中國(guó)發(fā)展存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè) 觸動(dòng)了韓國(guó)的神經(jīng)？

　　據(jù)報(bào)道，在韓國(guó)政府主導(dǎo)下，三星電子和SK 海力士統(tǒng)籌成立了一個(gè)總規(guī)模達(dá)2000 億韓元(約11.8 億人民幣)的基半導(dǎo)體希望基金，投資一些具發(fā)展?jié)摿Φ陌雽?dǎo)體相關(guān)企業(yè)。

　　業(yè)內(nèi)人士分析，韓國(guó)的半導(dǎo)體希望基金金額規(guī)模雖然不大，但這個(gè)意義是非常大，因?yàn)槭怯身n國(guó)兩大企業(yè)領(lǐng)銜。同時(shí)由于資金有限，這個(gè)基金的方向應(yīng)該不是在于建設(shè)新廠，擴(kuò)充產(chǎn)能，更多是聚焦在新技術(shù)的開發(fā)，尤其是存儲(chǔ)新技術(shù)方面的投入。

　　報(bào)導(dǎo)引述南韓企劃財(cái)務(wù)部副部長(zhǎng)周亨煥談話指出，期許“半導(dǎo)體希望基金”，能成為促進(jìn)南韓系統(tǒng)半導(dǎo)體企業(yè)發(fā)展的催化劑。

      過(guò)去幾年內(nèi)中國(guó)正在大舉發(fā)展半導(dǎo)體，尤其是最近一年，密集的推出相關(guān)的存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)園布局和建設(shè)，直指三星和SK 海力士的大本營(yíng)，韓國(guó)半導(dǎo)體的腹地。

　　在這個(gè)時(shí)候做這樣的決定，韓國(guó)政府這是緊張了?

　　中國(guó)進(jìn)攻存儲(chǔ)，觸動(dòng)了韓國(guó)的神經(jīng)

　　從2014 年建立國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金，再到去年公布“中國(guó)制造2025 ”，中國(guó)政府已經(jīng)把建設(shè)自主可控的集成電路產(chǎn)業(yè)鏈提上了重要的地位。而在這兩年的對(duì)外收購(gòu)兼并，對(duì)內(nèi)投資建設(shè)推動(dòng)下，中國(guó)半導(dǎo)體獲得了飛速發(fā)展。

　　據(jù)媒體報(bào)道，中國(guó)大陸IC 產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值從2010 年210.3 億美元逐年成長(zhǎng)至2015 年579.7 億美元，2010~2015 年復(fù)合成長(zhǎng)率達(dá)19.1% 。Digitimes Research 預(yù)估，雖然智能手機(jī)出貨量成長(zhǎng)趨緩，加上全球經(jīng)濟(jì)前景不確定性仍高，但在大陸IC 內(nèi)需市場(chǎng)仍能穩(wěn)定成長(zhǎng)，加上半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)政策支持推動(dòng)下，2016 年大陸IC 產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值將達(dá)666.4 億美元，年成長(zhǎng)15% 。

　　在IC 設(shè)計(jì)、制造、封裝、測(cè)試多個(gè)領(lǐng)域齊頭并進(jìn)的時(shí)候，中國(guó)半導(dǎo)體將觸角伸向了存儲(chǔ)領(lǐng)域，相信這是引致這次韓國(guó)成立半導(dǎo)體基金的主要誘因。

　　從去年的全球半導(dǎo)體市場(chǎng)看，半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的銷售額為772 億美元，在半導(dǎo)體市場(chǎng)中占比為23% 。相比之下，微處理器、邏輯IC 和模擬電路的市場(chǎng)占比則分別為19% 、28% 和13% 。由此可見，存儲(chǔ)的地位舉足輕重。

　　但對(duì)比明顯的是，中國(guó)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)幾近一片空白，除了兆易創(chuàng)新等幾家公司在特殊領(lǐng)域有一些存儲(chǔ)器產(chǎn)品，其他通用領(lǐng)域近乎于無(wú)，所以90% 以上依賴進(jìn)口。據(jù)市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)，2015 年中國(guó)DRAM 采購(gòu)金額約為120 億美元，NAND Flash 采購(gòu)金額為66.7 億美元，各占全球DRAM 和NAND 供貨量的21.6% 和29.1% ，在未來(lái)幾年需求將會(huì)暴增，為了控制成本，保證安全，中國(guó)于是開始打造自主存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)鏈，從而掀起了轟轟烈烈的存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)建設(shè)熱潮。

