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狂掃全球硅晶圓產能 三星3D NAND、DRAM、7納米制程大擴產

作者: 時間:2017-08-31 來源:DIGITIMES 收藏

  2017年電子(SamsungElectronics)同步啟動DRAM、3D及晶圓代工擴產計劃,預計資本支出上看150億~220億美元,遠超過臺積電100億美元和英特爾(Intel)120億美元規(guī)模,為確保新產能如期開出,近期傳出已與多家硅晶圓供應商洽談簽長約,狂掃全球硅晶圓產能,并傳出環(huán)球晶已通知客戶自2018年起硅晶圓供應量將減少30%,主要便是為支持產能需求做準備。

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/201708/363773.htm

  三星為因應DRAM和3D市場強勁需求,加上在邏輯事業(yè)全力投入7納米制程,企圖與臺積電一較長短,搶回蘋果(Apple)處理器芯片訂單,三星2017年資本支出估計將高達150億~220億美元,且上半年資本支出已達110億美元,較2016年同期成長3倍。

  不過,全球硅晶圓產業(yè)卻面臨10年以來的最大缺口,全球半導體廠陷入搶貨狂潮,無論是臺積電、三星、英特爾之間的7納米制程戰(zhàn)火,或是2017年躍升主流且由三星、美光(Micron)、東芝(Toshiba)、SK海力士(SKHynix)聯(lián)手啟動的3D大戰(zhàn),甚至是大陸蓄勢待發(fā)將有超過20座的半導體晶圓廠,都苦陷硅晶圓缺貨潮。

  近期業(yè)界傳出三星為確保新增的邏輯芯片、3DNAND及DRAM等產能擁有充足的硅晶圓貨源,讓2018年下半及2019年新產能如期開出,三星開始與環(huán)球晶、信越、SUMCO、Siltronic等硅晶圓供應商洽談長約,有意包下硅晶圓產能。

  硅晶圓業(yè)者表示,未來兩年三星在邏輯芯片、3DNAND、DRAM等芯片新增產能,預計每月可達20萬片12吋晶圓,合計現(xiàn)有的12吋晶圓產能需求,估計到2019年三星每月需要的12吋晶圓將高達100萬片,因此,三星對于鞏固硅晶圓產能相當重視。

  近期環(huán)球晶開始通知半導體客戶,2018年硅晶圓供貨量將減少30%,讓客戶十分恐慌,并開始向信越、SUMCO、Siltronic等其他供應商求助,更加重市場缺貨氛圍,業(yè)界猜測環(huán)球晶應是獲得重要客戶的大訂單,才會減少現(xiàn)有客戶的配貨量,并推測該客戶便是三星。

  環(huán)球晶借由購并Sunedison在半導體硅晶圓領域獲得充分產能,而Sunedison原本就是三星主要的硅晶圓供應商,環(huán)球晶借此購并案順利打入韓系客戶供應鏈。不過,之前Sunedison與三星簽長約的價格十分低,預計該合約出貨已近尾聲,適逢這波史上最劇烈的硅晶圓缺貨潮,環(huán)球晶可望趁此和三星重談價格漂亮的新約,而三星為包下足夠產能將不惜一切代價。

  近期三星擴產計劃包括擴大投資華城廠17號生產線的DRAM、3DNAND產能,以及加碼平澤廠3DNAND產能、大陸西安3DNAND擴產計劃等,原本預計2018年動工的韓國18號生產線,也提前到2017年第4季動工,并早一步搶下洛陽紙貴的ASML極紫外光(EUV)機臺,該廠可望成為三星生產7納米邏輯芯片的主要基地。



關鍵詞: 三星 NAND

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