功耗降低50% 三星3nm芯片全球首秀：搶先臺(tái)積電量產(chǎn)

　　三星之前制定計(jì)劃在2030年成為全球最先進(jìn)的半導(dǎo)體制造公司之一，3nm節(jié)點(diǎn)是他們的一個(gè)殺手锏，之前一直被良率不行等負(fù)面?zhèn)髀劺_，日前三星公司終于亮出首個(gè)3nm晶圓，按計(jì)劃將在今年Q2季度量產(chǎn)，比臺(tái)積電還要早一些。

　　日前美國總統(tǒng)參觀了三星位于平澤市附近的芯片工廠，這里是目前全球唯一一個(gè)可以量產(chǎn)3nm工藝的晶圓廠，三星首次公開了3nm工藝制造的12英寸晶圓，不過具體是哪款芯片還不得而知。

　　對(duì)三星來說，3nm節(jié)點(diǎn)是他們押注芯片工藝趕超臺(tái)積電的關(guān)鍵，因?yàn)榕_(tái)積電的3nm工藝不會(huì)上下一代的GAA晶體管技術(shù)，三星的3nm節(jié)點(diǎn)就會(huì)啟用GAA技術(shù)，這是一種新型的環(huán)繞柵極晶體管，通過使用納米片設(shè)備制造出了MBCFET（Multi-Bridge-Channel FET，多橋-通道場(chǎng)效應(yīng)管），該技術(shù)可以顯著增強(qiáng)晶體管性能，主要取代FinFET晶體管技術(shù)。

　　根據(jù)三星的說法，與7nm制造工藝相比，3nm GAA技術(shù)的邏輯面積效率提高了45%以上，功耗降低了50%，性能提高了約35%，紙面參數(shù)上來說卻是要優(yōu)于臺(tái)積電3nm FinFET工藝。

　　根據(jù)三星之前的表態(tài)，3nm工藝將在2022年Q2季度量產(chǎn)，這個(gè)進(jìn)度相比臺(tái)積電的3nm工藝還要激進(jìn)，后者今年下半年也只能小規(guī)模試產(chǎn)，明年才會(huì)大規(guī)模量產(chǎn)3nm工藝。