三星有意在美國建5nm EUV芯片廠 巨額投資

據(jù)韓媒援引業(yè)內(nèi)人士消息，三星電子已決定在美國得克薩斯州奧斯丁設(shè)立EUV半導(dǎo)體工廠，以滿足日益增長的小型芯片需求和美國重振半導(dǎo)體計劃。該工廠將采用5nm制程，計劃于今年Q3開工，2024年投產(chǎn)，預(yù)計耗資180億美元，同時也是三星電子首次在韓國之外設(shè)立EUV產(chǎn)線。

去年，臺積電去宣布將在美國建設(shè)芯片工廠，建成之后將采用5nm工藝為相關(guān)的客戶代工芯片，目標(biāo)是2024年投產(chǎn)。最新消息稱，臺積電管理層目前正在討論，他們在美國的下一座芯片工廠，是否采用更先進的3nm制程工藝，為相關(guān)的客戶代工芯片。