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富士電機電子元件事業(yè)本部CTO藤平龍彥博士一行蒞臨青銅劍科技考察交流

作者:青銅劍科技 時間:2018-11-30 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏

  11月7日,富士電機株式會社電子元件事業(yè)本部CTO藤平龍彥博士一行到訪科技。這是繼今年5月應用技術部部長五十嵐征輝博士來訪之后,富士電機高層再次蒞臨科技商談合作事宜,標志著雙方合作進入新階段。 科技總工程師高躍博士和市場總監(jiān)蔡雄飛對藤平龍彥博士一行的來訪表示熱烈歡迎,詳細介紹了公司的核心產(chǎn)品以及與富士電機的合作進展。藤平龍彥博士對青銅劍科技最新的驅(qū)動產(chǎn)品非常關注,仔細詢問了產(chǎn)品的性能優(yōu)勢和應用領域,對青銅劍科技的研發(fā)實力表示充分肯定。會談期間,雙方對下一步的合作重點和計劃達成一致。

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/201811/395132.htm

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  青銅劍科技是富士電機長期合作伙伴,雙方在產(chǎn)品開發(fā)和市場拓展方面擁有良好合作基礎。青銅劍科技針對富士電機模塊推出了多款定制產(chǎn)品,其中光伏T型三電平并聯(lián)方案4QP0430T12-FUJI是針對富士4MBI900VB-120R1-50模塊設計,汽車級驅(qū)動方案6AP0215T07-M653針對富士M653 模塊設計,產(chǎn)品一經(jīng)推出銷量火爆,市場反響熱烈。

  富士電機目前主推第7代系列、碳化硅系列、HPnC系列、汽車級系列、IPM系列以及單管系列等產(chǎn)品,憑借多項創(chuàng)新技術實現(xiàn)了更低損耗和結(jié)構(gòu)小型化。其中第7代X系列IGBT采用了極薄的晶元制造技術(更薄的漂移層)和細微的溝槽柵結(jié)構(gòu),進一步降低了導通電壓和開關損耗,比第6代V系列IGBT損耗有了突飛猛進的提升。

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  青銅劍科技將繼續(xù)發(fā)揮IGBT驅(qū)動技術的領先優(yōu)勢,配合富士電機IGBT和碳化硅模塊,開發(fā)高性能和高可靠性的驅(qū)動產(chǎn)品,加強在新能源發(fā)電、電動汽車等領域的合作。



關鍵詞: 青銅劍 IGBT

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