三星GAA架構(gòu)3納米領(lǐng)先量產(chǎn)

韓國三星電子6月30日正式宣布新一代環(huán)繞閘極晶體管（GAA）架構(gòu)的3nm制程進入量產(chǎn)階段，號稱是全球第一家3nm進入生產(chǎn)的晶圓代工廠，不過市場預(yù)期三星的產(chǎn)能規(guī)模仍無法追上競爭對手臺積電。臺積電仍維持3奈米下半年進入量產(chǎn)預(yù)期，業(yè)界推估第四季投片規(guī)?？赏^1萬片，包括高通、蘋果、英特爾等都是主要客戶。

三星宣布開始量產(chǎn)GAA架構(gòu)3nm制程，但未公布首發(fā)客戶及產(chǎn)能規(guī)劃，外電報導(dǎo)客戶包括中國虛擬貨幣挖礦機芯片廠上海盤硅半導(dǎo)體及手機芯片大廠高通，但高通會視情況進行投片。三星指出，3nm采用多橋通道場效晶體管（MBCFET）的GAA專利技術(shù)，突破鰭式場效晶體管（FinFET）架構(gòu)性能限制，能以更高效能及更小芯片尺寸來實現(xiàn)更佳的功耗表現(xiàn)。

三星指出，與5nm制程相較，此次量產(chǎn)的第一代3奈米制程，能縮小芯片尺寸面積16％、性能提升23％，功耗降低45％。至于第二代3nm制程可縮小芯片尺寸35％、性能提高30％、功耗降低50％，預(yù)期會在2023年進入量產(chǎn)。三星2nm會延續(xù)采用MBCFET技術(shù)，預(yù)計將于2025年進入量產(chǎn)。

不過，三星在2021年晶圓代工論壇中指出，與5奈米相較，GAA架構(gòu)3nm制程在功耗及性能及面積（PPA）所達到的優(yōu)化效益，與此次宣布的第二代3奈米制程相同。業(yè)界認為，三星此次宣布量產(chǎn)的第一代3奈米應(yīng)該尚未達到預(yù)期的制程微縮目標(biāo)，2023年量產(chǎn)的第二代3奈米才能算是真正的完整版本。

臺積電3nm雖然延續(xù)FinFET架構(gòu)，2022年下半年量產(chǎn)預(yù)期不變，且3nmN3制程推出時將會是業(yè)界最先進的制程技術(shù)，具備最佳的PPA及晶體管技術(shù)。相較于上一代5奈米N5制程，N3制程邏輯密度將增加約70％，在相同功耗下速度提升10～15％，或者在相同速度下功耗降低25～30％，提供完整的平臺支持智能型手機及高效能運算（HPC）應(yīng)用。