博方嘉芯氮化鎵射頻及功率器件項目開工

近日，南湖區(qū)舉行一季度重大項目集中開竣工活動，參加本次集中開竣工活動的項目共54個，總投資達219.96億元，開竣工項目數(shù)量、總投資以及項目平均投資額均創(chuàng)南湖區(qū)歷史新高。主會場開工儀式設在嘉興科技城的浙江博方嘉芯集成電路科技有限公司氮化鎵射頻及功率器件項目現(xiàn)場。

博方嘉芯氮化鎵射頻及功率器件項目是第三代半導體材料示范項目，也是嘉興南湖微電子產業(yè)平臺的第二個標志性項目。該項目總投資25億元，浙江博方嘉芯集成電路科技有限公司將引進6寸晶圓生產線兼容4寸氮化鎵生產線設備。該項目將分兩期實施，項目全部達產后可實現(xiàn)年銷售30億元以上，年稅收6600萬元以上。

“預期在明年二季度就能達成試產，明年可以批量生產。” 浙江博方嘉芯集成電路科技有限公司董事長張博說，該項目從接觸洽談到開工只用了大約半年時間，在疫情期間，南湖區(qū)、嘉興科技城的工作人員也一直與企業(yè)保持聯(lián)系，通過電話、視頻等一起抓好項目推進，“我們非常認可嘉興南湖的辦事效率和優(yōu)質的營商環(huán)境?！?/p>

據(jù)介紹，該項目的實施將拉開氮化鎵半導體國產替代的大幕，因為氮化鎵在全球都是非常緊缺的芯片資源，國內90%以上依賴進口，所以急需這樣的產品來完成替代。氮化鎵屬于第三代高大禁帶寬度的半導體材料，能夠廣泛運用于5G通訊基站、智能移動終端、物聯(lián)網、軍工航天、數(shù)據(jù)中心、通信設備、智能電網及太陽能逆變器等領域。