國(guó)產(chǎn)芯片真金質(zhì)！基本半導(dǎo)體挑戰(zhàn)極限高溫測(cè)試“火”力全開(kāi)

挑戰(zhàn)驕陽(yáng)火焰山，何須芭蕉借又還。

國(guó)產(chǎn)芯片真金質(zhì)，不懼火煉過(guò)樓蘭。

——鄭廣州

國(guó)創(chuàng)中心副總經(jīng)理

8月14日，國(guó)家新能源汽車(chē)技術(shù)創(chuàng)新中心（簡(jiǎn)稱“國(guó)創(chuàng)中心”）邀請(qǐng)基本半導(dǎo)體等13家國(guó)內(nèi)整車(chē)和半導(dǎo)體企業(yè)的專家，實(shí)地開(kāi)展“中國(guó)車(chē)規(guī)半導(dǎo)體首批測(cè)試驗(yàn)證項(xiàng)目吐魯番高溫試驗(yàn)”活動(dòng)，并舉行了車(chē)規(guī)半導(dǎo)體測(cè)試驗(yàn)證項(xiàng)目高溫測(cè)試技術(shù)研討會(huì)。

自2019年7月底開(kāi)始，國(guó)創(chuàng)中心攜搭載了國(guó)產(chǎn)自主硅基IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）、碳化硅二極管和碳化硅MOSFET（金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）的4輛試驗(yàn)車(chē)，在吐魯番進(jìn)行為期一個(gè)月的“極限高溫”測(cè)試項(xiàng)目，這也是國(guó)產(chǎn)車(chē)規(guī)半導(dǎo)體搭載驗(yàn)證的試驗(yàn)項(xiàng)目之一。

單車(chē)?yán)塾?jì)6000公里的高溫試驗(yàn)，以驗(yàn)證在高溫真實(shí)車(chē)況下，國(guó)產(chǎn)自主車(chē)規(guī)半導(dǎo)體的性能和可靠性表現(xiàn)。通過(guò)反復(fù)驗(yàn)證國(guó)產(chǎn)車(chē)規(guī)半導(dǎo)體在各種極端情況下的質(zhì)量狀況和適應(yīng)能力，并通過(guò)對(duì)標(biāo)試驗(yàn)，與國(guó)外競(jìng)品進(jìn)行全項(xiàng)目對(duì)比分析，發(fā)現(xiàn)問(wèn)題并實(shí)施改進(jìn)措施，為最終助推國(guó)產(chǎn)自主車(chē)規(guī)半導(dǎo)體上車(chē)應(yīng)用達(dá)成最高的安全保障。在測(cè)試同期舉辦的研討會(huì)上，與會(huì)專家對(duì)此次車(chē)規(guī)半導(dǎo)體測(cè)試驗(yàn)證項(xiàng)目給予高度評(píng)價(jià)，共同探討半導(dǎo)體行業(yè)和汽車(chē)行業(yè)的產(chǎn)業(yè)合作模式。

為了推動(dòng)我國(guó)汽車(chē)產(chǎn)業(yè)可持續(xù)高質(zhì)量發(fā)展，保障我國(guó)建設(shè)世界汽車(chē)強(qiáng)國(guó)目標(biāo)的盡早實(shí)現(xiàn)，培育和提升國(guó)產(chǎn)自主車(chē)規(guī)半導(dǎo)體企業(yè)的技術(shù)研發(fā)和質(zhì)量控制能力，助推國(guó)產(chǎn)自主車(chē)規(guī)半導(dǎo)體上車(chē)應(yīng)用，國(guó)創(chuàng)中心秉承國(guó)家戰(zhàn)略要求，整合行業(yè)資源，聯(lián)合半導(dǎo)體行業(yè)的合作伙伴和汽車(chē)行業(yè)的專家共同開(kāi)展“國(guó)產(chǎn)自主車(chē)規(guī)半導(dǎo)體測(cè)試認(rèn)證”項(xiàng)目。下一步，國(guó)創(chuàng)中心還將開(kāi)展國(guó)產(chǎn)自主車(chē)規(guī)半導(dǎo)體器件的試驗(yàn)室測(cè)試、對(duì)標(biāo)測(cè)試及整車(chē)搭載的高寒測(cè)試。

在此次測(cè)試中，試驗(yàn)車(chē)搭載了基本半導(dǎo)體自主研發(fā)的碳化硅功率器件。基本半導(dǎo)體作為中國(guó)第三代半導(dǎo)體行業(yè)領(lǐng)軍企業(yè)、深圳第三代半導(dǎo)體研究院發(fā)起單位之一，旗下碳化硅器件產(chǎn)業(yè)鏈覆蓋了外延制備、芯片設(shè)計(jì)、制造工藝、封裝測(cè)試、驅(qū)動(dòng)應(yīng)用等環(huán)節(jié)?；景雽?dǎo)體先后推出650V/4A～40A、1200V/5A～50A、1700V/5A～20A的全電流電壓等級(jí)碳化硅二極管，通過(guò)工業(yè)級(jí)可靠性測(cè)試的1200V碳化硅MOSFET，以及車(chē)規(guī)級(jí)全碳化硅功率模塊等系列產(chǎn)品，性能對(duì)標(biāo)國(guó)際一流半導(dǎo)體廠商的最新產(chǎn)品。

其中，高性能1200V 碳化硅MOSFET采用了平面柵碳化硅工藝，具有短路耐受時(shí)間長(zhǎng)、雪崩耐量高、反向擊穿電壓高和導(dǎo)通電阻低等特點(diǎn)，已小批量生產(chǎn)并廣泛應(yīng)用在電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、開(kāi)關(guān)電源、光伏逆變器和車(chē)載充電等領(lǐng)域；用于電動(dòng)汽車(chē)逆變器、對(duì)標(biāo)特斯拉Model 3所采用器件的車(chē)規(guī)級(jí)全碳化硅MOSFET模塊已完成工程樣品開(kāi)發(fā)，將聯(lián)合國(guó)內(nèi)主流車(chē)廠開(kāi)展測(cè)試。同時(shí)，基本半導(dǎo)體年內(nèi)還與廣州廣電計(jì)量檢測(cè)股份有限公司達(dá)成戰(zhàn)略合作，加快推出首款符合AEC-Q101檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)的碳化硅肖特基二極管。

未來(lái)，基本半導(dǎo)體將繼續(xù)打造高質(zhì)量的國(guó)產(chǎn)車(chē)規(guī)級(jí)碳化硅功率器件，積極參與國(guó)內(nèi)車(chē)規(guī)半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)體系和測(cè)試認(rèn)證體系的建設(shè)，致力實(shí)現(xiàn)車(chē)規(guī)半導(dǎo)體的自主可控、國(guó)產(chǎn)替代。