各家爭(zhēng)鳴存儲(chǔ)器技術(shù)標(biāo)準(zhǔn) 儲(chǔ)存技術(shù)之爭(zhēng)再掀戰(zhàn)火

　　在2017年快閃存儲(chǔ)器高峰會(huì)(Flash Memory Summit)上，可見(jiàn)各主要NAND Flash供應(yīng)商持續(xù)推出更新式存儲(chǔ)器芯片以期能主導(dǎo)競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)，幾乎各主要供應(yīng)商也都在談?wù)摵?jiǎn)化Flash儲(chǔ)存系統(tǒng)內(nèi)建軟件的必要性，以減少應(yīng)用在資料中心時(shí)出現(xiàn)的延遲問(wèn)題，以及試圖定義固態(tài)硬盤(pán)(SSD)全新尺寸標(biāo)準(zhǔn)，另值得注意的是，本屆大會(huì)上甚至連主要硬盤(pán)(HD)制造商，都已幾乎不在主題演說(shuō)中提及硬盤(pán)相關(guān)技術(shù)資訊或發(fā)展趨勢(shì)。

　　根據(jù)科技網(wǎng)站EE Times報(bào)導(dǎo)，在本屆大會(huì)上，三星電子(Samsung Electronics)承諾將在2018年推出Tbit級(jí)芯片，東芝(Toshiba)也展示將于2018年出貨的96層768-Gbit芯片，美光(Micron)也介紹其512-Gbit芯片技術(shù)，這3家業(yè)者均表示，將提供每單元4位元的版本，但從這所有芯片的細(xì)節(jié)來(lái)看，仍均缺乏創(chuàng)建被視為秘密武器的大型NAND堆疊的技術(shù)。

　　對(duì)此東芝Flash業(yè)務(wù)資深人士Jeff Oshima指出，透過(guò)多個(gè)層創(chuàng)建均勻的孔以及從上至下取得可提供相同效能表現(xiàn)的存儲(chǔ)器單元，是最大的挑戰(zhàn)。因此如東芝是在堆疊的不同部位上采用不同的單元設(shè)計(jì)，該公司96層設(shè)計(jì)則是基于堆疊中的堆疊進(jìn)行。

　　不過(guò)，Oshima未就東芝采用多少不同的單元設(shè)計(jì)或堆疊進(jìn)行說(shuō)明。另外Oshima也認(rèn)為，F(xiàn)lash硬盤(pán)在2018年將轉(zhuǎn)移至PCIe Gen 4，東芝計(jì)劃該公司2017年所有新硬盤(pán)都采3D NAND芯片技術(shù)，到了2018年所有硬盤(pán)的芯片最小單位為每單元3位元。

　　美光方面，雖然表示該公司512-Gbit芯片在每平方公厘Gbits的密度表現(xiàn)上，較該公司兩大主要競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的技術(shù)高出16~20%，不過(guò)美光未提供其芯片大小，或何時(shí)該公司將支持每單元4位元技術(shù)水準(zhǔn)的時(shí)間表。

　　本屆大會(huì)上，也可見(jiàn)主要供應(yīng)商試圖定義最佳的固態(tài)硬盤(pán)(SSD)新尺寸標(biāo)準(zhǔn)，以讓盡可能多的Flash可安裝至資料中心機(jī)架安裝系統(tǒng)中，如三星展示，該公司所推出、被稱(chēng)為M.3的新尺寸標(biāo)準(zhǔn)為30.5 x 110.0 x 4.38mm;英特爾(Intel)則發(fā)表更長(zhǎng)的新尺寸標(biāo)準(zhǔn)，命名為“ruler”。

　　此外，在本屆大會(huì)上幾乎所有主要供應(yīng)商均談?wù)摰胶?jiǎn)化Flash儲(chǔ)存系統(tǒng)軟件的必要性，以減少應(yīng)用在資料中心領(lǐng)域形成的延遲問(wèn)題，不過(guò)也有不少業(yè)者提出明顯不同的方法，如三星提出一個(gè)有助減少延遲問(wèn)題的全新儲(chǔ)存軟件技術(shù)，稱(chēng)為“key-value”方法，不過(guò)三星也承認(rèn)將需要多年時(shí)間為其重寫(xiě)現(xiàn)有應(yīng)用程式(App)。

　　西數(shù)(WD)技術(shù)長(zhǎng)Martin Fink認(rèn)為，絕大多數(shù)資料中心Flash儲(chǔ)存裝置的延遲問(wèn)題不是起因于芯片本身，而是來(lái)自于系統(tǒng)級(jí)軟件的復(fù)雜堆疊，因此西數(shù)正投入更多時(shí)間資源在尋找合適的硬件與軟件組合。

　　至于硬盤(pán)在本屆大會(huì)上被提到的次數(shù)甚少，甚至西數(shù)及希捷(Seagate)兩大硬盤(pán)廠(chǎng)也很少提及硬盤(pán)產(chǎn)品，僅希捷提到未來(lái)幾年所有資料中心零組件采購(gòu)對(duì)硬盤(pán)的支出比重，將從15%降至5%。美光則稱(chēng)在資料中心領(lǐng)域Flash已取代高端硬盤(pán)，但在每單元4位元芯片可能在2018年稍晚問(wèn)世前，硬盤(pán)在資料中心市場(chǎng)仍具沉默的龐大影響力。

　　有鑒于3D NAND帶動(dòng)的存儲(chǔ)器技術(shù)成長(zhǎng)性，半導(dǎo)體設(shè)備供應(yīng)商Lam Research調(diào)升對(duì)未來(lái)5年全球NAND資本支出規(guī)模預(yù)估，從500億美元調(diào)升至700億美元，此預(yù)估值是基于預(yù)期未來(lái)5年NAND Flash可達(dá)40%位元成長(zhǎng)率進(jìn)行估算。