華虹半導(dǎo)體90納米嵌入式閃存工藝平臺(tái)成功量產(chǎn)

　　全球領(lǐng)先的200mm純晶圓代工廠(chǎng)——華虹半導(dǎo)體有限公司3月6日宣布公司90納米嵌入式閃存(eFlash)工藝平臺(tái)已成功實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，基于該平臺(tái)制造的芯片以其尺寸小、功耗低、性能高的特點(diǎn)，具有很強(qiáng)的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。

　　華虹半導(dǎo)體自主研發(fā)的90納米低功耗(LP)嵌入式閃存(eFlash)工藝平臺(tái)，是國(guó)內(nèi)最先進(jìn)的200mm晶圓嵌入式存儲(chǔ)器技術(shù)，可與標(biāo)準(zhǔn)邏輯工藝完全兼容;在確保高性能和高可靠性的基礎(chǔ)上，提供了極小面積的低功耗Flash IP;具有極高集成度的基本單元庫(kù)，與0.11微米eFlash工藝相比，門(mén)密度提升30%以上?；谶@些優(yōu)點(diǎn)，華虹半導(dǎo)體90納米eFlash工藝的芯片面積較0.11微米eFlash工藝平臺(tái)，減小30%以上，再加上較低的光罩成本優(yōu)勢(shì)，能夠?yàn)镾IM卡、Ukey、SWP、社保卡、交通卡等智能卡和安全芯片產(chǎn)品以及MCU產(chǎn)品提供極佳性?xún)r(jià)比的芯片制造技術(shù)解決方案。

　　華虹半導(dǎo)體嵌入式非易失性存儲(chǔ)器平臺(tái)是公司最重要的戰(zhàn)略工藝平臺(tái)之一，從0.35微米、0.18微米、0.11微米，到現(xiàn)在的90納米，一路走來(lái)，始終保持著業(yè)界領(lǐng)先地位，穩(wěn)定可靠的工藝平臺(tái)為多家客戶(hù)提供了優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品，受到客戶(hù)廣泛認(rèn)可。同時(shí)，公司通過(guò)持續(xù)在該技術(shù)領(lǐng)域的深耕發(fā)展，已成為智能卡IC生產(chǎn)領(lǐng)域的技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者、全球最大的智能卡IC代工者。

　　華虹半導(dǎo)體執(zhí)行副總裁孔蔚然博士表示，華虹半導(dǎo)體是嵌入式非易失性存儲(chǔ)器制造工藝技術(shù)方面的專(zhuān)家，能夠在相對(duì)更小的芯片上發(fā)揮卓越性能。相信90納米eFlash工藝的成功量產(chǎn)將推動(dòng)新一代應(yīng)用的快速發(fā)展。公司將通過(guò)進(jìn)一步縮小Flash基本存儲(chǔ)單元、提升基本單元庫(kù)的集成度、并減少光罩層數(shù)，持續(xù)追求具有更小芯片和更低成本的解決方案，繼續(xù)成為智能卡及微控制器等多種快速發(fā)展的嵌入式非易失性存儲(chǔ)器應(yīng)用的首選半導(dǎo)體代工公司。