東芝面向中大電流IGBT／MOSFET 推出內(nèi)置保護(hù)功能的光耦
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東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）近日宣布，推出“TLP5231”，這是一款面向中大電流絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）和MOSFET的預(yù)驅(qū)動(dòng)光耦，適用于工業(yè)逆變器和光伏（PV）的功率調(diào)節(jié)系統(tǒng)。這款全新的預(yù)驅(qū)動(dòng)光耦內(nèi)置多種功能[1]，其中包括通過監(jiān)控集電極電壓實(shí)現(xiàn)過流檢測(cè)。產(chǎn)品于今日起開始出貨。
本文引用地址：http://m.butianyuan.cn/article/202003/410764.htm新型預(yù)驅(qū)動(dòng)光耦使用外部P溝道和N溝道互補(bǔ)的MOSFET作為緩沖器，來控制中大電流IGBT和MOSFET。
目前現(xiàn)有產(chǎn)品[2]需要使用雙極型晶體管構(gòu)成的緩沖電路來實(shí)現(xiàn)電流放大，這會(huì)在工作中消耗基極電流。新產(chǎn)品能夠使用外部互補(bǔ)MOSFET緩沖器，僅在緩沖器MOSFET的柵極充電或放電時(shí)消耗電流，有助于降低功耗。
通過改變外部互補(bǔ)MOSFET緩沖器的大小，TLP5231能夠?yàn)楦鞣NIGBT和MOSFET提供所需的柵極電流。TLP5231、MOSFET緩沖器以及IGBT／MOSFET的配置可用作平臺(tái)來滿足系統(tǒng)的功率需求，從而簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)。
其他功能包括：在檢測(cè)到VCE(sat)過流后使用另一個(gè)外部N溝道MOSFET控制“柵極軟關(guān)斷時(shí)間”；另外，除了能通過監(jiān)控集電極電壓檢測(cè)到VCE(sat)之外，還有UVLO[3]檢測(cè)，將任意故障信號(hào)輸出到一次側(cè)。以上這些現(xiàn)有產(chǎn)品[2]不具備的新特性，能夠讓TLP5231幫助用戶更輕松地設(shè)計(jì)柵極驅(qū)動(dòng)電路。
應(yīng)用：
? IGBT與功率MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)（預(yù)驅(qū)動(dòng)）
? 交流電機(jī)和直流無刷電機(jī)控制
? 工業(yè)逆變器與不間斷電源（UPS）
? 光伏（PV）電源調(diào)節(jié)系統(tǒng)
特性：
? 內(nèi)置有源時(shí)序控制的雙輸出，適用于驅(qū)動(dòng)P溝道和N溝道互補(bǔ)MOSFET緩沖器。
? 當(dāng)檢測(cè)到過流時(shí)，通過使用另一個(gè)外部N溝道MOSFET實(shí)現(xiàn)可配置柵極軟關(guān)斷時(shí)間。
? 當(dāng)監(jiān)控集電極電壓檢測(cè)到過流時(shí)或UVLO時(shí)，故障信號(hào)會(huì)輸出到一次側(cè)。
TLP5231產(chǎn)品示意圖
主要規(guī)格：
（除非另有說明，@Ta＝-40至110℃，典型值@Ta＝25℃）
器件型號(hào) | TLP5231 | |
絕對(duì)最大額定值 | 峰值高電平輸出電流IOPH（A） | -2.5 |
峰值低電平輸出電流IOPL（A） | +2.5 | |
電氣特性 | VOUTP高電平輸出電流IOUTPH最大值（A） | -1.0 |
VOUTP低電平輸出電流IOUTPL最小值（A） | 1.0 | |
VOUTN高電平輸出電流IOUTNH最大值（A） | -1.0 | |
VOUTN低電平輸出電流IOUTNL最小值（A） | 1.0 | |
高電平供電電流（VCC2）ICC2H最大值（mA） | 10.2 | |
低電平供電電流（VCC2）ICC2L最大值（mA） | 10.2 | |
高電平供電電流（VEE）IEEH最小值（mA） | -9.2 | |
低電平供電電流（VEE）IEEL最小值（mA） | -9.2 | |
閾值輸入電流（H／L）IFHL最大值（mA） | 3.5 | |
建議工作條件 | 總輸出供電電壓（VCC2-VEE）（V） | 21.5至30 |
負(fù)輸出供電電壓（VE-VEE）（V） | 6.5至15 | |
正輸出供電電壓（VCC2-VE）（V） | 15至23.5 | |
開關(guān)特性 | 傳播延遲時(shí)間（L／H）tpLH（ns） | 100至300 |
傳播延遲時(shí)間（H／L）tpHL（ns） | ||
傳播延遲偏差（器件到器件）tpsk（ns） | -200至200 | |
高電平共模瞬態(tài)抑制CMH最小值（kV/μs） | ±25 | |
高電平共模瞬態(tài)抑制CML最小值（kV/μs） | ±25 | |
功能 | 保護(hù)功能 | IGBT VCE(sat)檢測(cè)、欠壓鎖定（UVLO）[4] |
反饋（故障）：在檢測(cè)到VCE(sat)或UVLO（集電極開路輸出）時(shí)激活 | ||
隔離特性（@Ta＝25℃） | 隔離電壓BVS最小值（Vrms） | 5000 |
機(jī)械參數(shù) | 最小電氣間隙（mm） | 8.0 |
最小爬電距離（mm） | 8.0 | |
內(nèi)部最小隔離厚度（mm） | 0.4 | |
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注釋：
[1] 柵極信號(hào)軟關(guān)斷、故障反饋功能
[2] TLP5214、TLP5214A
[3] UVLO：欠壓鎖定
[4] 常見VE
評(píng)論