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我國(guó)首個(gè)5G微基站射頻芯片成功流片

作者: 時(shí)間:2020-03-04 來(lái)源:科技日?qǐng)?bào) 收藏

據(jù)科技日?qǐng)?bào)報(bào)道,從南京經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)獲悉,我國(guó)首個(gè),在南京宇都通訊科技有限公司經(jīng)過(guò)自主研發(fā)流片成功,目前正在進(jìn)行封裝測(cè)試。

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/202003/410546.htm

項(xiàng)目是我們自主研發(fā)的有線射頻寬帶芯片組的拓展。”國(guó)家特聘專家、美國(guó)麻省理工學(xué)院博士王俊峰介紹說(shuō),在推出之前,公司通過(guò)研發(fā)有線射頻寬帶HiNOC2.0芯片,擁有了長(zhǎng)期的射頻芯片技術(shù)積累。

據(jù)悉,HiNOC2.0是我國(guó)下一代有線射頻寬帶廣電接入標(biāo)準(zhǔn),南京宇都HiNOC2.0射頻/基帶芯片組可實(shí)現(xiàn)600兆每秒的下行速率,完全可與國(guó)際巨頭的同類產(chǎn)品對(duì)標(biāo)。在中國(guó)廣播科學(xué)研究院進(jìn)行的標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試中,搭載這組芯片的設(shè)備在85dB的線路衰耗下仍可接入,相比對(duì)標(biāo)的國(guó)際巨頭同類產(chǎn)品,抗衰減能力提升了10dB左右,這使其更能適應(yīng)國(guó)內(nèi)復(fù)雜、惡劣的網(wǎng)絡(luò)環(huán)境。2019年4月,中國(guó)工程院院士倪光南領(lǐng)銜的專家組對(duì)HiNOC2.0芯片組進(jìn)行技術(shù)鑒定,認(rèn)定該芯片組在系統(tǒng)性能上達(dá)到了國(guó)際同類產(chǎn)品的先進(jìn)水平,而其中射頻芯片部分性能優(yōu)于國(guó)際同類產(chǎn)品。

王俊峰介紹,不光覆蓋700MHz廣電頻段,也兼容了工信部2月初剛剛頒發(fā)許可的3.3—3.4GHz的電信/聯(lián)通/廣電共享室內(nèi)頻段,可以說(shuō)是為5G時(shí)代室內(nèi)共享微基站量身定做的芯片。 



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