。但不可否認(rèn)英特爾新一代14納米更為出色，至少晶體管密度的優(yōu)勢(shì)上超過(guò)了其他對(duì)手的14/16納米工藝節(jié)點(diǎn)。