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中國(guó)砸240億美元躍進(jìn)3D NAND閃存時(shí)代

作者: 時(shí)間:2016-03-24 來源: 超能網(wǎng) 收藏
編者按:國(guó)內(nèi)終于要有了存儲(chǔ),剩下的問題就是國(guó)產(chǎn)閃存應(yīng)該如何與三星、Intel、東芝們競(jìng)爭(zhēng)呢?初期的價(jià)格戰(zhàn)是不可避免的,但長(zhǎng)久來看還得是技術(shù)立足。

  中國(guó)把半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)作為命脈來抓,國(guó)內(nèi)最大也是最先進(jìn)的芯片廠即將在武漢開工,總計(jì)耗資240億美元,預(yù)計(jì)在2017年到2018年開始生產(chǎn),而且中國(guó)國(guó)產(chǎn)芯片會(huì)跳過2D NAND閃存直接進(jìn)入閃存時(shí)代,起點(diǎn)可不低。不過在市場(chǎng)上,四大豪門已經(jīng)積累太多優(yōu)勢(shì)了,其中三星一家的產(chǎn)能就占到了40%,國(guó)產(chǎn)NAND閃存要想打開市場(chǎng),面臨的難度可想而知。

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/201603/288700.htm



  集邦科技公布的全球主要的閃存芯片供應(yīng)商報(bào)告中,三星2015年的NAND產(chǎn)能約為484.5萬片晶圓,主流工藝是16nm。在3D NAND閃存上,三星是全球量產(chǎn)最早的供應(yīng)商,2013年就量產(chǎn)V-NAND閃存了,當(dāng)時(shí)還是32層堆棧的(第一代24層堆棧的沒有規(guī)模量產(chǎn)),之后三星又推出了48層堆棧的第三代V-NAND閃存,并與去年底開始量產(chǎn)。



  集邦科技公布的全球主要NAND廠商的產(chǎn)能及份額

  三星在中國(guó)西安投資70億美元建設(shè)新一代晶圓廠,主產(chǎn)的就是3D NAND閃存,在如此龐大的投資下,三星西安工廠去年1-8個(gè)產(chǎn)值就達(dá)到了115億元。根據(jù)集邦科技的分析,三星在2016年有可能占到全球3D NAND閃存市場(chǎng)的40.8%份額,絕對(duì)是一家獨(dú)大。

  SK Hynix去年的產(chǎn)能約為249萬片晶圓,主流工藝也是16nm,他們的3D NAND閃存芯片要在今年Q1季度才能量產(chǎn),主要36層堆棧的MLC及48層堆棧的TLC閃存,3D NAND閃存市場(chǎng)份額預(yù)計(jì)為3.3%。

  東芝/閃迪去年的產(chǎn)能約為588萬片晶圓,主流工藝是15nm,不過3D NAND閃存也是要到今年Q1季度量產(chǎn),主要是48層堆棧的MLC/TLC閃存,今年預(yù)計(jì)份額為5.4%。

  美光/Intel合資的IMFT公司去年產(chǎn)能219.5萬片晶圓,主流工藝為16nm,去年Q4季度開始量產(chǎn)32層堆棧的MLC/TLC閃存,預(yù)計(jì)今年的份額為17.6%。

  此外,Intel雖然與美光合資生產(chǎn)閃存,但去年已經(jīng)決定把中國(guó)大連的Fab 65工廠從芯片組生產(chǎn)轉(zhuǎn)向閃存制造,總計(jì)投資55億美元,分析認(rèn)為投產(chǎn)的產(chǎn)品很可能是Intel非常倚重的3D XPoint閃存。

  隨著三星、Intel等國(guó)際公司擴(kuò)大中國(guó)晶圓廠的3D NAND閃存產(chǎn)能,中國(guó)大陸所占的3D NAND產(chǎn)能有可能從目前的8%提高到2017年的超過10%。

  另一方面,中國(guó)本土自建的國(guó)產(chǎn)NAND工廠本月底正式動(dòng)工,預(yù)計(jì)2017年到2018年正式建成投產(chǎn),由武漢新芯科技公司負(fù)責(zé)運(yùn)營(yíng),而且所生產(chǎn)的芯片直接進(jìn)入3D NAND閃存時(shí)代,技術(shù)來源是飛索半導(dǎo)體,但不確定他們的3D NAND閃存具體是什么工藝,技術(shù)水平與三星、Intel相比如何。

  國(guó)產(chǎn)芯片晶圓廠的產(chǎn)能目標(biāo)是每月20萬片晶圓,算起來一年就是240萬片了,差不多達(dá)到了SK Hynix現(xiàn)在的水平,不過月產(chǎn)20萬片晶圓的目標(biāo)不是一蹴而就的,一座晶圓廠通常的月產(chǎn)能不過是數(shù)萬片,所以20萬片的月產(chǎn)能需要多年的產(chǎn)能建設(shè)才有可能。



關(guān)鍵詞: 3D NAND 存儲(chǔ)

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