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國內(nèi)8英寸SiC傳來新進(jìn)展

作者: 時(shí)間:2023-06-26 來源:全球半導(dǎo)體觀察 收藏

近年來,汽車、太陽能和電動(dòng)汽車充電應(yīng)用及儲(chǔ)能系統(tǒng)等領(lǐng)域?qū)μ蓟璋雽?dǎo)體產(chǎn)品需求不斷增長,并推動(dòng)新興半導(dǎo)體材料的發(fā)展。

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/202306/447959.htm

在碳化硅襯底上,國內(nèi)廠商正加速研發(fā)步伐,如晶盛機(jī)電已完成了6英寸到的擴(kuò)徑和質(zhì)量迭代,實(shí)現(xiàn)拋光片的開發(fā),晶片性能參數(shù)與6英寸晶片相當(dāng),今年二季度將實(shí)現(xiàn)小批量生產(chǎn);天科合達(dá)計(jì)劃在2023年實(shí)現(xiàn)襯底產(chǎn)品的小規(guī)模量產(chǎn),同時(shí)該公司在5月與半導(dǎo)體大廠英飛凌簽訂碳化硅長期供應(yīng)協(xié)議。近期,傳來了新消息。

6月22日,官微宣布其突破了8英寸量產(chǎn)關(guān)鍵技術(shù),在晶體尺寸、厚度、缺陷控制、生長速率、制備成本、及裝備穩(wěn)定性等方面取得可喜成績。此前4月,8英寸中試線正式貫通并進(jìn)入中試線生產(chǎn),打破了國際在寬禁帶半導(dǎo)體關(guān)鍵材料的限制和封鎖。

具體來看,在尺寸、厚度方面,科友半導(dǎo)體實(shí)現(xiàn)了高厚度、低應(yīng)力6/8英寸碳化硅晶體穩(wěn)定制備,在6英寸晶體厚度超過40mm的基礎(chǔ)上,8英寸晶體直徑超過210mm,厚度目前穩(wěn)定在15mm以上。

缺陷密度方面,科友半導(dǎo)體6英寸晶體位錯(cuò)缺陷密度<3000個(gè)cm-2,8英寸晶體微管密度<0.1個(gè)cm-2,位錯(cuò)缺陷密度<5000個(gè)cm-2,晶體質(zhì)量處于行業(yè)領(lǐng)先水平。

生長速率方面,科友半導(dǎo)體基于高熱場穩(wěn)定性、高工藝穩(wěn)定性、和高裝備穩(wěn)定性,突破了8英寸晶體快速生長工藝技術(shù),長晶速率已達(dá)到170μm/h以上,長晶周期約為4-5天,單臺(tái)長晶爐設(shè)備每月運(yùn)轉(zhuǎn)約6-7爐次。

產(chǎn)品良率方面,科友半導(dǎo)體基于6英寸晶體研發(fā)生產(chǎn)經(jīng)驗(yàn),開發(fā)出適用于8英寸SiC穩(wěn)定生長的工藝技術(shù),大幅提升了長晶的穩(wěn)定性、重現(xiàn)性。

資料顯示,科友半導(dǎo)體成立于2018年5月,是一家專注于第三代半導(dǎo)體裝備研發(fā)、襯底制作、器件設(shè)計(jì)、科研成果轉(zhuǎn)化的國家級(jí)高新技術(shù)企業(yè),研發(fā)覆蓋半導(dǎo)體裝備研制、長晶工藝、襯底加工等多個(gè)領(lǐng)域,已形成自主知識(shí)產(chǎn)權(quán),實(shí)現(xiàn)先進(jìn)技術(shù)自主可控。

科友半導(dǎo)體在哈爾濱新區(qū)打造產(chǎn)、學(xué)、研一體化的第三代半導(dǎo)體產(chǎn)學(xué)研聚集區(qū),實(shí)現(xiàn)碳化硅材料端從原材料提純-裝備制造-晶體生長-襯底加工-外延晶圓的材料端全產(chǎn)業(yè)鏈閉合,致力成為第三代半導(dǎo)體關(guān)鍵材料和高端裝備主要供應(yīng)商。

目前,科友半導(dǎo)體突破了8英寸SiC量產(chǎn)關(guān)鍵技術(shù),8英寸SiC中試線平均長晶良率已突破50%,晶體厚度15mm以上,有望粉碎國際封鎖,成為我國大尺寸低成本碳化硅規(guī)?;慨a(chǎn)制造技術(shù)的領(lǐng)跑者。



關(guān)鍵詞: 8英寸 SiC 科友半導(dǎo)體

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