賽米控丹佛斯推出配備羅姆1200V IGBT功率模塊

賽米控丹佛斯（總部位于德國紐倫堡）和全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆（總部位于日本京都市）在開發(fā)SiC（碳化硅）功率模塊方面，已有十多年的良好合作關(guān)系。此次，賽米控丹佛斯向低功率領(lǐng)域推出的功率模塊中，采用了羅姆的新產(chǎn)品——1200V IGBT “RGA系列”。今后，雙方將繼續(xù)保持緊密合作，全力響應(yīng)全球電機(jī)驅(qū)動(dòng)用戶的需求。

ROHM Co., Ltd. 董事 常務(wù)執(zhí)行官 CFO 伊野和英 （左） 

賽米控丹佛斯 CEO Claus A.     Petersen?。ㄓ遥?/em>

隨著全球電動(dòng)化技術(shù)的快速發(fā)展，對(duì)功率模塊的需求已經(jīng)達(dá)到了前所未有的程度，相關(guān)產(chǎn)品的市場規(guī)模急劇擴(kuò)大，幾乎超出了芯片制造商的產(chǎn)能提升速度。在這樣的背景下，羅姆開發(fā)出適用于工業(yè)設(shè)備的1200V IGBT “RGA系列”產(chǎn)品，成為業(yè)內(nèi)先進(jìn)的IGBT解決方案，從而進(jìn)一步擴(kuò)大了對(duì)賽米控丹佛斯的裸芯片供應(yīng)范圍。

賽米控丹佛斯計(jì)劃推出額定電流等級(jí)10A～150A的功率模塊“MiniSKiiP^?”，這款功率模塊中配備了羅姆的1200V IGBT “RGA系列”芯片。MiniSKiiP^?功率模塊采用無銅底板和彈簧連接這兩大特色技術(shù)，并融合了非常適用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)市場的RGA系列的優(yōu)勢，從而成為低功率領(lǐng)域的理想解決方案。另外，MiniSKiiP^?系列始終采用最新一代的IGBT，而且還通過統(tǒng)一封裝高度，確保產(chǎn)品安裝的便利性，因而在全球電機(jī)驅(qū)動(dòng)市場得以廣泛應(yīng)用。 

不僅如此，針對(duì)PCB連接采用Press-Fit引腳和焊接方式的應(yīng)用，賽米控丹佛斯還推出了采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝的“SEMITOP? E”系列產(chǎn)品，由于其結(jié)構(gòu)與現(xiàn)有的IGBT模塊引腳兼容，因此也可使用羅姆的1200V IGBT“RGA系列”。此外，“SEMITOP^?”系列中預(yù)計(jì)還會(huì)新增將三相逆變電路集成于一個(gè)模塊的六單元結(jié)構(gòu)產(chǎn)品，以及整流器-逆變器-制動(dòng)器復(fù)合電路結(jié)構(gòu)產(chǎn)品。 

羅姆集團(tuán) 董事 常務(wù)執(zhí)行官 CFO 伊野和英 表示：“此次，賽米控丹佛斯采用的RGA系列產(chǎn)品，其最高結(jié)溫（Tj，max）高達(dá)175℃，是羅姆新設(shè)計(jì)的弱穿通結(jié)構(gòu)的溝槽柵IGBT。該系列產(chǎn)品在導(dǎo)通、開關(guān)和熱特性方面，均針對(duì)最新的中低功率工業(yè)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。另外，在電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用中，當(dāng)產(chǎn)品承受過負(fù)載時(shí)，與業(yè)內(nèi)現(xiàn)有的IGBT相比，其過電流承受能力具有顯著優(yōu)勢。該系列產(chǎn)品還與業(yè)內(nèi)的常規(guī)產(chǎn)品兼容，替換安裝非常容易?！?/p>

 賽米控丹佛斯 CEO Claus A. Petersen 表示：“近年來，電力電子行業(yè)已經(jīng)逐漸解決了供應(yīng)問題，并且在不斷吸取之前的相關(guān)教訓(xùn)。顯而易見，半導(dǎo)體芯片和模塊制造的多元化是實(shí)現(xiàn)功率模塊真正意義上的‘多源供應(yīng)’的前提。”

賽米控丹佛斯 常務(wù)董事 工業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域分管副總裁 Peter Sontheimer 表示：“在1200V IGBT產(chǎn)品上，我們找到了值得信賴的制造商推出的IGBT產(chǎn)品。羅姆的1200V IGBT RGA系列產(chǎn)品可以替換業(yè)內(nèi)現(xiàn)有的IGBT，只需對(duì)柵極電阻稍作調(diào)整，就能實(shí)現(xiàn)高度類似的目標(biāo)工作?！?br/>