Intel以色列廠明年初導入10nm

　　英特爾(Intel Corp.)的晶圓代工制程進度雖然落后臺積電(2330)，但專家分析，英特爾穩(wěn)扎穩(wěn)打，14奈米、10奈米制程今(2016)年底前的擴充進度都相當不錯。圖為英特爾執(zhí)行長科再奇(Brian Krzanich)。

　　barron`s.com 3日報導，BlueFin Research Partners分析師Steve Mullane在觀察過英特爾各大半導體材料供應商的生產數據后指出，英特爾正在持續(xù)減少新墨西哥州Fab 11X廠、亞利桑那州Fab 32廠的產能，而以色列的Fab 28則預備要在明年初導入10奈米制程。

　　報告并稱，位于奧勒岡、亞利桑那和愛爾蘭的三座高產能廠房，14奈米制程的產能還在持續(xù)增加中，至于Fab 11X廠的老舊制程則明顯降低。

　　英特爾才剛在9月發(fā)布采用14奈米制程、“Kaby Lake”架構的第七代Core系列處理器，最近還預測7-9月當季營收有望成長15%，以此來看，英特爾在資料中心/物聯網(IoT)/記憶體的長期發(fā)展依舊相當不錯。

　　先前有外資指出，臺積電的晶圓代工能力，大約比英特爾領先一年。

　　barron`s.com 9月27日報導，美系外資發(fā)表研究報告指出，臺積電在技術、處理ARM制程的能力、晶圓產能、成本結構、生產彈性、資產負債表和整體價值方面，都比英特爾 來得強勢。雖然英特爾微處理器的科技、制程都較佳，但晶圓代工能力卻落后微處理器制造技術至少兩年，因此大概比臺積電晚了一年左右。也就是說，英特爾短期 內難以對臺積電產生實質威脅。

　　相較之下，臺積電的10奈米、7奈米制程技術雖落后英特爾，但臺積電比英特爾提前1-2年跨入7奈米制程，可藉此縮 短兩家公司的差距。臺積電在獨家封裝技術“整合型扇出型封裝”(integrated fan-out，InFO)的協助下，有望在2017年、2018年霸占10奈米和7奈米晶圓代工市場。

　　WCCFtech 9月25日報導，臺積電研發(fā)單位已在內部會議中，揭露未來幾年的最新研發(fā)藍圖，根據幾名資深高層的說法，該公司今年底就會轉換至10奈米，7奈米則會在明 年試產、估計明年4月就可接單，而16奈米FinFET compact制程(FFC，比16FF+更精密)也將在今年導入。7奈米制程可大幅提升省電效能(時脈約3.8Ghz、核心電壓(vcore)達 1V)，臨界電壓(threshold voltage)最低可達0.4V，適用溫度約為150度。