中國發(fā)展存儲器產(chǎn)業(yè) 觸動了韓國的神經(jīng)？

　中國大陸存儲將面臨更大壓力

　　從上面的介紹中我們得知，存儲產(chǎn)業(yè)主要由DRAM 和FLASH 兩種產(chǎn)品組成。而在這兩方面，韓國兩家企業(yè)都有領(lǐng)先的優(yōu)勢，這些都不可能是一蹴而就的。

　　首先從成本上分析一下。

　　研究機(jī)構(gòu)Bernstein Research 表示，存儲產(chǎn)業(yè)為典型資本密集與技術(shù)密集產(chǎn)業(yè)。先從資本談起，光土地、廠房不含設(shè)備，可能就得耗掉32~42 億人民幣，研究機(jī)構(gòu)Bernstein 預(yù)估，若要取得DRAM 或NAND Flash 其中一個(gè)市場的一席之地，至少需15% 左右的市占，以2014 年第四季產(chǎn)能來估算，一個(gè)月產(chǎn)出得達(dá)20 萬片(資本支出大約在200 億美元，約1352 億人民幣左右)。

　　在追逐市占的過程中，若產(chǎn)能一個(gè)月增加到20 萬片的幅度，市場將出現(xiàn)超額供給，對于初期生產(chǎn)成本較高的新進(jìn)者而言，價(jià)格會掉到成本以下，新進(jìn)者即便前面16~ 24 個(gè)月之間投入200 億美元以上的資本支出，十年內(nèi)仍會落后產(chǎn)業(yè)先進(jìn)者一個(gè)世代以上。

　　Bernstein 預(yù)估，新進(jìn)者投入DRAM 產(chǎn)業(yè)，將得承受前面十年400 億美元(約2703 億人民幣)的虧損，投入NAND 產(chǎn)業(yè)前面十年也要有面臨350 億美元(約2365 億人民幣)損失的心理準(zhǔn)備。

　　因此從資金投入上看，對中國存儲產(chǎn)業(yè)的發(fā)展就是一個(gè)大挑戰(zhàn)。雖然有國家的支持，但這也是一筆不少的支出。

　　其次就是技術(shù)。

　　我們知道三星和SK 海力士能夠從諸多競爭對手中突圍而出，除了其雄厚的資金做支持外，他們在技術(shù)上面的積累也異常重要。韓國半導(dǎo)體業(yè)界普遍認(rèn)為，中國大陸在DRAM 和NAND Flash 的技術(shù)與三星電子和SK 海力士的技術(shù)相差甚遠(yuǎn)，難以在短時(shí)間內(nèi)趕上。

　　這不但體現(xiàn)在其技術(shù)、基礎(chǔ)積累，更體現(xiàn)在其專利上。三星等企業(yè)已經(jīng)在存儲器方面布下了嚴(yán)密的專利網(wǎng)，對于中國企業(yè)來說，是一個(gè)巨大的挑戰(zhàn)。

　　很多國內(nèi)媒體認(rèn)為，3D NAND Flash 會是中國的突圍方向。我們不妨來看一下這方面的差距。

　　現(xiàn)在各家半導(dǎo)體大廠的3D NAND 技術(shù)早已如火如荼在開發(fā)中，目前進(jìn)入32 層堆疊技術(shù)，業(yè)界都認(rèn)為2017 年下半是3D NAND 產(chǎn)能大量開出之時(shí)，目前看來時(shí)間點(diǎn)是對的，但各家半導(dǎo)體大場面臨的考驗(yàn)恐怕會比預(yù)期艱巨數(shù)倍。

　　過去平面NAND Flash 芯片朝兩方面前進(jìn)，一是陸續(xù)有SLC 、MLC 、TLC 型NAND Flash 芯片的演進(jìn)來提高儲存容量并降低成本;二是制程技術(shù)不斷往前，目前已經(jīng)進(jìn)入18/16/15 納米制程，但無法否認(rèn)的是，技術(shù)前進(jìn)的同時(shí)，其NAND Flash 的氧化層越薄，芯片可靠性是遞減的，因此需要用額外的方式來增強(qiáng)效能，這又使得成本提升，因此，平面NAND Flash 技術(shù)已無法滿足市場需求，開始進(jìn)入3D NAND 時(shí)代。

