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三星擴產(chǎn)NAND Flash IC Insights估恐過剩

作者: 時間:2017-11-16 來源:中央社 收藏

  (Samsung)今年資本支出將倍增至260億美元,其中,又將以3D Flash為最大宗,研調(diào)機構(gòu)IC Insights認為,3D Flash恐將供過于求。

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/201711/371552.htm

  IC Insights預(yù)估,今年全球半導(dǎo)體資本支出金額將達908億美元,將成長35%;其中,今年資本支出將倍增至260億美元,比英特爾(Intel)與臺積電的總和還多。

  今年的資本支出主要投入3D儲存型閃存( Flash),將達140億美元,IC Insights指出,三星將斥資70億美元,推進動態(tài)隨機存取內(nèi)存(DRAM)制程技術(shù),并彌補因制程轉(zhuǎn)換造成的產(chǎn)能損失。

  在晶圓代工方面,IC Insights表示,三星將投入50億美元擴增10奈米制程產(chǎn)能。

  除三星投入巨額資本支出,SK海力士(Hynix)與美光(Micron)等三星競爭對手資本支出也將顯著增加,IC Insights認為,這恐將引發(fā)3D NAND Flash市場供過于求。



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