從GDDR1到GDDR6的詳細(xì)資料都在這里
GDDR6標(biāo)準(zhǔn)終于姍姍來(lái)遲,即將到來(lái)的NVIDIA 11系列顯卡肯定是要用上它的。和GDDR5X一樣采用了16bit預(yù)取,這已經(jīng)是被證實(shí)提高數(shù)據(jù)傳輸速度最為有效的方法。其次就是GDDR6終于一改以往GDDR1/2/3/4/5/5X只有一個(gè)讀寫通道問(wèn)題,使用雙通道,雖然位寬變小了,但是實(shí)際上效率更高以后,會(huì)帶來(lái)明顯的性能提升。
其次就是顯存容量的進(jìn)步,原本GDDR5最常見(jiàn)的都是8Gb單顆粒,而GDDR6標(biāo)準(zhǔn)下最高可以達(dá)到32Gb,換算過(guò)來(lái)單顆粒就是4GB,好處顯而易見(jiàn),那就是低端顯卡單顆粒就搞定了,還要什么HBM2?高端3顆也就滿足12GB,推算頂級(jí)顯卡384bit顯存位寬計(jì)算,搭載12顆就能達(dá)到48GB,難怪NVIDIA絲毫沒(méi)有在消費(fèi)級(jí)游戲卡上用HBM2顯存的意思。
▲GDDR6帶寬可以達(dá)到896GB/s,這是美光提供的數(shù)據(jù)
此外GDDR6修改了封裝方式,減少了底部接口數(shù)目,從190 ball減少至180ball,尺寸更小,這樣應(yīng)用場(chǎng)景更為寬闊。
▲GDDR6優(yōu)勢(shì)——針腳少、尺寸更小、效能更高
目前全球三大存儲(chǔ)芯片廠商三星、海力士和美光都推出了自己的GDDR6計(jì)劃,不過(guò)由于技術(shù)實(shí)力差異和產(chǎn)品研發(fā)路線不同等因素,這三家的產(chǎn)品還存在一定的區(qū)別。
三星
期初三星在GDDR6上也是雷聲大雨點(diǎn)小,推出GDDR6的時(shí)機(jī)也要晚于其余兩家,但三星厚積薄發(fā),一推出的GDDR6顯存規(guī)格就是最高的,1Y nm工藝(10-16nm),單顆粒2GB,速度最高可達(dá)18Gbps,超過(guò)了JEDEC規(guī)范。
海力士
首批采用21nm工藝,單顆粒1GB容量,速度有10/12/14Gbps,也超過(guò)GDDR5X現(xiàn)時(shí)的極限,比較有趣的是,GDDR6電壓應(yīng)該是1.35V,海力士研發(fā)出1.25V低電壓版的GDDR6顯存,估計(jì)是為筆記本設(shè)備研發(fā)的。
美光
美光是最早、也是最積極推進(jìn)GDDR6顯存的存儲(chǔ)廠商,將會(huì)采用16nm工藝制造,也是單顆粒8Gb,速度10-14Gbps不等,而且也有對(duì)應(yīng)多款1.25V低電壓版GDDR6顯存。
如今GDDR6顯存依靠高頻率、高容量和低功耗特性,將會(huì)在未來(lái)新一代游戲顯卡上大方異彩,為新架構(gòu)顯卡帶來(lái)更強(qiáng)大的綜合性能,而且對(duì)比成本居高不下、封裝難度高的HBM 2顯存來(lái)講,GDDR6顯然更加實(shí)惠,更易于往中低端顯卡推廣。
評(píng)論