　　進(jìn)入3D NAND 技術(shù)后，制程技術(shù)的演進(jìn)成為其次，堆疊層數(shù)才是重點(diǎn)，層數(shù)越高會使儲存容量越大。不過，當(dāng)堆疊層數(shù)越高時(shí)，各層對準(zhǔn)的技術(shù)就很困難，定位技術(shù)必須做的好，因?yàn)槎言礁邥诫y對準(zhǔn)。

　　三星曾對外表示，不久將來會看到100 層堆疊的技術(shù)出現(xiàn)。根據(jù)業(yè)界進(jìn)度，2017 年3D NAND 技術(shù)會到80 層，2020 年到100 層，至于3D NAND 技術(shù)的堆疊極限在哪里里，各界也有不同的看法，有人甚至認(rèn)為可堆到200 層，但以目前技術(shù)挑戰(zhàn)而言，真的堆疊到200 層，恐怕對準(zhǔn)的精準(zhǔn)度是很大考驗(yàn)，可能良率也不見得太好，即使是2020 年到100 層，恐怕難度都很高。

　　三星在3D NAND 技術(shù)世代上仍是龍頭廠，是全球第一家量產(chǎn)3D NAND 技術(shù)的半導(dǎo)體廠，技術(shù)演進(jìn)也最扎實(shí)。三星在2013 年推出24 層疊的3D NAND 芯片，之后32 層堆疊、48 層堆疊的芯片陸續(xù)問世。

　　三星計(jì)劃今年第4 季轉(zhuǎn)進(jìn)第四代64 層堆疊技術(shù)的3D NAND 芯片，估計(jì)每片晶圓的儲存容量再提高30% ，意味成本持續(xù)下降，三星也對外指出，100 層堆疊以上的技術(shù)不是夢。

　　而在DRAM 方面，同樣以三星為例。

　　BusinessKorea 31 日報(bào)導(dǎo)，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)透露，三星內(nèi)存部門今年初量產(chǎn)18納米制程DRAM ，準(zhǔn)備在明年下半生產(chǎn)15 、16 納米DRAM 。同時(shí)，該公司將拉高18 納米DRAM 占整體DRAM 的生產(chǎn)比重，目標(biāo)明年下半提高至30~40% 。相關(guān)人士說，明年三星10 納米等級DRAM ，將占整體DRAM 生產(chǎn)的一半。

　　研究估計(jì)，當(dāng)前三星DRAM 生產(chǎn)以20 納米為主、占82% ，18 納米僅占12% 。

　　三星制程微縮進(jìn)展比原先預(yù)期更為快速，內(nèi)存部門主管Chung Eun-seung 2015 年初暗示，2020 年將量產(chǎn)10 納米等級DRAM ，如今看來，應(yīng)該2019 年初就能達(dá)成目標(biāo)。

　　本身三星的SK 海力士的發(fā)展是由韓國政府在背后的支持而發(fā)展起來的，在中國在效仿韓日，想打造自己的存儲產(chǎn)業(yè)的時(shí)候，甚至用九倍年薪從韓國挖人，積累技術(shù)儲備的時(shí)候，上任以來一直在打擊三星的樸槿惠政府這時(shí)候走出來支持三星和SK 海力士，無疑釋放出了一個(gè)明顯的信號，政府支持三星和SK海力士對抗來自中國的威脅，雖然十幾億人民幣的基金跟中國上千億的基金規(guī)模沒得比，但是由于其本身的技術(shù)積累，對于中國存儲來說，韓國政府的這個(gè)做法，也會讓其感到不安。

　　難道當(dāng)年韓國打擊臺灣DRAM 發(fā)展的故事又將重演?

　　在2008 年金融海嘯發(fā)生以后，當(dāng)年臺灣DRAM 技術(shù)的主要來源無能力投入更多的資金進(jìn)行研發(fā)之時(shí)，三星李健熙逮到機(jī)會，執(zhí)行三星最常用的逆勢投資法，在臺日兩國停止投資后，反而增加資本支出、強(qiáng)化研發(fā)支出，加速推進(jìn)制程技術(shù)及價(jià)格戰(zhàn)，這也造成后來爾必達(dá)及臺灣DRAM 廠紛紛宣布破產(chǎn)下市。

　　中國在各個(gè)方面技術(shù)還不如臺灣的情況下，這下在面臨的挑戰(zhàn)無疑是更加巨大了。

　　雖然面臨的挑戰(zhàn)依然巨大，但對于中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)來說，存儲的重要性是毋庸置疑的，因此多艱難也要砥礪前行。中國大陸或可繼承臺灣未竟之事業(yè)，打造真正的中國存儲。