三星首發(fā)LPDDR5內(nèi)存芯片：6400Mbps、功耗降低30%

　　三星今晨宣布，成功開(kāi)發(fā)出業(yè)內(nèi)首款LPDDR5-6400內(nèi)存芯片，基于10nm級(jí)(10～20nm)工藝。

　　據(jù)悉，該LPDDR5內(nèi)存芯片單顆容量8Gb(1GB)，8GB容量的模組原型也做出并完成功能驗(yàn)證。

　　其它基本規(guī)格還有，內(nèi)存速度(針腳帶寬)最高6400Mbps，是LPDDR4X 4266Mbps的1.5倍。三星稱，每秒可以傳送51.2GB數(shù)據(jù)(比如高端手機(jī)常見(jiàn)的64bit bus)，相當(dāng)于14部1080P電影(每部3.7GB)。要是PC的128bit BUS，每秒破100GB無(wú)壓力。

　　與此同時(shí)，功耗比LPDDR4X降低高達(dá)30%，主要是得益于動(dòng)態(tài)調(diào)節(jié)電壓、避免無(wú)效消耗、深度睡眠等技術(shù)加入。

　　三星的8Gb LPDDR5規(guī)格彈性較高，1.1V工作電壓下可達(dá)6400Mbps，1.05V下可達(dá)5500Mbps，供手機(jī)、車載平臺(tái)自行選擇。

　　資料顯示，三星在2014年首先成功量產(chǎn)8Gb LPDDR4內(nèi)存芯片，之后，就開(kāi)始推進(jìn)向LPDDR5新標(biāo)準(zhǔn)的過(guò)渡。

　　新的8Gb LPDDR5內(nèi)存芯片是三星高端DRAM產(chǎn)品線的一部分，后者已經(jīng)包括10nm級(jí)的16Gb GDDR6顯存芯片(2017年12月量產(chǎn))和16Gb DDR5內(nèi)存芯片(今年2月份開(kāi)發(fā)完成)。

　　LPDDR5內(nèi)存芯片將用于移動(dòng)設(shè)備如手機(jī)、平板、二合一電腦等，三星稱，5G和AI將是其主力服務(wù)的場(chǎng)景。

　　三星將在位于韓國(guó)平澤市的工廠量產(chǎn)LPDDR5、GDDR6和DDR5 DRAM芯片。