臺(tái)積電攜手博通強(qiáng)化CoWoS平臺(tái)，沖刺5納米制程

臺(tái)積電近日宣布與博通(Broadcom)攜手合作強(qiáng)化CoWoS平臺(tái)，支援業(yè)界首創(chuàng)且最大的兩倍光罩尺寸(2X reticle size)之中介層，面積約1,700平方毫米。此項(xiàng)新世代CoWoS仲介層由兩張全幅光罩拼接構(gòu)成，能夠大幅提升運(yùn)算能力，藉由更多的系統(tǒng)單芯片來(lái)支援先進(jìn)的高效能運(yùn)算系統(tǒng)，并且也準(zhǔn)備就緒以支援臺(tái)積電下一世代的5納米制程技術(shù)。

臺(tái)積電表示，此項(xiàng)新世代CoWoS技術(shù)能夠容納多個(gè)邏輯系統(tǒng)單芯片(SoC)、以及多達(dá)6個(gè)高頻寬存儲(chǔ)器（HBM）立方體，提供高達(dá)96GB的存儲(chǔ)器容量。此外，此技術(shù)提供每秒高達(dá)2.7兆位元的頻寬，相較于臺(tái)積電2016年推出的CoWoS解決方案，速度增快2.7倍。CoWoS解決方案具備支援更高存儲(chǔ)器容量與頻寬的優(yōu)勢(shì)，非常適用于存儲(chǔ)器密集型之處理工作，例如深度學(xué)習(xí)、5G網(wǎng)絡(luò)、具有節(jié)能效益的數(shù)據(jù)中心、以及其他更多應(yīng)用。除了提供更多的空間來(lái)提升運(yùn)算能力、輸入/輸出、以及HBM整合，強(qiáng)化版的CoWoS技術(shù)亦提供更大的設(shè)計(jì)靈活性及更好的良率，支援先進(jìn)制程上的復(fù)雜特殊應(yīng)用芯片設(shè)計(jì)。

另外，在臺(tái)積電與博通公司合作的CoWoS平臺(tái)之中，博通定義了復(fù)雜的上層芯片、中介層、以及HBM結(jié)構(gòu)，臺(tái)積電則是開(kāi)發(fā)堅(jiān)實(shí)的生產(chǎn)制程來(lái)充分提升良率與效能，以滿足兩倍光罩尺寸仲介層帶來(lái)的特有挑戰(zhàn)。透過(guò)數(shù)個(gè)世代以來(lái)開(kāi)發(fā)CoWoS平臺(tái)的經(jīng)驗(yàn)，臺(tái)積電創(chuàng)新開(kāi)發(fā)出獨(dú)特的光罩接合制程，能夠?qū)oWoS平臺(tái)擴(kuò)充超過(guò)單一光罩尺寸的整合面積，并將此強(qiáng)化的成果導(dǎo)入量產(chǎn)。

博通Vice President of Engineering for the ASIC Products Division Greg Dix表示，博通很高興能夠與臺(tái)積電合作共同精進(jìn)CoWoS平臺(tái)，解決許多在7納米及更先進(jìn)制程上的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)。藉由雙方的合作，我們利用前所未有的運(yùn)算能力、輸入/輸出、以及存儲(chǔ)器整合來(lái)驅(qū)動(dòng)創(chuàng)新，同時(shí)為包括人工智能、機(jī)器學(xué)習(xí)、以及5G網(wǎng)絡(luò)在內(nèi)的嶄新與新興應(yīng)用產(chǎn)品鋪路。

臺(tái)積電研究發(fā)展組織系統(tǒng)整合技術(shù)副總經(jīng)理余振華表示，自從CoWoS平臺(tái)于2012年問(wèn)世以來(lái)，臺(tái)積電在研發(fā)上的持續(xù)付出與努力讓我們能夠?qū)oWoS中介層的尺寸加倍，展現(xiàn)我們致力于持續(xù)創(chuàng)新的成果。我們與博通在CoWoS上的合作是一個(gè)絕佳的范例，呈現(xiàn)了我們是如何透過(guò)與客戶緊密合作來(lái)提供更優(yōu)異的系統(tǒng)級(jí)高效能運(yùn)算表現(xiàn)。

CoWoS是臺(tái)積電晶圓級(jí)系統(tǒng)整合組合(WLSI)的解決方案之一，能夠與電晶體微縮互補(bǔ)且在電晶體微縮之外進(jìn)行系統(tǒng)級(jí)微縮。除了CoWoS之外，臺(tái)積電創(chuàng)新的三維積體電路技術(shù)平臺(tái)，例如整合型扇出（InFO）及系統(tǒng)整合芯片（SoIC），透過(guò)小芯片分割與系統(tǒng)整合來(lái)實(shí)現(xiàn)創(chuàng)新，達(dá)到更強(qiáng)大的功能與強(qiáng)化的系統(tǒng)效能。