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3nm彎道超車臺積電之后 三星2nm工藝蓄勢待發(fā):3年后量產

作者:憲瑞 時間:2022-07-08 來源:快科技 收藏

在6月最后一天,宣布3nm工藝正式量產,這一次終于領先臺積電率先量產新一代工藝,而且是彎道超車,后者的3nm今年下半年才會量產。

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/202207/436045.htm

根據官方介紹,在3nm芯片上,其放棄了之前的FinFET架構,采用了新的GAA晶體管架構,大幅改善了芯片的功耗表現(xiàn)。

3nm彎道超車臺積電之后 三星2nm工藝蓄勢待發(fā):3年后量產

與5nm相比,新開發(fā)的3nm GAE工藝能夠降低45%的功耗,減少16%的面積,并同時提升23%的性能。

第二代的3nm 工藝可以降低50%的功耗,提升30%的性能,同時面積減少35%,效果更好。

再往后呢?三星也有了計劃,3nm 工藝之后就會迎來 工藝,也是基于納米片技術的GAA晶體管,但是結構進一步優(yōu)化,從3個納米片提升到4個,可以提高驅動電流,同時還會優(yōu)化堆疊結構以提升性能,降低功耗。

GAP工藝的量產時間也定了,預計在2025年量產,時間點跟臺積電量產工藝差不多,而且很可能在技術上領先后者,因為臺積電的2nm工藝在晶體管密度上擠牙膏,提升只有10%。

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關鍵詞: 三星 2nm GAP

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