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華為P10陷“閃存門” UFS和eMMC一次說清楚

作者: 時間:2017-04-20 來源:OFweek 電子工程網 收藏
編者按:近日華為被曝出采用了三種不同規(guī)格的閃存,且這三種規(guī)格的閃存并沒有明確標明,隨機使用。一時之間華為P10陷入“閃存門”事件,令消費者大呼失望,那么為什么同樣是閃存,但是在讀取速度上有如此大的差異,有些網友可能不理解,那么我們來深度解析一下eMMC 5.1、UFS 2.0和UFS 2.1的區(qū)別。

  上市已有一段時間,憑借國產超強手機芯片麒麟960、第二代徠卡雙攝鏡頭、時尚靚麗的外觀等諸多特質,獲得了廣大消費的喜愛。但近日這款手機卻被曝出采用了三種不同規(guī)格的閃存,且這三種規(guī)格的閃存并沒有明確標明,隨機使用。一時之間陷入“閃存門”事件,令消費者大呼失望。

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/201704/358204.htm
華為P10陷“閃存門” UFS和eMMc一次說清楚


  事件回顧

  4月17日,企鵝自媒體“數碼殼兒”發(fā)布文章稱《偷工減料?兩版本閃存速度差四倍》。

  文章提到,華為P10發(fā)布會公布的讀寫速度顯示為800MB/s,但是網友軟件測試截圖卻顯示低檔為300MB/s左右,中檔為600MB/s左右,高檔為800MB/s!網友質疑是華為把eMMC 5.1、UFS 2.0和UFS 2.1混著用!

  之后微博、微信等其它社交平臺開始發(fā)酵,華為P10的閃存疑似采用MIC顆粒和TLC顆粒混用的消息傳開。

  出現問題之后,有用戶向客服提出質疑,華為官方客服以“商業(yè)機密”為由不予詳解閃存規(guī)格。

  另外,還有網友曬出客服維修單,聲稱售后是知道內存有三種規(guī)格,并且只要用戶要求換機,售后網點都會同意換機。

  官方回應原文如下:

  作為一家以技術和質量為核心生存理念的公司,華為始終致力于與業(yè)界領先的解決方案供應商合作,向消費者提供優(yōu)秀的產品體驗和服務。近期個別社交網絡上關于P10/P10 Plus閃存選用問題,我們同樣與業(yè)界多家優(yōu)秀的閃存解決方案供應商緊密合作,共同保障產品品質及用戶體驗,同時也是為了保障供應的穩(wěn)定。

  一部手機的體驗是否流暢,不是單純由某個單一部件性能決定的,而是由軟件系統(tǒng)和硬件系統(tǒng)綜合設計和優(yōu)化來決定。近年來,華為投入大量人力和物力,對麒麟芯片、EMUI、攝像及其它軟硬件系統(tǒng)進行深度優(yōu)化和技術研發(fā),以確保整機獲得流暢的用戶體驗。從而使得華為Mate和P系列多款旗艦產品深受全球消費者喜愛。

  過去很多年,業(yè)界一些評測機構都用不同跑分軟件來衡量一部機器的性能,但這并不能代表一部手機的綜合體驗和產品優(yōu)劣。同樣,用某些跑分軟件去測試單個閃存器件的相關性能,也不能準確反映出整部手機的系統(tǒng)能力和體驗感知,更不符合用戶的真實使用場景。華為一貫以提供用戶更好的體驗為理念,依據真實的用戶場景模型,對手機進行嚴格的體驗測試。希望廣大消費者能夠一如既往信賴華為品質,信賴華為品牌。

  UFS和eMMc都是啥?

