美光出樣業(yè)界首款搭載LPDDR5的uMCP封裝產(chǎn)品，為5G手機提供更強性能和電池續(xù)航

內(nèi)存和存儲解決方案領(lǐng)先供應(yīng)商 Micron Technology, Inc.（美光科技股份有限公司，納斯達克股票代碼：MU）今日宣布，開始出樣業(yè)界首款同時搭載低功耗 DDR5 (LPDDR5) DRAM 的通用閃存 (UFS) 多芯片封裝 (uMCP) 產(chǎn)品。這款 uMCP 產(chǎn)品為纖薄緊湊的中端智能手機設(shè)計提供了高密度、低功耗的存儲解決方案。

美光的新款 uMCP5 封裝采用了公司在多芯片封裝方面的創(chuàng)新和前沿技術(shù)，集成了低功耗 DRAM、NAND 和板載控制器，其與雙芯片解決方案相比，占用空間減少 40%。這種優(yōu)化的架構(gòu)可降低功耗，縮小內(nèi)存芯片尺寸，支持更小、更靈活的智能手機設(shè)計。

美光移動產(chǎn)品事業(yè)部高級副總裁兼總經(jīng)理 Raj Talluri 博士表示：“這款業(yè)內(nèi)首創(chuàng)的 uMCP5 封裝解決方案銜接了新款 LPDRAM 和 UFS，使內(nèi)存和存儲帶寬提高 50%，同時帶來更低功耗。該款產(chǎn)品使中端 5G 智能手機能夠在超低延遲響應(yīng)時間和低功耗模式下運行，從而可以支持旗艦智能手機所具備的各種功能，如搭載多枚高分辨率攝像頭、多人游戲和 AR / VR 應(yīng)用?！?/p>

美光 uMCP5 采用先進的 1y 納米 DRAM 制程技術(shù)和全球最小尺寸的 512Gb 96層 3D NAND 裸片。297 引腳球柵陣列 (BGA) 封裝支持雙通道 LPDDR5，速度高達 6,400Mbps，性能比上一代接口提升了 50%。這款新型封裝還為當今市場上的 uMCP5 提供了最高的存儲和內(nèi)存密度，分別為 256GB 和 12GB。

uMCP5 為美光 LPDDR5 DRAM 提供了理想的解決方案。5G 網(wǎng)絡(luò)將于 2020 年開始在全球進行大規(guī)模部署，而美光下一代 LPDDR5 內(nèi)存可滿足其對更高內(nèi)存性能和更低能耗的需求，同時讓 5G 智能手機能以高達 6.4Gbps 的速度處理數(shù)據(jù)，在解決數(shù)據(jù)處理瓶頸問題方面會起到至關(guān)重要的作用。

美光的LPDDR5 uMCP5封裝現(xiàn)已能立即出樣給特定的合作伙伴。