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手機芯片行業(yè)迎來寡頭競爭時代 10nm成“芯”焦點

作者: 時間:2016-08-17 來源:中國電子報 收藏
編者按:隨著博通、Marvell等芯片巨頭退出,手機芯片行業(yè)迎來了寡頭競爭時代,且競爭形勢呈愈演愈烈之勢。

  近日,高通公司繼旗艦產(chǎn)品驍龍820取得成功之后,有關(guān)下一代驍龍830的消息又開始浮出水面;聯(lián)發(fā)科則籍由Helio系列產(chǎn)品積極搶攻高通占優(yōu)的4G市場;展訊通信則喊出了2016年出貨量6億套片,其中LTE1億套片的目標(biāo)。此外,龍頭大廠間的市場競爭焦點也從以往的“低端搶市”轉(zhuǎn)向“中高端爭奪”,產(chǎn)品之爭則從“(內(nèi))核戰(zhàn)”轉(zhuǎn)向?qū)Α跋冗M工藝”等的爭奪。

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/201608/295603.htm

  市場競爭朝中高端延伸

  全球智能手機市場競爭越來越激烈,“寡頭競爭”趨勢已十分明顯。當(dāng)能夠生存下來的手機大廠都擁有了每年數(shù)億顆的出貨量,同時具備了強大開發(fā)實力之后,市場競爭的表現(xiàn)形式與此前也有所不同。如果說“群雄爭霸”時期,廠商的競爭焦點更多集中于低端市場,“寡頭”間的碰撞則不斷朝中高端市場延伸?!艾F(xiàn)在手機芯片廠商普遍開始重視高端市場,只有搶占高端市場,才有可能享受更高的利潤?!盙artner研究總監(jiān)盛陵海表示。

  高通公司的旗艦型產(chǎn)品驍龍820在2016年取得了不俗的成績,7月份剛剛發(fā)布該系列的新款驍龍821,不到一個月有關(guān)下一代驍龍830的消息又浮出水面。據(jù)稱,驍龍830的核心代號為MSM 8998,將會采用三星的制程工藝,同時集成更為先進的LTE Cat.16網(wǎng)絡(luò)調(diào)解器,理論上的下行速度達到1Gbps,產(chǎn)品有可能于2017年正式推上市場。

  不僅高通在持續(xù)強化旗艦產(chǎn)品的品牌效力,展訊通信在今年2月份的MWC展會上正式推出SC9860之后,也一直在重點宣傳這款64位8核的LTE芯片。展訊通信首席執(zhí)行官李力游表示:“可以看到,展訊之前的產(chǎn)品一直面向中低端市場,而現(xiàn)在我們將向中高端市場發(fā)力。”

  聯(lián)發(fā)科方面,根據(jù)華強電子產(chǎn)業(yè)研究所研究總監(jiān)潘九堂的微博分析,今年第二季度在中國大陸市場上,聯(lián)發(fā)科的4G芯片出貨量首次超過高通。這主要歸功于聯(lián)發(fā)科Helio系列中端產(chǎn)品,在線上和線下品牌中都取得了不俗的成績。

  工藝成新熱點

  兩三年前,最具代表性的智能手機芯片之爭,當(dāng)屬“內(nèi)核大戰(zhàn)”。很多消費者對此仍然記憶猶新。不過隨著處理器性能的提高,特別是目前市場上手機芯片廠商的研發(fā)實力都很強,單純的“內(nèi)核之爭”已經(jīng)很難拉開彼此間的差距,導(dǎo)致內(nèi)核之戰(zhàn)已經(jīng)降溫。

  相應(yīng)的,近來手機芯片廠商對先進制造工藝的爭奪又有漸趨激烈之勢,先進工藝正在成為智能手機芯片廠商比拼自身實力的陣地,在14/16納米節(jié)點之后,10納米正成為幾家巨頭下一波的競爭焦點。

  一方面,智能手機芯片廠商之所以如此積極采用先進工藝,有著技術(shù)上的迫切需求。展訊副總載康一在接受記者采訪時表示,一般而言不同的芯片制程工藝將導(dǎo)致芯片性能變化,制程越小,單位面積上可以集成的芯片越多,芯片性能將提升,同樣更小的芯片制程也意味著功耗的降低。由于智能手機對能耗以及尺寸上的苛求,是否具備低功耗甚至超低功耗設(shè)計技術(shù)和能力,將決定產(chǎn)品能否在移動設(shè)備中得到應(yīng)用。而先進工藝是降低產(chǎn)品功耗、縮小尺寸的重要手段。讓高端芯片更輕薄省電,將有助于提升手機廠商的產(chǎn)品均價與競爭力。

  另一方面,目前先進工藝產(chǎn)能相對緊張,目前全球具有14/16納米生產(chǎn)能力的晶圓代工企業(yè)只有三星、臺積電和英特爾三家,10納米產(chǎn)能更是只有到2017年才有望開出。搶抓先進產(chǎn)能,將可拉開與對手間的距離。同時,這也是一個很好的宣傳手段。

  綜合目前各廠商發(fā)布出來的消息,聯(lián)發(fā)科Helio X30處理器芯片將于2017年第一季量產(chǎn),采用臺積電10納米工藝;高通的驍龍830將會是采用三星的10納米工藝;三星電子的Exynos 8995,亦將采用10納米T工藝。


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