ROHM開發(fā)出業(yè)界頂級(jí)高效率與軟開關(guān)兼?zhèn)涞?50V耐壓IGBT “RGTV/RGW系列”

作者：時(shí)間：2018-04-17 來源：電子產(chǎn)品世界

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　　<概要>

本文引用地址：http://m.butianyuan.cn/article/201804/378509.htm

　　全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM新開發(fā)出兼?zhèn)錁I(yè)界頂級(jí)低傳導(dǎo)損耗※1和高速開關(guān)特性的650V耐壓IGBT※2“RGTV系列(短路耐受能力※3保持版)”和“RGW系列(高速開關(guān)版)”，共21種機(jī)型。這些產(chǎn)品非常適用于UPS(不間斷電源)、焊接機(jī)及功率控制板工業(yè)設(shè)備、空調(diào)、IH(感應(yīng)加熱)等消費(fèi)電子產(chǎn)品的通用變頻器及轉(zhuǎn)換器的功率轉(zhuǎn)換。

　　此次開發(fā)的新系列產(chǎn)品采用薄晶圓技術(shù)及ROHM獨(dú)有結(jié)構(gòu)，在具有權(quán)衡關(guān)系的低導(dǎo)通損耗和高速開關(guān)特性方面，獲得了業(yè)界頂級(jí)的性能。例如，在交錯(cuò)式PFC電路中使用時(shí)，與以往產(chǎn)品相比，輕負(fù)載時(shí)效率提升1.2%，重負(fù)載時(shí)效率提升0.3%，有助于進(jìn)一步降低應(yīng)用的功耗。另外通過元器件內(nèi)部的優(yōu)化，實(shí)現(xiàn)了順暢的軟開關(guān)。與同等效率的普通產(chǎn)品相比，成功減少50%電壓過沖※4，從而減少以往需要用來對(duì)策的部件數(shù)量，可顯著減輕設(shè)計(jì)負(fù)擔(dān)。

　　本系列產(chǎn)品已于2017年10月開始出售樣品(樣品價(jià)格400日元～/個(gè)：不含稅)，并于2017年12月開始暫以月產(chǎn)10萬個(gè)的規(guī)模開始量產(chǎn)。前期工序的生產(chǎn)基地為藍(lán)碧石半導(dǎo)體宮崎株式會(huì)社(日本宮崎縣)，后期工序的生產(chǎn)基地為ROHM Integrated Systems (Thailand)(泰國)。

　　<背景>

　　近年來，隨著IoT進(jìn)程帶來的數(shù)據(jù)量増加，對(duì)數(shù)據(jù)中心高性能化的要求越來越高。不僅服務(wù)器本身，包括進(jìn)行主體電源穩(wěn)定供給所不可欠缺的UPS等在內(nèi)，系統(tǒng)整體的功耗量顯著增加，進(jìn)一步降低功耗已成為重要課題。

　　另外，在使用IGBT的大功率應(yīng)用中，為確保設(shè)備的可靠性，必須對(duì)可引發(fā)元器件故障或設(shè)備誤動(dòng)作的開關(guān)時(shí)的過沖采取措施，簡化需求日益迫切。

　　<特點(diǎn)>

　　1.實(shí)現(xiàn)業(yè)界頂級(jí)的低傳導(dǎo)損耗和高速開關(guān)性能

　　在本新系列產(chǎn)品中，利用薄晶圓技術(shù)使晶圓厚度比以往產(chǎn)品再薄15%，另外采用ROHM獨(dú)創(chuàng)的單元微細(xì)化結(jié)構(gòu)，成功實(shí)現(xiàn)業(yè)界頂級(jí)的低導(dǎo)通損耗(VCE(sat)=1.5V)和高速開關(guān)特性(tf=30～40ns)。

　　2.實(shí)現(xiàn)軟開關(guān)，減輕設(shè)備的設(shè)計(jì)負(fù)擔(dān)

　　通過元器件內(nèi)部優(yōu)化，實(shí)現(xiàn)了ON/OFF順暢切換的軟開關(guān)。由此，開關(guān)時(shí)產(chǎn)生的電壓過沖與普通產(chǎn)品相比減少了50%，可減少用來抑制過沖的外置柵極電阻和緩沖電路等部件數(shù)量。使用IGBT時(shí)，應(yīng)用端不再需要以往需要的過沖對(duì)策，有利于減輕設(shè)計(jì)負(fù)擔(dān)。