三星年底前量產(chǎn)64層3D NAND
上周東芝及WD(西部數(shù)據(jù))宣布,已研發(fā)出堆疊64層的3D NAND Flash制程,并將于2017年上半年開(kāi)始量產(chǎn),不過(guò)恐怕仍無(wú)法超車NAND Flash市占王三星。外電報(bào)道,三星將搶先于今年底前開(kāi)始量產(chǎn)64層3D NAND,三星表示,目標(biāo)是今年生產(chǎn)4G V-NAND,可能意即為64層3D NAND。
本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/201608/294911.htmSSD(固態(tài)硬盤(pán))近年來(lái)制程技術(shù)演進(jìn),成本價(jià)格逐漸逼近硬盤(pán)(Hard disk),因此滲透率大增,各大廠陸續(xù)將生產(chǎn)DRAM產(chǎn)能逐漸轉(zhuǎn)向NAND Flash(儲(chǔ)存型快閃記憶體),大搶市占率,除了比市占更還要比技術(shù)。
東芝(Toshiba)及WD于日前同時(shí)發(fā)布新聞稿宣布,已領(lǐng)先全球研發(fā)出堆疊 64 層的 3D Flash 制程技術(shù),正式開(kāi)始向客戶送樣,預(yù)計(jì)將透過(guò)本月7月完工的日本四日市工廠“新第 2 廠房”量產(chǎn),量產(chǎn)時(shí)間都預(yù)計(jì)為2017年上半年。
當(dāng)時(shí)市場(chǎng)都解讀NAND Flash龍頭三星,因64層堆疊技術(shù)尚未有產(chǎn)出消息,因此認(rèn)為將被東芝及WD超車,但根據(jù)韓國(guó)媒體《Electronics Weekly》報(bào)道,三星表示,預(yù)計(jì)將于今年底前量產(chǎn)4G V-NAND及18納米制程的DRAM,目前進(jìn)展順利。
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