格羅方德推出12nm制程 成都新廠也將于2018年底投產

　　格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)于22日宣布推出全新12nm Leading-Performance (12LP) FinFET半導體制程計劃。格羅方德表示，此技術將可望超越格羅方德現行14nm FinFET技術的產品，提供密度及效能上提升，進而滿足運算密集型的應用，例如包括人工智能、虛擬現實、高端智能手機以及網絡基礎架構等的處理需求。

　　格羅方德指出，相較于現今市場上的16nm和14nm FinFET制程解決方案，全新12LP技術可提供高達15%的電路密度提升，以及超過10%的效能強化，這將賦予12LP技術與其他12nm FinFET技術全面競爭的優(yōu)勢，而此技術將運用于格羅方德位在美國紐約薩拉托加郡晶圓8廠的生產中。

　　而除了電晶體方面的效能提升，12LP平臺還將包含專為車用電子設備和射頻及模擬應用(RF/analog application)所設計，并以市場為導向的新功能。而車載電子設備和射頻及模擬應用，預計將是產業(yè)中成長最快速的兩個領域。因此，12LP平臺將會為市場帶來新的發(fā)展領域。

　　此外，格羅方德預計斥資總金額超過100億美元，在中國成都高新區(qū)西部園區(qū)的格羅方德Fab11晶圓代工廠，預計將在10月份舉行封頂作業(yè)。并且預計在2018年年底前，進行第一期的投產。據了解，目前已經有數家的中國廠商開始與格羅方德合作，開始規(guī)劃22nm FD-SOI制程的的產品設計工作。

　　按照規(guī)劃，累計投資達百億美元的格羅方德Fab11晶圓廠，預計將分為兩期建設。第一期為主流CMOS制程12寸晶圓生產線，預計2018年年底投產。第二期為格羅方德最新的22FDX，22nm FD-SOI制程12寸晶圓生產線，預計2019年第4季投產。

　　據了解，格羅方德的22FDX制程采用22nm FD-SOI(全耗盡型絕緣上覆矽)電晶體架構,為無線的、使用電池供電的智能系統(tǒng)提供業(yè)界最佳的性能、功耗和面積組合。未來，格羅方德在成都高新區(qū)打造的全球首條22nm FD-SOI 12寸晶圓生產線，產品將廣泛應用于移動終端、物聯網、智能設備、汽車電子等領域。