格芯(GLOBALFOUNDRIES)和Mentor合作推出內(nèi)嵌先進機器學(xué)習(xí)功能的新半導(dǎo)體驗證解決方案
作為先進的特殊工藝半導(dǎo)體代工廠,格芯?(GLOBALFOUNDRIES?,GF?)近日于年度全球技術(shù)大會(GTC)上宣布推出內(nèi)嵌先進機器學(xué)習(xí)(ML)功能的增強型可制造性(DFM)設(shè)計套件。這一行業(yè)領(lǐng)先的全新ML增強型DFM解決方案由格芯與西門子公司Mentor合作開發(fā),以Mentor的Calibre? nmDRC平臺為基礎(chǔ),可為客戶提供更有效的設(shè)計和開發(fā)體驗,進而幫助加快產(chǎn)品上市。
本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/202009/418868.htm新的ML增強型DFM套件將作為格芯12LP+差異化半導(dǎo)體解決方案的工藝設(shè)計套件(PDK)更新推出。12LP+采用久經(jīng)考驗的平臺,依托穩(wěn)健的生產(chǎn)生態(tài)系統(tǒng),并針對人工智能(AI)訓(xùn)練和推理應(yīng)用進行了優(yōu)化,即將在紐約州馬耳他的格芯Fab 8投入生產(chǎn)。
格芯的全新ML增強型DFM解決方案是行業(yè)中的首款此類解決方案。格芯計劃于2020年第4季度陸續(xù)在12LP和22FDX?半導(dǎo)體平臺的PDK中推出該功能。
格芯技術(shù)支持副總裁Jim Blatchford表示:“我們很高興能推出這個新的增強功能,該功能融合了先進的機器學(xué)習(xí)模型,讓我們的客戶能夠加快整體DFM驗證并提供更高效的設(shè)計體驗,最終實現(xiàn)成功進行原型設(shè)計和加快產(chǎn)品上市的目標(biāo)。我們與Mentor的密切合作幫助我們將這項新的增強功能無縫集成到了12LP+ PDK中,我們期待在其他專業(yè)半導(dǎo)體解決方案的PDK中陸續(xù)推出更多的機器學(xué)習(xí)功能。”
Mentor物理驗證產(chǎn)品管理、Calibre設(shè)計解決方案總監(jiān)Michael White說:“我們很高興能與格芯?(GLOBALFOUNDRIES?)合作,將基于機器學(xué)習(xí)的模型整合到格芯12LP+平臺的Calibre nmDRC中。我們與格芯?(GLOBALFOUNDRIES?)攜手將機器學(xué)習(xí)整合到設(shè)計流程中,幫助我們共同的客戶實現(xiàn)無縫過渡。”
自2009年成立以來,格芯已經(jīng)率先開發(fā)了一個稱為DRC+的DFM檢查平臺,該平臺將電子設(shè)計自動化(EDA)軟件套件中的模式匹配工具與一個專有收益減損因子模式庫相結(jié)合。借助DRC+,芯片設(shè)計人員能夠在早期設(shè)計中預(yù)防性地檢測到可能導(dǎo)致制造缺陷的缺陷模式或熱點。
格芯與Mentor合作將格芯開發(fā)的ML模型集成到了DRC+中,幫助增強了DRC+的功能,使它能夠識別新的和以前不能預(yù)見的熱點模式,從而提高了制造良品率。使用格芯在制造過程中收集的芯片數(shù)據(jù)進行訓(xùn)練后,新的ML增強型DFM套件通過了驗證和認證,使芯片設(shè)計人員能夠在設(shè)計過程的早期更成功地發(fā)現(xiàn)并減少可能存在的問題。
隨著設(shè)計人員向成功的原型設(shè)計和規(guī)模生產(chǎn)邁進,在開發(fā)階段找到并解決這些熱點對他們來說至關(guān)重要。
格芯12LP+準(zhǔn)備投產(chǎn)
為了滿足快速增長的AI市場的特定需求,格芯的12LP+在性能、功耗和面積方面均提供了出色的表現(xiàn)。這一切是因為12LP+引入了多項新特性,包括更新后的標(biāo)準(zhǔn)單元庫、用于2.5D封裝的中介層、低功耗0.5V Vmin SRAM位單元等。這些特性有助于在AI處理器與存儲器之間實現(xiàn)低延遲、低功耗數(shù)據(jù)傳輸。
12LP+基于格芯成熟的14nm/ 12LP平臺 ,利用此平臺格芯已經(jīng)交付了100多萬片晶圓。通過與AI客戶緊密合作并借鑒學(xué)習(xí),格芯開發(fā)出12LP+,為AI領(lǐng)域的設(shè)計人員提供更多差異化和更高價值,同時最大限度地降低他們的開發(fā)和生產(chǎn)成本。
12LP+的性能提升包括SoC級邏輯性能相比12LP提升20%,邏輯區(qū)面積微縮10%。12LP+的進步得益于它的下一代標(biāo)準(zhǔn)單元庫、經(jīng)過鄰域優(yōu)化的高性能組件、單鰭片單元、新的低壓SRAM位單元,以及改良的模擬版圖設(shè)計規(guī)則。
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