　　目前主要集中在合肥、晉江和武漢等地方布局。

　　據(jù)了解，合肥當(dāng)?shù)氐拇鎯?chǔ)業(yè)務(wù)由合肥市政府與爾必達(dá)前社長(zhǎng)坂本幸雄所建立的兆基科技合作推進(jìn)，瞄準(zhǔn)的是DRAM ;

　　晉江方面則是由晉江當(dāng)?shù)氐臅x華集成電路公司主導(dǎo)，聯(lián)合聯(lián)華電子，在當(dāng)?shù)卮蛟霥RAM 產(chǎn)品線;

　　武漢則由紫光收購(gòu)武漢新芯建立的長(zhǎng)江存儲(chǔ)主導(dǎo)，而未來(lái)聚焦的是NAND FLASH ，尤其是新近興起的3D NAND Flash 。

　　中國(guó)的目標(biāo)是到2020 年存儲(chǔ)芯片自給率達(dá)到40% ，這將會(huì)觸犯三星和SK 海力士為首的韓國(guó)半導(dǎo)體業(yè)者的利益。

　　從韓國(guó)半導(dǎo)體的發(fā)展?fàn)顩r我們可以得知，他們目前的數(shù)百家半導(dǎo)體及其相關(guān)企業(yè)主要分為元件、設(shè)計(jì)、設(shè)備和材料幾類，當(dāng)中以存儲(chǔ)型半導(dǎo)體占比最大，據(jù)市場(chǎng)數(shù)據(jù)顯示，韓國(guó)的存儲(chǔ)型半導(dǎo)體占其半導(dǎo)體產(chǎn)值80% 以上的市場(chǎng)。而三星和SK 海力士則分居存儲(chǔ)器市場(chǎng)第一二名的位置。

　　據(jù)韓媒Money Today 報(bào)導(dǎo)，市調(diào)機(jī)構(gòu)IHS 資料顯示，2015 年三星DRAM 營(yíng)收為204.34 億美元，較2014 年186.61 億美元成長(zhǎng)9.5% ，首次突破200 億美元。雖然全球DRAM 市場(chǎng)規(guī)模由462.46 億美元萎縮至450.93 億美元，但三星營(yíng)收卻逆勢(shì)成長(zhǎng)。從整年度的市占率來(lái)看，三星占45.3% 創(chuàng)下歷史新高;而排名第二的SK 海力士(SK Hynix )為27.7% ，營(yíng)收124.89 億美元，較2014 年126.66 億美元減少，但市占率微幅增加。

　　值得一提的是三星電子自1992 年開發(fā)出64Mb DRAM 之后，連續(xù)24 年蟬聯(lián)DRAM 半導(dǎo)體全球市占率第一，NAND Flash 方面也自2002 年起就維持第一名到現(xiàn)在。

　　從八月份的一個(gè)數(shù)據(jù)我們得知，這兩家企業(yè)占了DRAM 全球市場(chǎng)份額的75% ，而在2015 年，兩者的NAND FLASH 全球市場(chǎng)份額也高達(dá)45% ，按今年7 月的數(shù)據(jù)，光三星一家，其2016 年第一季度的NAND FLASH 市場(chǎng)份額就高達(dá)42.6% 。這個(gè)比例有點(diǎn)驚人。

　　2015 年主要原廠NAND Flash 的市場(chǎng)份額

　　根據(jù)Digitimes 的數(shù)據(jù)顯示，2015 年，韓國(guó)半導(dǎo)體的半導(dǎo)體出口金額自2014 年626 億美元增加3 億美元至629 億美元，連續(xù)2 年創(chuàng)新高。其中存儲(chǔ)器的的出口金額雖然從2014 年340 億美元相對(duì)高點(diǎn)略減至338 億美元，但是其在韓國(guó)半導(dǎo)體出口中所占的份額則高達(dá)50% 以上，可見存儲(chǔ)器對(duì)韓國(guó)的重要性。

　　另外，我們從以往的數(shù)據(jù)可以看到，韓國(guó)的三星和SK 海力士在中國(guó)是僅次于Intel 的第二、第三位供應(yīng)商。由此可以看出，韓國(guó)理應(yīng)對(duì)中國(guó)建設(shè)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)緊張，進(jìn)而建立了這個(gè)半導(dǎo)體希望基金。