  內存

  手機內存又稱作“隨機存儲器”,是與CPU直接交換數據的內部存儲器,也叫主存(內存)。它可以隨時讀寫,而且速度很快,通常作為操作系統(tǒng)或其他正在運行中的程序的臨時數據存儲媒介。這種存儲器在斷電時將丟失其存儲內容,故主要用于存儲短時間使用的程序。說人話,就是我們常說的手機運行內存。

  閃存

  閃存是一種長壽命的非易失性(在斷電情況下仍能保持所存儲的數據信息)的存儲器,即使斷電也不會丟失數據,數據刪除不是以單個的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位(NOR Flash為字節(jié)存儲。),區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。通俗地說,它就相當于電腦中的硬盤,運行內存在斷電后不會保留存儲的數據,而要長期保持數據不丟失還是需要將數據從內存寫入到硬盤當中。

  eMMC閃存

  eMMC的全稱為“embedded Multi Media Card”,是由MMC協(xié)會所訂立的、主要是針對手機或平板電腦等產品的內嵌式存儲器標準規(guī)格。eMMC的一個明顯優(yōu)勢是在封裝中集成了一個控制器,它提供標準接口并管理閃存,eMMC利用的是它將主控制器、閃存顆粒整合到了一個小的BGA封裝內。


華為P10陷“閃存門” UFS和eMMc一次說清楚


  簡單的說,eMMC就是將普通的NAND FLASH和相對應的主控IC整合到了一起(主控IC主要用處就是將產生的數據寫入NAND FLASH或者將NAND FLASH中的數據讀取出來,還有一個很重要的功能就是動態(tài)平衡NAND FLASH磨損,避免集中讀寫NAND FLASH的某個區(qū)塊造成區(qū)塊損壞),這樣的好處除了可以有效的減少閃存占用寶貴的設備內部空間,還可以簡化廠家對于電路的設計(因為無需單獨設計NAND FLASH的主控IC部分),另外整合后主控IC對于NAND FLASH的操作延遲將會更低,進而加強用戶的產品體驗。


華為P10陷“閃存門” UFS和eMMc一次說清楚


  2013年7月29日三星就已經開始量產行業(yè)首款eMMC 5.0存儲產品,當時其理論極限讀取速度為400MB/s,但是因為使用的是8位并行界面,因此該規(guī)范的性能潛力已經基本到達極限,以最新的eMMC 5.1規(guī)范來說,其理論帶寬為600MB/s左右,性能想要再有大的提升基本是不可能的了。

  UFS閃存

  與eMMC不同,UFS 2.0的閃存規(guī)格則采用了新的標準,它使用的是串行界面,很像PATA、SATA的轉換,并且它支持全雙工運行,可同時讀寫操作,還支持指令隊列。相比之下,eMMC是半雙工,讀寫必須分開執(zhí)行,指令也是打包的,在速度上就已經是略遜一籌了。


華為P10陷“閃存門” UFS和eMMc一次說清楚


  要知道,UFS 2.0閃存的理論極限讀寫速度可以高達每秒1400MB,這相當于在兩秒鐘內讀寫兩個CD光盤的數據,不僅比eMMC有更巨大的優(yōu)勢,而且它甚至能夠讓電腦上使用的閃存存儲介質固態(tài)硬盤也相形見絀。

  在功耗方面UFS 2.0表現也十分出色,事實上,如果從功耗方面來比較,新一代的UFS 2.0標準是能夠與eMMC持平的。在待機狀態(tài)時兩者功耗相近持平。而當UFS 2.0滿載時,所消耗的功率實際上比eMMC要多,但它可以更快地完成操作而更早地切換到待機狀態(tài),因此在功耗方面的表現UFS 2.0與eMMC不相上下。


華為P10陷“閃存門” UFS和eMMc一次說清楚


  在傳輸速度方面,UFS 2.0可以說遠遠超過eMMC的。即使與eMMC 5.0標準相比,UFS 2.0的速度也高出3倍。UFS 2.0可以在UFS主機與閃存之間以全雙工模式進行交換,讀寫可以同時執(zhí)行。另外,UFS 2.0附加的控制通道可以有效地確保數據的安全傳輸,不必再因為讀寫操作而做不必要的等待,這是UFS 2.0獲得更高速度的關鍵。據了解,UFS 2.0有兩個版本,均有兩個傳輸信道。HS-G2的理論帶寬就有5.8Gbps,也就是超過了740MB/s,HS-G3更是翻番到11.6Gbps,接近了1.5GB/s,速度方面UFS 2.0完勝(最新的UFS 2.1標準實際上就是UFS 2.0的HS-G3版)。



關鍵詞: 華為 P10

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