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東芝面向中大電流IGBT/MOSFET 推出內(nèi)置保護功能的光耦

作者: 時間:2020-03-10 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏

東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)近日宣布,推出“TLP5231”,這是一款面向中大電流絕緣柵雙極型晶體管()和MOSFET的預驅動光耦,適用于工業(yè)逆變器和光伏(PV)的功率調(diào)節(jié)系統(tǒng)。這款全新的預驅動光耦內(nèi)置多種功能[1],其中包括通過監(jiān)控集電極電壓實現(xiàn)過流檢測。產(chǎn)品于今日起開始出貨。

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/202003/410764.htm

新型預驅動光耦使用外部P溝道和N溝道互補的MOSFET作為緩沖器,來控制中大電流和MOSFET。

目前現(xiàn)有產(chǎn)品[2]需要使用雙極型晶體管構成的緩沖電路來實現(xiàn)電流放大,這會在工作中消耗基極電流。新產(chǎn)品能夠使用外部互補MOSFET緩沖器,僅在緩沖器MOSFET的柵極充電或放電時消耗電流,有助于降低功耗。

通過改變外部互補MOSFET緩沖器的大小,TLP5231能夠為各種和MOSFET提供所需的柵極電流。TLP5231、MOSFET緩沖器以及IGBT/MOSFET的配置可用作平臺來滿足系統(tǒng)的功率需求,從而簡化設計。

其他功能包括:在檢測到VCE(sat)過流后使用另一個外部N溝道MOSFET控制“柵極軟關斷時間”;另外,除了能通過監(jiān)控集電極電壓檢測到VCE(sat)之外,還有UVLO[3]檢測,將任意故障信號輸出到一次側。以上這些現(xiàn)有產(chǎn)品[2]不具備的新特性,能夠讓TLP5231幫助用戶更輕松地設計柵極驅動電路。

應用:

?   IGBT與功率MOSFET柵極驅動(預驅動)

?   交流電機和直流無刷電機控制

?   工業(yè)逆變器與不間斷電源(UPS)

?   光伏(PV)電源調(diào)節(jié)系統(tǒng)

特性:

?   內(nèi)置有源時序控制的雙輸出,適用于驅動P溝道和N溝道互補MOSFET緩沖器。

?   當檢測到過流時,通過使用另一個外部N溝道MOSFET實現(xiàn)可配置柵極軟關斷時間。

?   當監(jiān)控集電極電壓檢測到過流時或UVLO時,故障信號會輸出到一次側。

image.png

TLP5231產(chǎn)品示意圖

主要規(guī)格:

(除非另有說明,@Ta=-40至110℃,典型值@Ta=25℃)

器件型號

TLP5231

絕對最大額定值

峰值高電平輸出電流IOPH(A)

-2.5

峰值低電平輸出電流IOPL(A)

+2.5

電氣特性

VOUTP高電平輸出電流IOUTPH最大值(A)

-1.0

VOUTP低電平輸出電流IOUTPL最小值(A)

1.0

VOUTN高電平輸出電流IOUTNH最大值(A)

-1.0

VOUTN低電平輸出電流IOUTNL最小值(A)

1.0

高電平供電電流(VCC2)ICC2H最大值(mA)

10.2

低電平供電電流(VCC2)ICC2L最大值(mA)

10.2

高電平供電電流(VEE)IEEH最小值(mA)

-9.2

低電平供電電流(VEE)IEEL最小值(mA)

-9.2

閾值輸入電流(H/L)IFHL最大值(mA)

3.5

建議工作條件

總輸出供電電壓(VCC2-VEE)(V)

21.5至30

負輸出供電電壓(VE-VEE)(V)

6.5至15

正輸出供電電壓(VCC2-VE)(V)

15至23.5

開關特性

傳播延遲時間(L/H)tpLH(ns)

100至300

傳播延遲時間(H/L)tpHL(ns)

傳播延遲偏差(器件到器件)tpsk(ns)

-200至200

高電平共模瞬態(tài)抑制CMH最小值(kV/μs)

±25

高電平共模瞬態(tài)抑制CML最小值(kV/μs)

±25

功能

保護功能

IGBT VCE(sat)檢測、欠壓鎖定(UVLO)[4]

反饋(故障):在檢測到VCE(sat)或UVLO(集電極開路輸出)時激活

隔離特性(@Ta=25℃)

隔離電壓BVS最小值(Vrms)

5000

機械參數(shù)

最小電氣間隙(mm)

8.0

最小爬電距離(mm)

8.0

內(nèi)部最小隔離厚度(mm)

0.4

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注釋:

[1]   柵極信號軟關斷、故障反饋功能

[2]   TLP5214、TLP5214A

[3]   UVLO:欠壓鎖定

[4]   常見VE



關鍵詞: IGBT MOSEFT

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