三星西安廠事故導(dǎo)致NAND價格爆沖22%

　　因中國大陸、中國臺灣智能手機廠商紛紛強化產(chǎn)品功能、帶動記憶體需求大增，加上三星電子西安工廠6月因附近變電廠爆炸而一度停工，帶動使用于智能手機、記憶卡的NAND型快閃記憶體(Flash Memory)交易價格轉(zhuǎn)趨走揚，指標(biāo)性產(chǎn)品6月份批發(fā)價在1個月期間內(nèi)飆漲22%。

　　報道指出，6月份MLC(Multi-Level Cell)類型64Gb NAND價格揚升至每個2.75美元、為2年9個月以來首度走升，其中也有部分交易價格超過3美元，且進入7月以來價格仍持續(xù)走揚。據(jù)英國調(diào)查公司指出，2016年全球NAND整體出貨量預(yù)估將年增3成至超過100億個。

　　據(jù)報道，6月中旬三星位于西安的半導(dǎo)體工廠因附近變電廠爆炸導(dǎo)致電壓不足而一度停工，而該座工廠目前雖已重啟生產(chǎn)，不過據(jù)悉上述變電廠爆炸事件目前仍對供應(yīng)量帶來影響。三星西安工廠主要生產(chǎn)3D NAND Flash。

　　韓國媒體朝鮮日報日文版6月20日報道，三星關(guān)系人士表示，“就像鄰居水管破裂會造成水壓不足一樣，三星西安工廠部分半導(dǎo)體設(shè)備因感測到電壓下滑、而自動停工，西安工廠半導(dǎo)體產(chǎn)能約10%因此受到影響”。

　　BusinessKorea、韓國時報報道，消息人士透露，小米創(chuàng)辦人雷軍或?qū)w往韓國，會晤三星記憶體部門主管Jeon Young-hyun，預(yù)料會向三星加碼采購記憶體。

　　近來記憶體容量增大成了業(yè)界趨勢。三星Galaxy S7和LG G5都有4GB LPDDR4 DRAM和超過20GB NAND flash，小米尚未趕上，因此急尋供應(yīng)商，推測小米應(yīng)會向三星采購NAND flash。