3D封裝技術(shù)英特爾有何獨到之處

　　立體種植晶體管，對不起，暫時還不能。3D封裝說得很清楚，就是在空間中而不是平面化封裝多個芯片。也許你會說，這有什么新鮮的，芯片堆疊技術(shù)不是老早之前就被廣泛使用了么，無論是DRAM還是NAND，都已廣泛采用堆疊技術(shù)，特別是NAND已經(jīng)從128層甚至更多層邁進(jìn)。而智能手機(jī)所使用的SiP芯片，也是將SoC與DRAM堆疊在一起的。

　　DRAM/NAND堆疊相對簡單，由于各層半導(dǎo)體功能特性相同，無論是地址還是數(shù)據(jù)，信號可以縱穿功能完全相同的不同樓層，就像是巨大的公寓樓中從底到頂穿梭的電梯。存儲具有Cell級的高度相似性，同時運(yùn)行頻率相對不高，較常采用這種結(jié)構(gòu)。

　　SoC和DRAM芯片的堆疊，采用了內(nèi)插器或嵌入式橋接器，芯片不僅功能有別，而且連接速度高，這樣的組合甚至可以完成整個系統(tǒng)功能，因此叫SiP(System in Package)更準(zhǔn)確。SiP封裝足夠小巧緊湊，但是其中功能模塊十分固定，難以根據(jù)用戶需要自由組合IP模塊，也就是配置彈性偏低。

　　在去年年初，英特爾推出Kaby Lake-G令人眼前一亮，片上集成AMD Vega GPU和HBM2顯存的Kaby Lake-G讓EMIB(嵌入式多芯片互連橋接)封裝技術(shù)進(jìn)入人們眼簾，而該技術(shù)還只是2D封裝，也就是所有芯片在一個平面上鋪開。

　　現(xiàn)在，英特爾已準(zhǔn)備好將3D封裝引入主流市場，也就是Foveros。Foveros 3D封裝將多芯片封裝從單獨一個平面，變?yōu)榱Ⅲw式組合，從而大大提高集成密度，可以更靈活地組合不同芯片或者功能模塊。