臺積電晶圓代工領(lǐng)先英特爾1年！明后年獨霸10、7納米

　　臺積電、英特爾在晶圓代工領(lǐng)域正面對決，英特爾在8月宣布跟設(shè)計手機、汽車芯片的安謀(ARM Holdings)敲定代工協(xié)議，看似躍進一大步，但分析人士認為，英特爾整體晶圓代工能力仍落后臺積電一年之久，短期內(nèi)難以對臺積電造成實質(zhì)威脅。

　　美系外資發(fā)表研究報告指出，臺積電在技術(shù)、處理ARM制程的能力、晶圓產(chǎn)能、成本結(jié)構(gòu)、生產(chǎn)彈性、資產(chǎn)負債表和整體價值方面，都比英特爾來得強勢。雖然英特爾微處理器的科技、制程都較佳，但晶圓代工能力卻落后微處理器制造技術(shù)至少兩年，因此大概比臺積電晚了一年左右。也就是說，英特爾短期內(nèi)難以對臺積電產(chǎn)生實質(zhì)威脅。

　　相較之下，臺積電的10納米、7納米制程技術(shù)雖落后英特爾，但臺積電比英特爾提前1-2年跨入7納米制程，可借此縮短兩家公司的差距。臺積電在獨家封裝技術(shù)“整合型扇出型封裝”(integrated fan-out，InFO)的協(xié)助下，有望在2017年、2018年霸占10納米和7納米晶圓代工市場。

　　最新消息顯示，臺積電內(nèi)部預(yù)估，7納米最快明(2017)年4月就可開始接受客戶下單。

　　臺積電研發(fā)單位已在內(nèi)部會議中，揭露未來幾年的最新研發(fā)藍圖，根據(jù)幾名資深高層的說法，該公司今年底就會轉(zhuǎn)換至10納米，7納米則會在明年試產(chǎn)、估計明年4月就可接單，而16納米FinFET compact制程(FFC，比16FF+更精密)也將在今年導(dǎo)入。7納米制程可大幅提升省電效能(時脈約3.8Ghz、核心電壓(vcore)達1V)，臨界電壓(threshold voltage)最低可達0.4V，適用溫度約為150度。

　　報道稱，跟16FF+相較，10納米FinFET制程可讓芯片尺寸縮小50%、運算效能拉高50%、耗電量降低40%。相較之下，7納米(采的應(yīng)該是FinFET制程)的運算效能只能拉高15%、耗電量降低35%，電晶體密度增加163%，改善幅度遠不如10納米。這是因為，臺積電的10納米FinFET制程大約等同英特爾的14納米，7納米制程則大致跟英特爾的10納米相當、甚至較遜。

　　有報道稱，臺積電高層在本周的SEMICON Taiwan國際半導(dǎo)體展表示，7納米制程有望在2018年Q1放量生產(chǎn)。臺積電從2014年初開始投入7納米制程研究，預(yù)定2017年上半進入風險生產(chǎn)(Risk Production)，再過一年后量產(chǎn)，搭載7納米芯片的消費產(chǎn)品應(yīng)可同時上市。