三星高管偷賣的14/10nm工藝 到底是什么機(jī)密?
據(jù)外媒報道,韓國警方近日逮捕了三星System LSI部門的一位李姓高管,原因是他將該公司的半導(dǎo)體技術(shù)機(jī)密(三星14nm、10nm工藝)賣給了某中國公司,而對方是三星電子的直接競爭對手(具體是誰未公開)。
本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/201609/310309.htm傳言稱,14nm工藝非常卓越,GF、AMD等著名廠商對其非常依賴。掌握了這項工藝,甚至更先進(jìn)的10nm工藝,也就掌握了未來芯片行業(yè)的話語權(quán)。
14/10nm究竟是什么?
這還得從處理器的基本組成說起。一般來說,一顆微處理器是由不同材料制成的許多“層”堆疊起來的電路,里面包含了晶體管、電阻器、以及電容器等微小元件。這些微小元件用肉眼很難看清楚,因為它們的尺寸非常之小,并且數(shù)量之多,密集的讓人難以想象。
這些小元件整齊的排列在一塊“板子”上,它們相互之間都有縫隙,這個縫隙實質(zhì)就是元件與元件之間的距離,這個距離一般用毫微米進(jìn)行衡量。后來納米概念誕生后,就一直沿用“納米”(nanometers)來描述這個距離。
也就是說,14/10nm其實就是芯片上元件間的間距,這個間距越小,排列在芯片上的元件就越多。這意味著性能更加強(qiáng)大,能效表現(xiàn)更為優(yōu)異。
這也是英特爾、三星等一直追求14nm、10nm甚至是7nm的原因。
14nm的誕生
在2014年,當(dāng)大部分廠商還在研究22nm的FinFET工藝時,英特爾已經(jīng)推進(jìn)到了14nm工藝。在芯片行業(yè)的推進(jìn)上,英特爾可以說是獨步天下。
從2007年的45nm工藝,到2009年的32nm工藝,到2011年的22nm工藝,再到2014年的14nm工藝,無與倫比的先進(jìn)制造工藝,讓全球廠商為之眼紅。
然而,看似風(fēng)光的英特爾,在推進(jìn)過程中也遇到不少難題。據(jù)英特爾稱,他們本該2013年底時就會推出14nm的測試芯片,并于2014年開始量產(chǎn),但實際比原推進(jìn)計劃晚了幾個季度。由于14nm工藝良品率初期低得要命,直到2014年第二季度末才達(dá)到量產(chǎn)標(biāo)準(zhǔn)。
三星的14nm工藝
在2014年底,也就是英特爾的14nm工藝推出沒幾個月,三星就直接宣布進(jìn)入14nm工藝。
這前所未有的舉動在業(yè)界瞬間轟動了起來,甚至連英特爾都坐不住了。要知道,在這之前,英特爾的制造工藝在業(yè)內(nèi)是處于絕對領(lǐng)先的地位的。
三星此舉讓同為競爭對手的臺積電也自愧不如,但隨后又爆出猛料,稱該公司前員工加入三星后,將TSMC自家的28nm工藝泄露給了三星,這對于三星14nm工藝進(jìn)度起了至關(guān)重要的作用。
這樣說也無可厚非,畢竟三星可是跳過了20nm,直接進(jìn)入了14nm工藝,并且據(jù)臺積電稱,三星的14nm工藝帶有臺積電的技術(shù)特性。
看來,三星的14nm工藝并不純正。
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