5nm？3nm？芯片制程的極限究竟在哪里?

現(xiàn)在的集成電路制造技術(shù)其核心就是光刻技術(shù)，這種方法與照相類似，就是將掩模版上的圖形轉(zhuǎn)移到涂有光致抗蝕劑（或稱光刻膠）的硅片上。在實(shí)際工藝中，一個(gè)芯片的產(chǎn)生要經(jīng)歷幾十次光刻才能完成，有些結(jié)構(gòu)層甚至需要多次光刻才能形成。

在這個(gè)發(fā)展階段，所謂的物理極限其實(shí)就是光的波長限制，所以科學(xué)家們所做的工作主要是不斷降低用于曝光的光線的波長。通過這種方法，不斷提高光刻分辨率，分辨率高了，同樣大小的硅晶圓上，可以生產(chǎn)更多的芯片。

· 2001年：芯片制程工藝是130nm，例如奔騰3處理器。

· 2004年：90nm的元年。

· 2012年：制程工藝發(fā)展到22nm，此時(shí)聯(lián)電、聯(lián)發(fā)科、格芯等很多廠家可以達(dá)到22nm的半導(dǎo)體制程工藝。

· 2015年：芯片制成發(fā)展的一個(gè)分水嶺，進(jìn)入14nm時(shí)，聯(lián)電止步于此。

· 2017年：步入10nm時(shí)代，英特爾停在了10nm，i5和i7處理器由于良率問題而遲遲無法交貨。

· 2018年：7nm來臨，英特爾至今無法突破，而美國另一家芯片代工巨頭“格芯”，也是在7納米處倒下的。

· 2019年：6nm開始量產(chǎn)。

· 2020年：制程開始進(jìn)入5nm時(shí)代，進(jìn)入更難的5nm，只有三星和臺(tái)積電生存下來了。

5nm芯片的現(xiàn)狀

第一款出貨的5nm芯片，是蘋果2020年10月份發(fā)布并上市的A14仿生芯片，這款SoC的晶體管數(shù)量達(dá)到118億個(gè)，比A13多大約40%；而第二款則是集成153億個(gè)晶體管的華為麒麟9000。

但是隨著半導(dǎo)體技術(shù)逐漸接近物理瓶頸，晶體管尺寸的微縮越來越難。5nm的手機(jī)芯片的表現(xiàn)似乎并不盡人意，不僅在性能提升有限，功耗也面臨“翻車”。對(duì)于普通用戶來說，設(shè)備發(fā)熱嚴(yán)重和高功耗會(huì)直接影響使用體驗(yàn)，芯片散熱差嚴(yán)重時(shí)會(huì)導(dǎo)致芯片異常甚至失效。

主要原因是制造工藝不成熟，工藝、IC設(shè)計(jì)與功耗的不平衡。當(dāng)制造工藝和IC設(shè)計(jì)不匹配時(shí)，便會(huì)造成一些問題，包括功耗、性能等。

廠商為追求更低的成本，用更小面積的芯片承載更多的晶體管，看似是達(dá)成制程越先進(jìn)、芯片性能越好、功耗越低。但實(shí)際情況更復(fù)雜，有的廠商通過增加核心、也有通過設(shè)計(jì)更復(fù)雜的電路，無論是增加核心還是設(shè)計(jì)更復(fù)雜的電路，都需要面對(duì)功耗激增的問題，兩者之間又需要尋找新方法進(jìn)行平衡。

另外，5nm芯片的成本極高。市場研究機(jī)構(gòu)IBS給出的數(shù)據(jù)顯示，自28nm之后芯片的成本迅速上升：28nm工藝的成本為0.629億美元，到了7nm和5nm芯片的成本迅速暴增，5nm將增至4.76億美元。

在FinFET工藝之后，環(huán)繞式閘極電晶體（GAA）也開始提上議程，臺(tái)積電原本計(jì)劃在5nm節(jié)點(diǎn)上應(yīng)用該技術(shù)，但考慮到綜合性能和成本之后，選擇繼續(xù)使用FinFET工藝。讓GAA的應(yīng)用推遲至3nm節(jié)點(diǎn)上。

2nm已經(jīng)開始研發(fā)

臺(tái)積電5nm雖然已經(jīng)量產(chǎn)，但產(chǎn)能還是很有限，還在持續(xù)提升中；另外3nm制程也預(yù)計(jì)在2021年風(fēng)險(xiǎn)量產(chǎn)，在2022年下半年量產(chǎn)，這次臺(tái)積電內(nèi)部又將2nm芯片提上了日程。據(jù)財(cái)聯(lián)社消息，臺(tái)積電方面近期表示，將在新的臺(tái)灣研發(fā)中心運(yùn)營一條先進(jìn)生產(chǎn)線，擁有8000名工程師，該設(shè)施將專注于研究2納米芯片等產(chǎn)品。有業(yè)界聲音估計(jì)，臺(tái)積電2nm將在2023年至2024年推出。

