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傳三星邀協力廠研發(fā)EMI遮蔽制程 意在瞄準蘋果NAND訂單

作者: 時間:2016-04-22 來源:Digitimes 收藏

  傳聞電子(Samsung Electronics)半導體暨裝置解決方案事業(yè)部(DS)正與多家業(yè)者共同進行EMI遮蔽制程研發(fā),有意重啟對蘋果(Apple)供應 Flash存儲器,過去4年來電子與蘋果的 Flash交易中斷。

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/201604/290084.htm

  據韓媒ET News報導,日前業(yè)界表示,電子正與PROTEC、諾信(Nordon Asymtek)、韓松化學(Hansol Chemical)、Ntrium等多家點膠機(Dispense)業(yè)者,共同研發(fā)以噴涂(Spray)方式進行EMI遮蔽制程。

  其中,PROTEC與諾信負責研發(fā)設備;韓松化學與Ntrium負責研發(fā)液態(tài)遮蔽材料。研發(fā)完成后,三星電子就可在 Flash封裝覆蓋一層EMI遮蔽膜,并且對蘋果iPhone供貨。三星電子計劃在2017年達成這項目標。

  蘋果從2012年9月推出的iPhone 5開始,要求用于iPhone的NAND Flash封裝,必須要有防電磁波干擾(Electro Magnetic Interference;EMI)遮蔽技術。由于三星電子無法滿足蘋果的規(guī)格要求,之后蘋果便未采用三星電子生產的NAND Flash存儲器。

  半導體芯片EMI遮蔽是指,在封裝表面覆蓋一層超薄金屬材質的制程?,F行采用的方式是以濺鍍機(Sputter),利用電漿(Plasma)將超薄金屬遮蔽材料均勻的蒸鍍在表面。

  目前搭載于iPhone的NAND Flash封裝是采LGA(Land Grid Array)。LGA是封裝的底部有針腳的形式,因裝配到印刷電路板(PCB)時,針腳與電路板的插孔緊密貼合,因此在EMI遮蔽制程只需在上半部進行。

  三星電子認為,BGA(Ball Grid Array)形式封裝的底部呈現球狀(Ball),若以濺鍍方式進行EMI遮蔽,會產生許多空隙,不容易完整包覆。以噴涂(Spray)制程進行EMI遮蔽,能順利將BGA的球狀部分完整覆蓋。

  噴涂設備的優(yōu)點是比濺鍍機便宜。一組濺鍍機的設備若要50億韓元(約438.20萬美元),噴涂設備只需7~8億韓元即可購得。不僅如此,用于噴涂的材料價格也較便宜,可節(jié)省制程費用。業(yè)界認為,就體積與重量而言,BGA也比LGA來得有利。

  三星電子打算重新對蘋果供應NAND Flash,主要是因為最近存儲器市場開始出現供給過剩的現象。若2017年三星電子平澤新廠也投入3D NAND Flash量產,整個NAND Flash市場就可能發(fā)生供過于求的問題,因此三星電子必須趕緊開辟新訂單。

  SK海力士(SK Hynix)將供應蘋果iPhone用的NAND Flash芯片封裝委托給日月光進行。據了解,目前也和三星電子研發(fā)將同的EMI遮蔽解決方案。

  采用EMI遮蔽技術能減少電磁波干擾,降低電子產品出錯的機率,電路板也可設計的更精密,芯片間的距離也可縮短。如此一來,機體內部騰出的多余空間可用于擴充電池容量,延長機器使用時間。

  蘋果從iPhone 5開始在內建無線電頻率(Radio Frequency;RF)芯片與高時頻控制器的NAND Flash封裝上采用EMI遮蔽技術。在2016年上市的iPhone 7內,更將EMI遮蔽技術擴大應用到內部大部分的芯片上。



關鍵詞: 三星 NAND

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