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三星宣布3nm芯片成功流片,規(guī)模化量產(chǎn)時間節(jié)點臨近

作者: 時間:2021-06-30 來源:網(wǎng)易科技 收藏

  6月29日消息,據(jù)外媒報道,宣布,3nm制程技術(shù)已經(jīng)正式流片。據(jù)介紹,的3nm制程采用的是GAA架構(gòu),性能優(yōu)于臺積電的3nm FinFET架構(gòu)。

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/202106/426624.htm

  報道稱,在3nm制程的流片進(jìn)度是與新思科技合作完成的,目的在于加速為GAA架構(gòu)的生產(chǎn)流程提供高度優(yōu)化的參考方法。因為三星的3nm制程采用不同于臺積電或英特爾所采用的FinFET的架構(gòu),而是采用GAA的結(jié)構(gòu)。因此,三星采用了新思科技的Fusion Design Platform。



關(guān)鍵詞: 芯片 3mm 三星

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