圖 | ASML 預(yù)測半導(dǎo)體制程升級(jí)規(guī)劃

從誕生到現(xiàn)在的二十年間，F(xiàn)inEFT技術(shù)已經(jīng)讓芯片工藝節(jié)點(diǎn)制程最高突破到3nm。不過，3nm幾乎已經(jīng)逼近FinFET的極限，再往下發(fā)展，無論是鰭片距離、短溝道效應(yīng)還是材料已經(jīng)到達(dá)閾值，如果沒有改變架構(gòu)，芯片可能連物理結(jié)構(gòu)都構(gòu)不成。

所以，臺(tái)積電的2nm制程用上了GAA技術(shù)，作為FinFET技術(shù)的演進(jìn)，這也可以用來繼續(xù)抑制短溝道效應(yīng)的技術(shù)。但是在GAA工藝上，臺(tái)積電并不是走得最快的。臺(tái)積電在最新的3nm制程上還將繼續(xù)沿用FinFET工藝，不過三星的3nm則選擇了GAA工藝路線。

GAA是FinFET技術(shù)的演進(jìn)，其四面都被柵極圍繞，從而再度增強(qiáng)柵極對(duì)溝道的控制能力，有效減少漏電。它和FinFET有相同的理念，不同之處在于GAA的柵極對(duì)溝道的四面包裹，源極和漏極不再和基底接觸。

根據(jù)設(shè)計(jì)的不同，GAA也有不同的形態(tài)，目前比較主流的四個(gè)技術(shù)是納米線、板片狀結(jié)構(gòu)多路橋接鰭片、六角形截面納米線、納米環(huán)。三星對(duì)外介紹的GAA技術(shù)是Multi-Bridge Channel FET（MBCFET），即板片狀結(jié)構(gòu)多路橋接鰭片。臺(tái)積電同樣采用MBCFET架構(gòu)。

GAA可以帶來性能和功耗的降低，但成本也非常高，三星稱其3nm GAA的成本可能會(huì)超過5億美元。

芯片制程發(fā)展極限

隨著芯片尺寸的進(jìn)一步縮小，新的“物理極限”出現(xiàn)了。這就是我們傳統(tǒng)計(jì)算機(jī)芯片的設(shè)計(jì)理念問題。我們都知道的，現(xiàn)在的電腦是基于數(shù)字電路0、1這樣的邏輯電路搭建起來的。而隨著芯片尺寸的減小，最小的PN結(jié)也在不斷的減小。由于量子效應(yīng)，PN結(jié)不能形成之前的工作狀態(tài)，也就是說，不再表現(xiàn)出0和1這種狀態(tài)，量子效應(yīng)成為了數(shù)字集成電路的攔路虎。

這怎么辦呢？其實(shí)，需要的不是做新的PN結(jié)出來，因?yàn)镻N結(jié)已經(jīng)無法再小了。科學(xué)家們做的工作是，發(fā)展下一代計(jì)算機(jī)技術(shù)：量子計(jì)算機(jī)。這種計(jì)算機(jī)的工作原理跟我們現(xiàn)在的計(jì)算機(jī)是不同，它是利用量子的波函數(shù)來進(jìn)行計(jì)算的。它的計(jì)算邏輯不同於數(shù)字電子計(jì)算機(jī)，量子計(jì)算用來存儲(chǔ)資料的對(duì)象是量子位元，它使用量子演算法來進(jìn)行資料操作。

這種變化其實(shí)就是新的技術(shù)手段代替老的技術(shù)手段的過程。面對(duì)無法再小的數(shù)字化集成電路科學(xué)家祭出的新的手段就是量子計(jì)算，用量子計(jì)算來取代數(shù)字計(jì)算，讓計(jì)算能力進(jìn)入到一個(gè)新的發(fā)展階段。

還有就是目前，芯片都是由硅為基礎(chǔ)，在上面刻蝕電路，但是，理論研究表明，當(dāng)芯片制程達(dá)到1nm的時(shí)候，量子隧穿效應(yīng)，就是電子不受控制，所以這是人們很擔(dān)心的問題，1nm后怎么辦？目前人類馬上將硅基材料的性能壓縮到了極限，所以更換材料已經(jīng)被提上日程，目前最有希望的便是二硫化鉬（MoS2）。

