三星率先發(fā)布3nm芯片，日本歐盟正在發(fā)力攻克2nm

關(guān)于芯片，大多數(shù)小伙伴了解到的，當(dāng)下最先進(jìn)的生產(chǎn)工藝是5nm，當(dāng)然也一直流傳臺積電正在研發(fā)3納米，甚至2納米的生產(chǎn)工藝。其中臺積電一直在技術(shù)上處于領(lǐng)先地位，可誰也沒想到的是，三星率先發(fā)布了3nm芯片。

在剛剛過去不久的IEEE ISSCC國際固態(tài)電路大會上，三星首發(fā)應(yīng)用3nm工藝制造的SRAM存儲芯片，將半導(dǎo)體工藝再度推上一個進(jìn)程，國際固態(tài)電路大會我在之前的視頻里提到過好多次，是世界最權(quán)威的行業(yè)會議，所以這也證明的三星的技術(shù)實力真的很強(qiáng)。

而我國目前在生產(chǎn)工藝上，最厲害的中芯國際也只停留在今年可以實現(xiàn)7nm試量產(chǎn)的階段，差距十分巨大，再加上外部條件的限制，沒有辦法拿到EUV光刻機(jī)，所以想要實現(xiàn)趕超三星、臺積電，希望暫時來看不大，除非美國解除禁令。

在人類半導(dǎo)體發(fā)展史上，日本是非常關(guān)鍵的角色，有過輝煌，雖然現(xiàn)在提到芯片，好像看不到日本的身影，但實際上是大家對他們的認(rèn)知不足。

當(dāng)下，日本在半導(dǎo)體設(shè)備、零部件、原材料等方面，仍然處于世界領(lǐng)先地位，優(yōu)勢十分明顯?，F(xiàn)在世界上最先進(jìn)的EUV光刻機(jī)里，也有很多來自日本的關(guān)鍵設(shè)備。例如，光罩檢驗設(shè)備，涂覆顯影設(shè)備，這兩個日本做到了100%壟斷，另外寫入設(shè)備，蝕刻設(shè)備，光刻膠等等。可以說，日本搞一個盡量，asml連euv光刻機(jī)都生產(chǎn)不出來。所以必須承認(rèn)，日本在半導(dǎo)體領(lǐng)域的強(qiáng)大。

另外，日本還有佳能和尼康這2個光刻機(jī)巨頭，雖然光刻機(jī)比不上荷蘭asml，但也具有非常強(qiáng)的技術(shù)底蘊(yùn)。

所以，日本在半導(dǎo)體領(lǐng)域勢必還有一定的野心，那么根據(jù)日本相關(guān)媒體的報道，佳能、東京電子、Screen 三家企業(yè) ，將在日本政府的420億日元（3.86億美元）支持下，開發(fā)先進(jìn)的芯片生產(chǎn)技術(shù)，目標(biāo)是實現(xiàn)2納米或以下的芯片制程工藝，并建造出一條原型生產(chǎn)線。

說到這，還得提一下歐盟，今年3月份，歐盟正式發(fā)布《2030 Digital Compass》規(guī)劃書，提出了雄心勃勃的計劃，要加強(qiáng)歐洲半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展，并且也要在2nm技術(shù)節(jié)點實現(xiàn)突破。

或許日本和歐盟都是受到了臺積電和三星2nm工藝發(fā)展的刺激，才下決心要大干一番的，因為臺積電在2nm制程上已經(jīng)取得了一定的技術(shù)突破，預(yù)計2023年能夠?qū)崿F(xiàn)小規(guī)模試產(chǎn)，2024年實現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)。

其實通過這些，我們可以很明顯地感受到，因為美國在半導(dǎo)體領(lǐng)域?qū)ξ覈M(jìn)行了近乎瘋狂，并且持續(xù)打壓，這也導(dǎo)致世界各國都處于一種相對緊張的狀態(tài)，所以說美國這種技術(shù)霸權(quán)的做法，終歸是不得人心的。那么，想要徹底擺脫這種恐懼，那就必須實現(xiàn)高端技術(shù)獨立。所以，日本、歐盟才會在現(xiàn)在這個階段制定出發(fā)展計劃，加大投入并扶持自己的優(yōu)秀半導(dǎo)體企業(yè)，研發(fā)更先進(jìn)的半導(dǎo)體技術(shù)。說白了，誰也不想受制于人。

如果有一天誰能打破荷蘭saml的EUV光刻機(jī)壟斷，或者是多幾家能夠?qū)崿F(xiàn)5nm以下制程的代工廠，對于我們中國來說都是好事兒，會多很多選擇的余地，更好的維持發(fā)展?fàn)顟B(tài)。

總之，沒辦法，現(xiàn)狀就是如此，對于中國半導(dǎo)體來說，已經(jīng)沒有退路，別人在技術(shù)上的領(lǐng)先優(yōu)勢越來越大。不過也沒關(guān)系，大不了我們少用幾年高端芯片，我相信全國人民都可以等。加油干就完事了，因為事實證明，從來沒有中國人攻克不了的技術(shù)難題。