三星計(jì)劃明年生產(chǎn)第 9 代 V-NAND 閃存：沿用雙層堆棧架構(gòu)，超 300 層

IT之家 8 月 18 日消息，據(jù) DigiTimes 報(bào)道，三星電子計(jì)劃明年生產(chǎn)第 9 代 V-NAND 閃存，將沿用雙層堆棧架構(gòu)，超過(guò) 300 層。

報(bào)道稱，這將使三星的進(jìn)度超過(guò) SK 海力士 —— 后者計(jì)劃 2025 年上半年量產(chǎn)三層堆棧架構(gòu)的 321 層 NAND 閃存。早在 2020 年，三星就已首次引入雙層堆棧架構(gòu)，生產(chǎn)第 7 代 V-NAND 閃存芯片。

▲ 圖源三星

IT之家注：雙層堆棧架構(gòu)指在 300mm 晶圓上生產(chǎn)一個(gè) 3D NAND 堆棧，然后在第一個(gè)堆棧的基礎(chǔ)上建立另一個(gè)堆棧。

而三星即將生產(chǎn)的超 300 層第 9 代 V-NAND 將提高單個(gè)晶圓上生產(chǎn)的存儲(chǔ)密度，這將有利于降低固態(tài)硬盤的成本。

作為競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手，SK 海力士的三層堆棧架構(gòu)則是創(chuàng)建三組不同的 3D NAND 層，而這種做法將增加生產(chǎn)步驟和原材料的用量，目的是最大限度提高產(chǎn)量。

另?yè)?jù)《首爾經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》報(bào)道，業(yè)界認(rèn)為三星在推出第 9 代 3D NAND 之后，將有望在第 10 代 430 層的 3D NAND 中采取三層堆棧架構(gòu)。該報(bào)援引業(yè)內(nèi)人士稱，若 3D NAND 層數(shù)超過(guò) 400，原材料用量和晶圓成本也會(huì)水漲船高，同時(shí)也會(huì)保證產(chǎn)量。

在去年 10 月舉行的“2022 三星科技日”上，三星曾提出長(zhǎng)期愿景：2030 年將層數(shù)提升至 1000 層。