硅和二硫化鉬都有晶體結(jié)構(gòu)，但是二硫化鉬對(duì)于控制電子的能力要強(qiáng)于硅，眾所周知，晶體管由源極，漏極和柵極，柵極負(fù)責(zé)電子的流向，它是起開關(guān)作用，在1nm的時(shí)候，柵極已經(jīng)很難發(fā)揮其作用了。而通過二硫化鉬，則會(huì)解決這個(gè)問題，而且二硫化鉬的介電常數(shù)非常低，可以將柵極壓縮到1nm完全沒有問題。

1nm是人類半導(dǎo)體發(fā)展的重要節(jié)點(diǎn)，可以說，能不能突破1nm的魔咒，關(guān)乎計(jì)算機(jī)的發(fā)展，雖然二硫化鉬的應(yīng)用價(jià)值非常大，但是，目前還在早期階段，而且，如何批量生產(chǎn)1nm的晶體管還沒有解決，但是，這并不妨礙二硫化鉬在未來集成電路的前景。

持續(xù)加碼先進(jìn)制程是一場冒險(xiǎn)？

當(dāng)前，芯片由先進(jìn)制程帶來的性能、功耗回報(bào)正在顯著降低。近幾個(gè)月，搭載5nm制程工藝SOC的智能手機(jī)陸續(xù)上市。從這些手機(jī)的實(shí)際表現(xiàn)來看，無論是臺(tái)積電的5nm FinFET工藝，抑或三星的5nm LPE工藝，性能、功耗提升都未能滿足市場預(yù)期。

三星方面，功耗翻車的問題比較突出。采用三星5nm LPE工藝的驍龍888處理器和上代產(chǎn)品驍龍865處理器對(duì)比，單核功耗和多核功耗明顯增加，能效表現(xiàn)上大幅下降。

臺(tái)積電方面，快步推進(jìn)的5nm，實(shí)際性能提升有些拉胯。以蘋果A系列處理器為例，同樣基于臺(tái)積電7nm制程，A13處理器相比A12處理器CPU性能提升20%、GPU性能提升20%；而基于臺(tái)積電5nm制程的A14相比A13，CPU 性能方面提升大約在16.7%左右，GPU性能提升則大約在8.3%左右。

也就是說，在蘋果A系列處理器上，5nm制程進(jìn)步帶來的進(jìn)步，很可能還比不上蘋果自己對(duì)處理器架構(gòu)的優(yōu)化升級(jí)。雖然有一些業(yè)內(nèi)人士猜測，這是由于5nm初期良品率不高，蘋果A14屏蔽了一些核心。但同樣采用臺(tái)積電5nm工藝的麒麟9000，其功耗控制較之官方數(shù)據(jù)也存在較大差異。

5nm先進(jìn)制程工藝的實(shí)際表現(xiàn)普遍稱不上令人滿意，對(duì)于當(dāng)前階段使用5nm工藝的產(chǎn)品而言，其營銷價(jià)值或許要遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過先進(jìn)制程本身的實(shí)用價(jià)值。

更加令人感到不安的是，在當(dāng)前臺(tái)積電5nm制程工藝的實(shí)用價(jià)值都很成問題的情況下，臺(tái)積電還在持續(xù)加大對(duì)下一代制程節(jié)點(diǎn)3nm工藝的研發(fā)投入。在近日的財(cái)報(bào)會(huì)議上，臺(tái)積電管理層宣布2021年計(jì)劃將年度資本開支從2020年的170億美元大幅提升到250億至280億美元，增幅將達(dá)到45%至63%，其中約80%將用于3nm工藝研發(fā)，這意味著，臺(tái)積電今年將會(huì)有超過150億美元的資本支出投向3nm工藝。

而根據(jù)臺(tái)積電此前公布的計(jì)劃，他們的3nm工藝，計(jì)劃在今年風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)，2022年大規(guī)模量產(chǎn)。也就是說，按照臺(tái)積電的規(guī)劃，明年在市場上我們就可以看到一些搭載臺(tái)積電3nm工藝的產(chǎn)品。

這依然符合臺(tái)積電近幾年來的先進(jìn)制程升級(jí)換代節(jié)奏，然而從產(chǎn)品的實(shí)際表現(xiàn)來看，高昂的代價(jià)并沒能完美實(shí)現(xiàn)預(yù)期中的效果。換而言之，臺(tái)積電現(xiàn)在很可能已經(jīng)觸碰到了資本投入和技術(shù)實(shí)現(xiàn)之間的一個(gè)瓶頸，忽視這一瓶頸而又急切想要實(shí)現(xiàn)3nm先進(jìn)制程工藝的臺(tái)積電，其實(shí)已經(jīng)陷入了一場極限技術(shù)冒險(xiǎn)。