三星高管偷賣的14/10nm工藝 到底是什么機(jī)密？

　　除此之外，臺(tái)積電高管還爆料，最早采用FinFET的16納米工藝，原本計(jì)劃跟隨英特爾，稱為20納米FinFET。因?yàn)樵摴に嚨碾娋w最小線寬(half-pitch)與量產(chǎn)的前一代20納米傳統(tǒng)電晶體工藝差不多，只是換上全新的FinFET電晶體。然而，三星搶先命名為“14nm”!也就是說，三星的出現(xiàn)，擾亂了市場(chǎng)的命名的慣例。

　　10nm

　　在14nm上逐漸趕上英特爾的三星，在10nm的研究上，幾乎和強(qiáng)大的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手英特爾站在了同一起跑線上。

　　然而，10nm的研究，似乎并不順利。

　　按照英特爾的計(jì)劃，10nm預(yù)計(jì)在2015年就能推出，由于14nm工藝的跳票，打亂了時(shí)間節(jié)點(diǎn)，并且10nm的研究中可能遇到了不小的難題。

　　目前，英特爾10nm工藝已經(jīng)開始試產(chǎn)，并且表示將在2017年上半年量產(chǎn)10nm，在下半年發(fā)布10nm產(chǎn)品。

　　反觀三星，雖然在去年展示了10nm的晶圓，并表示將在2017年量產(chǎn)10nm工藝。但是到目前為止，幾乎沒什么動(dòng)靜。

　　與三星同為競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的臺(tái)積電卻是非常高調(diào)，宣布將在今年底開始量產(chǎn)10nm。這一點(diǎn)也是可以理解，畢竟與三星同為晶圓代工，誰先勝出，誰就能得到更多的代工業(yè)務(wù)。

　　不過，有專業(yè)人士透露，臺(tái)積電的十六納米等于英特爾的二十納米、十納米等于英特爾的十二納米……在這一方面，臺(tái)積電也是積極承認(rèn)。

　　納米工藝的進(jìn)步，使得我們?cè)谕瑯哟笮〉男酒?，能夠感受更?qiáng)大的性能;在運(yùn)行速度更快的同時(shí)，也更加省電;這些更小的晶體元件，只需要更低的導(dǎo)通電壓，能效也會(huì)隨之提升;最為重要的是，組件越小，同一片晶圓可切割出來的芯片就可以更多。即使更小的工藝需要更昂貴的設(shè)備，其投資成本也可以被更多的晶片所抵消。

　　未來，7nm，5nm甚至更小的納米制造工藝也會(huì)相繼出現(xiàn)，雖然有專家分析，目前10nm工藝或許將成為硅材料晶體管的物理極限。但英特爾等廠商不會(huì)停止不前，因?yàn)?，他們?duì)于“極限”的追求是永無止境的。